公开(公告)号：US20110044694A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12860723

申请日：2010-08-20

申请人： Axel Scherer ,  Aditya Rajagopal ,  Seheon Kim ,  Andrew P. Homyk

发明人： Axel Scherer ,  Aditya Rajagopal ,  Seheon Kim ,  Andrew P. Homyk

IPC分类号： H04B10/00 ,  H03F3/08 ,  H01L31/09 ,  H01L31/04 ,  G01J3/44 ,  G01J3/28 ,  H01L31/18

CPC分类号： H02J50/30 ,  A61B5/0017 ,  A61B5/6867 ,  A61B2560/0219 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0283 ,  G01N21/25 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/054 ,  H02J7/025 ,  H02J17/00 ,  H02J50/80 ,  H02S40/38 ,  H03F3/082 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/45702 ,  H04B10/807 ,  Y02E10/52

摘要： The present disclosure describes an optically powered transducer with a photovoltaic collector. An optical fiber power delivery method and system and a free space power delivery method are also provided. A fabrication process for making an optically powered transducer is further described, together with an implantable transducer system based on optical power delivery.

摘要翻译： 本公开描述了具有光伏收集器的光学功率传感器。 还提供了光纤功率传递方法和系统以及自由空间功率传递方法。 进一步描述用于制造光学功率传感器的制造工艺，以及基于光功率传递的可植入传感器系统。

公开(公告)号：US08670471B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US12711111

申请日：2010-02-23

申请人： Seheon Kim ,  Axel Scherer

发明人： Seheon Kim ,  Axel Scherer

IPC分类号： H01S3/10

CPC分类号： H01S5/183 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035281 ,  H01L33/0045 ,  H01L2933/0083 ,  H01S5/041 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3412 ,  Y02E10/50

摘要： Photonic crystal cavities and related devices and methods are described. The described cavities can be used as lasers, photovoltaic sources, and single photon sources. The cavities can be both optically and electrically pumped. A fabrication process of the cavities is also described.

摘要翻译： 描述了光子晶体腔及相关装置和方法。 所描述的空腔可以用作激光器，光电源和单个光子源。 空腔可以光学和电气泵送。 还描述了空腔的制造工艺。

公开(公告)号：US08787752B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US12860723

申请日：2010-08-20

申请人： Axel Scherer ,  Aditya Rajagopal ,  Seheon Kim ,  Andrew P. Homyk

发明人： Axel Scherer ,  Aditya Rajagopal ,  Seheon Kim ,  Andrew P. Homyk

IPC分类号： H04B10/08

CPC分类号： H02J50/30 ,  A61B5/0017 ,  A61B5/6867 ,  A61B2560/0219 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0283 ,  G01N21/25 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/054 ,  H02J7/025 ,  H02J17/00 ,  H02J50/80 ,  H02S40/38 ,  H03F3/082 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/45702 ,  H04B10/807 ,  Y02E10/52

摘要： The present disclosure describes an optically powered transducer with a photovoltaic collector. An optical fiber power delivery method and system and a free space power delivery method are also provided. A fabrication process for making an optically powered transducer is further described, together with an implantable transducer system based on optical power delivery.

摘要翻译： 本公开描述了具有光伏收集器的光学功率传感器。 还提供了光纤功率传递方法和系统以及自由空间功率传递方法。 进一步描述用于制造光学功率传感器的制造工艺，以及基于光功率传递的可植入传感器系统。

公开(公告)号：US08569739B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13314688

申请日：2011-12-08

申请人： Seheon Kim ,  Axel Scherer ,  Jingqing Huang ,  Dong Yoon Oh

发明人： Seheon Kim ,  Axel Scherer ,  Jingqing Huang ,  Dong Yoon Oh

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02F1/01708 ,  G02F2202/32 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/3412

摘要： A method of etching active quantum nanostructures provides the step of laterally etching of an intermediate active quantum nanostructure layer interposed between cladding layers. The lateral etching can be carried out on at least one side of the intermediate active quantum nanostructure layer selectively, with respect to the cladding layers to define at least one lateral recess or spacing in the intermediate active quantum nanostructure layer and respective lateral protrusions of cladding layers protruding with respect to the intermediate active quantum nanostructure layer. This method can be applied to create devices including active quantum nanostructures such as, for example, three-dimensional photonic crystals, a photonic crystal double-slab and a photonic crystal laser.

摘要翻译： 蚀刻活性量子纳米结构的方法提供了横向蚀刻介于包层之间的中间活性量子纳米结构层的步骤。 横向蚀刻可以相对于包层选择性地在中间活性量子纳米结构层的至少一侧进行，以限定中间有源量子纳米结构层中的至少一个横向凹槽或间隔，并且包覆层的相应侧向突起 相对于中间活性量子纳米结构层突出。 该方法可以应用于产生包括有源量子纳米结构的器件，例如三维光子晶体，光子晶体双板和光子晶体激光器。