公开(公告)号：US20120168847A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US12982006

申请日：2010-12-30

申请人： Shenqing FANG ,  Tung-Sheng CHEN ,  Chun CHEN

发明人： Shenqing FANG ,  Tung-Sheng CHEN ,  Chun CHEN

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792

摘要： A memory array includes a plurality of bit lines and a plurality of word lines, a gate region, and a charge trapping layer. The charge trapping layer is wider than a word line; the charge trapping layer is extended beyond the edge of the gate region to facilitate capturing and removing charges.

摘要翻译： 存储器阵列包括多个位线和多个字线，栅极区域和电荷俘获层。 电荷捕获层比字线宽; 电荷捕获层延伸超过栅极区域的边缘以便于捕获和去除电荷。

公开(公告)号：US20120181591A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13006339

申请日：2011-01-13

申请人： Chun CHEN ,  Shenqing Fang

发明人： Chun CHEN ,  Shenqing Fang

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833

摘要： An electronic device includes a substrate with a semiconducting surface having a plurality of fin-type projections coextending in a first direction through a memory cell region and select gate regions. The electronic device further includes a dielectric isolation material disposed in spaces between the projections. In the electronic device, the dielectric isolation material in the memory cell regions have a height less than a height of the projections in the memory cell regions, and the dielectric isolation material in the select gate regions have a height greater than or equal to than a height of the projections in the select gate regions. The electronic device further includes gate features disposed on the substrate within the memory cell region and the select gate regions over the projections and the dielectric isolation material, where the gate features coextend in a second direction transverse to the first direction.

摘要翻译： 一种电子器件包括具有半导体表面的衬底，具有通过存储单元区域和选择栅极区域沿第一方向共同延伸的多个鳍式突起。 电子设备还包括设置在突起之间的空间中的电介质隔离材料。 在电子设备中，存储单元区域中的介质隔离材料的高度小于存储单元区域中的突起的高度，并且选择栅极区域中的介电隔离材料的高度大于或等于 突起在选择栅极区域的高度。 电子设备还包括设置在存储单元区域内的衬底上的栅极特征以及突出部分和介电隔离材料上的选择栅极区域，其中栅极特征在横向于第一方向的第二方向上共同延伸。

公开(公告)号：US20120181601A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13428848

申请日：2012-03-23

申请人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

发明人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating a semiconductor memory cell that has a spacer layer are disclosed. A method includes forming a plurality of source/drain regions in a substrate where the plurality of source/drain regions are formed between trenches, forming a first oxide layer above the plurality of source/drain regions and in the trenches, forming a charge storage layer above the oxide layer and separating the charge storage layer in the trenches where a space is formed between separated portions of the charge storage layer. The method further includes forming a spacer layer to fill the space between the separated portions of the charge storage layer and to rise a predetermined distance above the space. A second oxide layer is formed above the charge storage layer and the spacer layer and a polysilicon layer is formed above the second oxide layer.

摘要翻译： 公开了制造具有间隔层的半导体存储单元的方法。 一种方法包括在衬底中形成多个源极/漏极区域，其中多个源极/漏极区域形成在沟槽之间，在多个源极/漏极区域上方和沟槽中形成第一氧化物层，形成电荷存储层 在电荷存储层的分离部分之间，在形成空间的沟槽中分离电荷存储层。 该方法还包括形成间隔层以填充电荷存储层的分离部分之间的空间并在空间上方上升预定距离。 在电荷存储层和间隔层上方形成第二氧化物层，并且在第二氧化物层上方形成多晶硅层。

公开(公告)号：US20110233647A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12891310

申请日：2010-09-27

申请人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

发明人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating a semiconductor memory cell that has a spacer layer are disclosed. A method includes forming a plurality of source/drain regions in a substrate where the plurality of source/drain regions are formed between trenches, forming a first oxide layer above the plurality of source/drain regions and in the trenches, forming a charge storage layer above the oxide layer and separating the charge storage layer in the trenches where a space is formed between separated portions of the charge storage layer. The method further includes forming a spacer layer to fill the space between the separated portions of the charge storage layer and to rise a predetermined distance above the space. A second oxide layer is formed above the charge storage layer and the spacer layer and a polysilicon layer is formed above the second oxide layer.

摘要翻译： 公开了制造具有间隔层的半导体存储单元的方法。 一种方法包括在衬底中形成多个源极/漏极区域，其中多个源极/漏极区域形成在沟槽之间，在多个源极/漏极区域上方和沟槽中形成第一氧化物层，形成电荷存储层 在电荷存储层的分离部分之间，在形成空间的沟槽中分离电荷存储层。 该方法还包括形成间隔层以填充电荷存储层的分离部分之间的空间并在空间上方上升预定距离。 在电荷存储层和间隔层上方形成第二氧化物层，并且在第二氧化物层上方形成多晶硅层。

公开(公告)号：US20130244202A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13420022

申请日：2012-03-14

申请人： Chun CHEN

发明人： Chun CHEN

IPC分类号： A61C8/00 ,  A61C3/02

CPC分类号： A61C8/0022 ,  A61C3/02 ,  A61C8/0089

摘要： A quick dental implant kit includes a fixture having an upper fine thread portion, a lower coarse thread portion and a diameter gradually reducing in direction from the top side toward the bottom side and exhibiting a long arc-shaped contour, and a drill bit having a shank connectable to and rotatable by a dental handpiece and a stepped cutter body formed integral with the bottom end of the shank and defining a plurality of stepped cutting edges for drilling a stepped hole in a jawbone of a patient for the implant of the fixture. Each stepped cutting edge defines at least five steps and at least four risers alternatively connected in a longitudinal series to fit the long arc-shaped contour of the fixture.

摘要翻译： 快速牙种植体套件包括具有上细细部分，下粗粗部分和从顶侧朝向底侧逐渐减小的直径并具有长弧形轮廓的直径的固定装置，以及具有 柄可通过牙科手持件和与刀柄的底端形成一体形成的台阶式切割器主体并且可旋转，并且限定多个阶梯式切割刃，用于在患者的颚骨中钻出用于植入固定器的颚骨的阶梯孔。 每个阶梯式切割边缘至少限定五个台阶，并且至少四个立管交替地以纵向系列连接以配合固定装置的长弧形轮廓。

公开(公告)号：US20120139023A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12960411

申请日：2010-12-03

申请人： Chun CHEN ,  Angela T. Hui ,  Fei Wang

发明人： Chun CHEN ,  Angela T. Hui ,  Fei Wang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  G06F17/50

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/792

摘要： A method and apparatus for a flash memory is provided. A NAND flash memory array includes a cell body, a first selective gate, and a first edge line. The cell body includes recessed doped source/drain region between the first selective gate and the first edge word line.

摘要翻译： 提供了一种用于闪速存储器的方法和装置。 NAND闪存阵列包括单元体，第一选择栅极和第一边缘线。 电池体包括在第一选择栅极和第一边缘字线之间的凹入的掺杂源极/漏极区域。