公开(公告)号：US20080061030A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11531590

申请日：2006-09-13

申请人： Sheng-Chieh Liu ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Yuan-Bang Lee ,  U. H. Lin

发明人： Sheng-Chieh Liu ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Yuan-Bang Lee ,  U. H. Lin

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： A method of patterning an indium tin oxide film includes the steps of forming a cap layer over the indium tin oxide film and subjecting exposed areas of the indium tin oxide film to a water plasma.

摘要翻译： 图案化氧化铟锡膜的方法包括以下步骤：在氧化铟锡膜上形成覆盖层，并使铟锡氧化物膜的暴露区域成为水等离子体。

公开(公告)号：US20070249137A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11409582

申请日：2006-04-24

申请人： Sheng-Chieh Liu ,  Chia-Hung Kao ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Yuan-Bang Lee

发明人： Sheng-Chieh Liu ,  Chia-Hung Kao ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Yuan-Bang Lee

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/76 ,  H01L21/302

CPC分类号： B81C1/00603

摘要： Disclosed is a method and a system for wafer backside alignment. A zero mark patterning on front side of a substrate. A plurality of layers are deposited on the front side of the substrate. The wafer is flipped over with backside of the substrate facing up, and a through wafer etching is performed from the backside to an etch stop layer deposited over the front side of the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于晶片背面对准的方法和系统。 在基板的正面上形成零标记。 多个层沉积在基板的正面上。 将晶片的背面朝上翻转，从背面到沉积在基板前侧的蚀刻停止层进行贯通晶片蚀刻。

公开(公告)号：US07611960B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11409582

申请日：2006-04-24

申请人： Sheng-Chieh Liu ,  Chia-Hung Kao ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Yuan-Bang Lee

发明人： Sheng-Chieh Liu ,  Chia-Hung Kao ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Yuan-Bang Lee

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： B81C1/00603

摘要： Disclosed is a method and a system for wafer backside alignment. A zero mark patterning on front side of a substrate. A plurality of layers are deposited on the front side of the substrate. The wafer is flipped over with backside of the substrate facing up, and a through wafer etching is performed from the backside to an etch stop layer deposited over the front side of the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于晶片背面对准的方法和系统。 在基板的正面上形成零标记。 多个层沉积在基板的正面上。 将晶片的背面朝上翻转，从背面到沉积在基板前侧的蚀刻停止层进行贯通晶片蚀刻。

公开(公告)号：US20060175290A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11054015

申请日：2005-02-09

申请人： Yuan-Bang Lee ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Chung-Yuan Cheng ,  Sheng-Chieh Liu

发明人： Yuan-Bang Lee ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  Chung-Yuan Cheng ,  Sheng-Chieh Liu

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/302 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01L21/32138 ,  C23F4/00 ,  G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136

摘要： An pure H2O stripping process for etched metal wafers effectively solves the metal corrosion deficiencies induced by O2, N2 plasma charging. The pure H2O plasma stripping releases and neutralizes the storage of positive charge accumulated in the wafer, reduces chlorine concentration, and effectively strips the photoresist and etching residue. Thereby reducing metal corrosion and increases the anti-metal corrosion window. The pure H2O plasma stripping requires no additional equipment and or steps.

摘要翻译： 用于蚀刻的金属晶片的纯H 2 O 2剥离工艺有效地解决了由O 2，N 2等离子体充电引起的金属腐蚀缺陷。 纯H 2 O等离子体剥离释放和中和积聚在晶片中的正电荷的存储，降低氯浓度，并有效地剥离光致抗蚀剂和蚀刻残留物。 从而减少金属腐蚀并增加抗金属腐蚀窗口。 纯H 2 O 3等离子体剥离不需要额外的设备和/或步骤。

公开(公告)号：US20060199393A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11383931

申请日：2006-05-17

申请人： Yuan-Bang Lee ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  U. Lin ,  Yu-Chih Lai ,  De-Fang Chen ,  Pei-Hsuan Lin ,  Shan-Hua Wu ,  Hung-Hsin Liu

发明人： Yuan-Bang Lee ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheng-Liang Pan ,  U. Lin ,  Yu-Chih Lai ,  De-Fang Chen ,  Pei-Hsuan Lin ,  Shan-Hua Wu ,  Hung-Hsin Liu

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01L21/67069

摘要： An in-situ performed method utilizing a pure H2O plasma to remove a layer of resist from a substrate or wafer without substantially accumulating charges thereon. Also, in-situ performed methods utilizing a pure H2O plasma or a pure H2O vapor to release or remove charges from a surface or surfaces of a substrate or wafer that have accumulated during one or more IC fabrication processes.

