公开(公告)号：US6117770A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US169281

申请日：1998-10-08

申请人： Shekhar Pramanick ,  Dirk Brown ,  John A. Iacoponi ,  Christy Mei-Chu Woo

发明人： Shekhar Pramanick ,  Dirk Brown ,  John A. Iacoponi ,  Christy Mei-Chu Woo

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002

摘要： A method for implanting copper conductive layers in channel or via openings with alloying elements, such as magnesium, boron, tin, and zirconium. The implantation is performed after conductive layer chemical-mechanical-polishing (CMP) using a surface barrier layer as an implant barrier. With the surface barrier layer being removed by barrier layer CMP, this allows directed, heavy implantation of the conductive layer with the alloying elements.

摘要翻译： 在具有合金元素如镁，硼，锡和锆的通道或通孔中注入铜导电层的方法。 在使用表面阻挡层作为植入物屏障的导电层化学机械抛光（CMP）之后进行注入。 通过阻挡层CMP去除表面阻挡层，这允许导电层与合金元素的有针对重的注入。

公开(公告)号：US6147404A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US317813

申请日：1999-05-24

申请人： Shekhar Pramanick ,  Dirk Brown ,  John A. Iacoponi

发明人： Shekhar Pramanick ,  Dirk Brown ,  John A. Iacoponi

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76873 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915

摘要： An integrated circuit and a method for manufacturing therefor is provided in which a partial dual damascene deposition is performed to place a barrier, seed, and conductive layer in most of a via between two interconnect channels and then capping the via with a further barrier, seed, conductive layer to prevent electromigration between an interconnect channel and the via.

摘要翻译： 提供了一种集成电路及其制造方法，其中执行部分双镶嵌沉积以将屏障，晶种和导电层放置在两个互连通道之间的通孔的大部分中，然后用另外的阻挡物，种子 导电层，以防止互连通道和通孔之间的电迁移。

公开(公告)号：US06239021B1

公开(公告)日：2001-05-29

申请号：US09655110

申请日：2000-09-05

申请人： Shekhar Pramanick ,  Dirk Brown ,  John A. Iacoponi

发明人： Shekhar Pramanick ,  Dirk Brown ,  John A. Iacoponi

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76873 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit and a method for manufacturing therefor is provided in which a partial dual damascene deposition is performed to place a barrier, seed, and conductive layer in most of a via between two interconnect channels and then capping the via with a further barrier, seed, conductive layer to prevent electromigration between an interconnect channel and the via.

摘要翻译： 提供了一种集成电路及其制造方法，其中执行部分双镶嵌沉积以将屏障，晶种和导电层放置在两个互连通道之间的通孔的大部分中，然后用另外的阻挡物，种子 导电层，以防止互连通道和通孔之间的电迁移。

公开(公告)号：US6103085A

公开(公告)日：2000-08-15

申请号：US205584

申请日：1998-12-04

申请人： Christy Mei-Chu Woo ,  John A. Iacoponi ,  Kai Yang

发明人： Christy Mei-Chu Woo ,  John A. Iacoponi ,  Kai Yang

IPC分类号： C25D5/08 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  H01L21/288 ,  C25D5/04

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D17/001 ,  C25D17/008 ,  C25D5/08

摘要： Workpieces, such as semiconductor wafers, are electroplated with improved thickness uniformity by providing a diffuser member intermediate the cathode and anode of a fountain-type electroplating apparatus. The diffuser or member has a pattern of openings specifically designed to prevent channeling and/or selective directing of electrolyte towards the workpiece. In one embodiment, the diffuser member comprises a spiral-shaped pattern of openings originating at the center of the diffuser member and extending to the periphery thereof.

摘要翻译： 通过在喷泉型电镀设备的阴极和阳极之间设置扩散件，电工工件（例如半导体晶片）电镀具有改进的厚度均匀性。 扩散器或构件具有专门设计成防止电解液向工件的引导和/或选择性引导的开口图案。 在一个实施例中，扩散器构件包括源自扩散器构件的中心并延伸到其周边的开口的螺旋形图案。

公开(公告)号：US06362526B1

公开(公告)日：2002-03-26

申请号：US09169277

申请日：1998-10-08

申请人： Shekhar Pramanick ,  John A. Iacoponi

发明人： Shekhar Pramanick ,  John A. Iacoponi

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor barrier layer and manufacturing method therefor for copper interconnects which is a tantalum-titanium, tantalum-titanium nitride, tantalum-titanium sandwich. The tantalum in the tantalum-titanium alloy bonds strongly with the semiconductor dielectric, the tantalum-titanium nitride acts as the barrier to prevent diffusion of copper, and the titanium bonds strongly with the copper.

