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    Light-emitting diode
    1.
    发明申请
    Light-emitting diode 有权
    发光二极管

    公开(公告)号：US20050205875A1

    公开(公告)日：2005-09-22

    申请号：US10917928

    申请日：2004-08-13

    申请人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    发明人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/42

    摘要： A light-emitting diode (LED) is described. The light-emitting diode comprises a metal substrate, a reflective layer, a first transparent conductive layer, an illuminant epitaxial structure and a second transparent conductive layer stacked in sequence, and an electrode located on a portion of the second transparent conductive layer. A thickness of the metal substrate is between 30 μm and 150 μm. In addition, the light-emitting diode can further comprises a supporting substrate and an adhesive layer. The adhesive layer is located between the supporting substrate and the metal substrate to adhere the supporting substrate onto the metal substrate.

    摘要翻译： 描述了发光二极管（LED）。 发光二极管包括金属基板，反射层，第一透明导电层，发光体外延结构和依次层叠的第二透明导电层，以及位于第二透明导电层的一部分上的电极。 金属基板的厚度在30μm到150μm之间。 此外，发光二极管还可以包括支撑衬底和粘合剂层。 粘合剂层位于支撑基板和金属基板之间，以将支撑基板粘附到金属基板上。

    Light-emitting diode
    2.
    发明授权
    Light-emitting diode 有权
    发光二极管

    公开(公告)号：US07115915B2

    公开(公告)日：2006-10-03

    申请号：US10917928

    申请日：2004-08-13

    申请人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    发明人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/42

    摘要： A light-emitting diode (LED) is described. The light-emitting diode comprises a metal substrate, a reflective layer, a first transparent conductive layer, an illuminant epitaxial structure and a second transparent conductive layer stacked in sequence, and an electrode located on a portion of the second transparent conductive layer. A thickness of the metal substrate is between 30 μm and 150 μm. In addition, the light-emitting diode can further comprises a supporting substrate and an adhesive layer. The adhesive layer is located between the supporting substrate and the metal substrate to adhere the supporting substrate onto the metal substrate.

    摘要翻译： 描述了发光二极管（LED）。 发光二极管包括金属基板，反射层，第一透明导电层，发光体外延结构和依次层叠的第二透明导电层，以及位于第二透明导电层的一部分上的电极。 金属基板的厚度在30μm到150μm之间。 此外，发光二极管还可以包括支撑衬底和粘合剂层。 粘合剂层位于支撑基板和金属基板之间，以将支撑基板粘附到金属基板上。

    Method for manufacturing light-emitting diode
    3.
    发明授权
    Method for manufacturing light-emitting diode 有权
    制造发光二极管的方法

    公开(公告)号：US07253013B2

    公开(公告)日：2007-08-07

    申请号：US10960616

    申请日：2004-10-06

    申请人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    发明人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/42

    摘要： A method for manufacturing a light-emitting diode (LED) is described. The method comprises: providing a temporary substrate; forming an illuminant epitaxial structure on the temporary substrate; forming a first transparent conductive layer on the illuminant epitaxial structure; forming a metal substrate on the first transparent conductive layer; forming an adhesion layer on the metal substrate; providing a supporting substrate, wherein the supporting substrate is connected to the metal substrate by the adhesion layer; removing the temporary substrate, so as to expose a surface of the illuminant epitaxial structure; forming a second transparent conductive layer on the exposed surface of the illuminant epitaxial structure; and forming an electrode on a portion of the second transparent conductive layer.

    摘要翻译： 对发光二极管（LED）的制造方法进行说明。 该方法包括：提供临时衬底; 在所述临时衬底上形成发光体外延结构; 在所述发光体外延结构上形成第一透明导电层; 在所述第一透明导电层上形成金属基板; 在所述金属基板上形成粘合层; 提供支撑衬底，其中所述支撑衬底通过所述粘附层连接到所述金属衬底; 去除所述临时衬底，以暴露所述光源外延结构的表面; 在所述光源外延结构的所述暴露表面上形成第二透明导电层; 以及在所述第二透明导电层的一部分上形成电极。

    Method for manufacturing light-emitting diode
    4.
    发明申请
    Method for manufacturing light-emitting diode 有权
    制造发光二极管的方法