摘要翻译： 使用纯H 2 O 2等离子体的原位执行方法从衬底或晶片上去除一层抗蚀剂，而基本上不累积电荷。 而且，使用纯H 2 O 2等离子体或纯H 2 O 2蒸气的原位实施方法从基板或晶片的表面或表面释放或去除电荷 其在一个或多个IC制造过程中积累。

公开(公告)号：US20050287814A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11140115

申请日：2005-05-27

申请人： Yuan-Bang Lee ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheug-Liang Pan ,  U. Lin ,  Yu-Chih Lai ,  De-Fang Chen

发明人： Yuan-Bang Lee ,  Tzu-Yang Wu ,  Sheug-Liang Pan ,  U. Lin ,  Yu-Chih Lai ,  De-Fang Chen

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324 ,  H01L21/42 ,  H01L21/461 ,  H01L21/477

CPC分类号： G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069

摘要： An in-situ method of stripping a layer of resist from a substrate or wafer utilizes pure H2O plasma recipe to substantially prevent charges from accumulating on the substrate or wafer during stripping of the layer of resist.

摘要翻译： 从衬底或晶片剥离抗蚀剂层的原位方法利用纯H 2 O 2等离子体配方，以在剥离抗蚀剂层期间基本上防止电荷积聚在衬底或晶片上。

公开(公告)号：US07140512B2

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：US10761628

申请日：2004-01-20

申请人： Yuen-Sheng Hua ,  Chi-Shen Yang ,  Yuan-Bang Lee ,  Ming-Zhe Chiang

发明人： Yuen-Sheng Hua ,  Chi-Shen Yang ,  Yuan-Bang Lee ,  Ming-Zhe Chiang

IPC分类号： B65D51/04

CPC分类号： H01L21/67057 ,  H01L21/67126

摘要： An interlocking lid which is suitable for a wet bench tank used in the processing of semiconductor wafer substrates. The interlocking lid includes a pair of lid panels typically provided with a clasp having elements for engaging and interlocking with each other when the lid panels are in a closed position. At least one of the lids may further include a beveled lid shoulder which facilitates runoff of liquids from and hinders pooling of liquids on the exterior surface of the lid.

摘要翻译： 一种适用于在半导体晶片基板的加工中使用的湿式台架的互锁盖。 互锁盖包括一对盖板，通常设置有当盖板处于关闭位置时具有用于接合和互锁的元件的扣环。 盖子中的至少一个可进一步包括倾斜的盖肩部，其有助于液体从盖的外表面上流出并妨碍液体的流出。

公开(公告)号：US20050155976A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US10761628

申请日：2004-01-20

申请人： Yuen-Sheng Hua ,  Chi-Shen Yang ,  Yuan-Bang Lee ,  Ming-Zhe Chiang

发明人： Yuen-Sheng Hua ,  Chi-Shen Yang ,  Yuan-Bang Lee ,  Ming-Zhe Chiang

IPC分类号： B65D51/04 ,  B65D85/30 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67057 ,  H01L21/67126

摘要： An interlocking lid which is suitable for a wet bench tank used in the processing of semiconductor wafer substrates. The interlocking lid includes a pair of lid panels typically provided with a clasp having elements for engaging and interlocking with each other when the lid panels are in a closed position. At least one of the lids may further include a beveled lid shoulder which facilitates runoff of liquids from and hinders pooling of liquids on the exterior surface of the lid.

摘要翻译： 一种适用于在半导体晶片基板的加工中使用的湿式台架的互锁盖。 互锁盖包括一对盖板，通常设置有当盖板处于关闭位置时具有用于接合和互锁的元件的扣环。 盖子中的至少一个可进一步包括倾斜的盖肩部，其有助于液体从盖的外表面上流出并妨碍液体的流出。