摘要翻译： 一种用于铜互连的半导体阻挡层及其制造方法，其为钽钛，钽 - 氮化钛，钽 - 钛三明治。 钽 - 钛合金中的钽与半导体电介质牢固地结合，钽 - 氮化钛作为屏障阻止铜的扩散，钛与铜强烈结合。

公开(公告)号：US06344691B1

公开(公告)日：2002-02-05

申请号：US09664863

申请日：2000-09-19

申请人： John A. Iacoponi ,  Shekhar Pramanick

发明人： John A. Iacoponi ,  Shekhar Pramanick

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is provided with a tantalum layer to line the channels and vias of a semiconductor, a tungsten nitride layer at a low temperature on the tantalum layer, and a copper conductor layer on the tungsten nitride layer. The tungsten nitride acts as a highly efficient copper barrier material with high resistivity while the tantalum layer acts as a conductive barrier material to reduce the overall resistance of the barrier layer.

摘要翻译： 半导体器件设置有钽层，以在钽层上对半导体的通道和通孔，低温下的氮化钨层和氮化钨层上的铜导体层进行排列。 氮化钨作为具有高电阻率的高效铜阻挡材料，而钽层用作导电阻挡材料，以降低阻挡层的整体电阻。

公开(公告)号：US6150268A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US186781

申请日：1998-11-04

申请人： John A. Iacoponi ,  Shekhar Pramanick

发明人： John A. Iacoponi ,  Shekhar Pramanick

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002

摘要： A method is provided for manufacturing a semiconductor device by: depositing a tantalum layer to line the channels and vias of a semiconductor; depositing a tungsten nitride layer at a low temperature on the tantalum layer; and depositing a copper conductor layer on the tungsten nitride layer. The tungsten nitride acts as a highly efficient copper barrier material with high resistivity while the tantalum layer acts as a conductive barrier material to reduce the overall resistance of the barrier layer.

摘要翻译： 提供一种用于制造半导体器件的方法，即：沉积钽层以对半导体的沟道和通孔进行排列; 在钽层上沉积低温氮化钨层; 以及在所述氮化钨层上沉积铜导体层。 氮化钨作为具有高电阻率的高效铜阻挡材料，而钽层用作导电阻挡材料以降低阻挡层的整体电阻。

公开(公告)号：US06261946B1

公开(公告)日：2001-07-17

申请号：US09227068

申请日：1999-01-05

申请人： John A. Iacoponi ,  Dirk Brown ,  Takeshi Nogami

发明人： John A. Iacoponi ,  Dirk Brown ,  Takeshi Nogami

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/76876 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： A method is provided for forming seed layers in a channel or via by applying a high bias to the material of the seed layer during deposition. This sputters off the seed layer overhang in order to reduce the electrical resistance of the seed layer, maintain its barrier effectiveness and enhance the subsequent filling of the channel or via by conductive materials.

摘要翻译： 提供了一种用于在沉积期间通过在种子层的材料施加高偏压而在通道或通孔中形成种子层的方法。 为了降低种子层的电阻，保持其屏障效能，并且通过导电材料增强随后的通道或通孔的填充，这种材料从种子层突出部分喷出。

公开(公告)号：US06228754B1

公开(公告)日：2001-05-08

申请号：US09225661

申请日：1999-01-05

申请人： John A. Iacoponi ,  Dirk Brown ,  Takeshi Nogami

发明人： John A. Iacoponi ,  Dirk Brown ,  Takeshi Nogami

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/76871 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865

摘要： A method is provided for forming seed layers in semiconductor device channels or vias by using an inert gas sputter etching technique. The technique etches back the seed layers which results in a reduction of seed layer overhang at the top of the channels or vias, thereby enhancing the subsequent filling of the channel or vias by conductive materials.

摘要翻译： 提供了一种通过使用惰性气体溅射蚀刻技术在半导体器件通道或通孔中形成种子层的方法。 这种技术可以消除种子层，导致通道或通孔顶部的种子层突出部分的减少，从而通过导电材料增强随后的通道或通孔的填充。

公开(公告)号：US6146993A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US198061

申请日：1998-11-23

申请人： Dirk Brown ,  John A. Iacoponi

发明人： Dirk Brown ,  John A. Iacoponi

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/76843

摘要： A method is provided for forming barrier layers in channel or via openings of semiconductors by using in-situ nitriding of barrier metals (Ta, Ti, or W) after they have been deposited in channel and via openings which will allow better control of the barrier metal/barrier material (Ta/TaN, Ti/TiN, or W/WN) composition, eliminate particle problems, and avoiding target poisoning.

摘要翻译： 提供了一种用于在半导体的沟道或通孔开口中形成阻挡层的方法，其中在阻挡金属（Ta，Ti或W）沉积在通道和通路开口中之后通过使用屏障金属（Ta，Ti或W）的原位氮化，这将允许更好地控制屏障 金属/阻隔材料（Ta / TaN，Ti / TiN或W / WN）组合物，消除颗粒问题，避免目标中毒。