    公开(公告)号：US20050208691A1

    公开(公告)日：2005-09-22

    申请号：US10960616

    申请日：2004-10-06

    申请人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    发明人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

    IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/42

    摘要： A method for manufacturing a light-emitting diode (LED) is described. The method comprises: providing a temporary substrate; forming an illuminant epitaxial structure on the temporary substrate; forming a first transparent conductive layer on the illuminant epitaxial structure; forming a metal substrate on the first transparent conductive layer; forming an adhesion layer on the metal substrate; providing a supporting substrate, wherein the supporting substrate is connected to the metal substrate by the adhesion layer; removing the temporary substrate, so as to expose a surface of the illuminant epitaxial structure; forming a second transparent conductive layer on the exexposed surface of the illuminant epitaxial structure; and forming an electrode on a portion of the second transparent conductive layer.

    摘要翻译： 对发光二极管（LED）的制造方法进行说明。 该方法包括：提供临时衬底; 在所述临时衬底上形成发光体外延结构; 在所述发光体外延结构上形成第一透明导电层; 在所述第一透明导电层上形成金属基板; 在所述金属基板上形成粘合层; 提供支撑衬底，其中所述支撑衬底通过所述粘附层连接到所述金属衬底; 去除所述临时衬底，以暴露所述光源外延结构的表面; 在所述光源外延结构的所述外露表面上形成第二透明导电层; 以及在所述第二透明导电层的一部分上形成电极。

    Light-emitting device
    5.
    发明授权
    Light-emitting device 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US08823039B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13459342

    申请日：2012-04-30

    申请人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    发明人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    IPC分类号： H01L33/62

    CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

    摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a light-emitting stack having an upper surface and a lower surface; a pad, arranged on the upper surface, comprising: a first bonding region; and a second bonding region physically connected to the first bonding region through a connecting region having a connecting width; a first electrode connected to the first bonding region; a second electrode connected to the second bonding region; and a third electrode extending from the pad and arranged between the first electrode and the second electrode. At least one of the first electrode, the second electrode, and the third electrode has a width smaller than the connecting width.

    摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括：具有上表面和下表面的发光叠层; 布置在所述上​​表面上的垫，包括：第一接合区域; 以及通过具有连接宽度的连接区域物理地连接到所述第一接合区域的第二接合区域; 连接到所述第一接合区域的第一电极; 连接到所述第二接合区域的第二电极; 以及从所述焊盘延伸并且布置在所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极。 第一电极，第二电极和第三电极中的至少一个具有小于连接宽度的宽度。

    LIGHT-EMITTING DEVICE
    6.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DEVICE 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US20120211794A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：US13459342

    申请日：2012-04-30

    申请人： Chien-Fu SHEN ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    发明人： Chien-Fu SHEN ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    IPC分类号： H01L33/62

    CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

    摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a light-emitting stack having an upper surface and a lower surface; a pad, arranged on the upper surface, comprising: a first bonding region; and a second bonding region physically connected to the first bonding region through a connecting region having a connecting width; a first electrode connected to the first bonding region; a second electrode connected to the second bonding region; and a third electrode extending from the pad and arranged between the first electrode and the second electrode. At least one of the first electrode, the second electrode, and the third electrode has a width smaller than the connecting width.

    摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括：具有上表面和下表面的发光叠层; 布置在所述上​​表面上的垫，包括：第一接合区域; 以及通过具有连接宽度的连接区域物理地连接到所述第一接合区域的第二接合区域; 连接到所述第一接合区域的第一电极; 连接到所述第二接合区域的第二电极; 以及从所述焊盘延伸并且布置在所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极。 第一电极，第二电极和第三电极中的至少一个具有小于连接宽度的宽度。

    Light-emitting device
    7.
    发明申请
    Light-emitting device 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US20090140280A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：US12292593

    申请日：2008-11-21

    申请人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    发明人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

    摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104 μm and 6.2×104 μm.

    摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一垫和第二垫中的至少一个的面积在1.5×10 4 mum到6.2×10 4 m之间。

    Light-emitting device
    8.
    发明授权
    Light-emitting device 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US08188505B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12292593

    申请日：2008-11-21

    申请人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    发明人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

    摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104μm2 and 6.2×104 μm2.

    摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一焊盘和第二焊盘中的至少一个的面积在1.5×104μm2和​​6.2×104μm2之间。