公开(公告)号：US20120142142A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13310342

申请日：2011-12-02

申请人： Shih-Pang CHANG ,  Hung-Chi YANG ,  Yu-Jiun SHEN

发明人： Shih-Pang CHANG ,  Hung-Chi YANG ,  Yu-Jiun SHEN

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0079

摘要： A method of manufacturing a semiconductor structure is disclosed, which includes providing a substrate comprising a bottom surface and a growth surface opposite to the bottom surface; forming a buffer layer comprising a first surface which is not a C-plane substantially parallel with the bottom surface on the growth surface; forming a semiconductor structure on the buffer layer; forming at least one cavity in the buffer layer; extending the cavity along a main extending direction; separating the substrate and the semiconductor structure; wherein the main extending direction is substantially not parallel with the normal direction of the first surface.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体结构的方法，其包括提供包括底表面和与底表面相对的生长表面的基底; 形成缓冲层，所述缓冲层包括第一表面，所述第一表面不是与生长表面上的底表面基本平行的C平面; 在缓冲层上形成半导体结构; 在所述缓冲层中形成至少一个空腔; 沿着主延伸方向延伸空腔; 分离衬底和半导体结构; 其中所述主延伸方向基本上不与所述第一表面的法线方向平行。

公开(公告)号：US20120007042A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13179030

申请日：2011-07-08

申请人： Min-Hsun HSIEH ,  Hung-Chih YANG ,  Ta-Cheng HSU ,  Shih-Chang LEE ,  Sheng-Horng YEN ,  Yung-Hsiang LIN ,  Shih-Pang CHANG

发明人： Min-Hsun HSIEH ,  Hung-Chih YANG ,  Ta-Cheng HSU ,  Shih-Chang LEE ,  Sheng-Horng YEN ,  Yung-Hsiang LIN ,  Shih-Pang CHANG

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0041

摘要： A light emitting device comprising a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and a quantum well layer, wherein the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are disposed on the opposite sides of the quantum well layer, the quantum well layer comprising a plurality of quantum well rods which are separated from each other, and each of the quantum well rods has only one quantum well.

摘要翻译： 一种发光器件，包括第一半导体层，第二半导体层和量子阱层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层设置在所述量子阱层的相对侧上，所述量子阱层包括多个 彼此分离的量子阱棒，并且每个量子阱棒仅具有一个量子阱。

公开(公告)号：US20100166033A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12347392

申请日：2008-12-31

申请人： Ming-Ta CHIN ,  Kuo-Feng HUANG ,  Ping-Fei SHEN ,  Ching-Jen WANG ,  Shih-Pang CHANG

发明人： Ming-Ta CHIN ,  Kuo-Feng HUANG ,  Ping-Fei SHEN ,  Ching-Jen WANG ,  Shih-Pang CHANG

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3407

摘要： A semiconductor light-emitting device includes a substrate, a first cladding layer over the substrate, an active region on the first cladding layer, and a second cladding layer on the active region, wherein the active region includes a first type barrier layer that is doped and a second type barrier layer that is undoped, the first type barrier layer being closer to the first cladding layer than the second type barrier layer.

摘要翻译： 一种半导体发光器件，包括：衬底，衬底上的第一覆层，第一覆层上的有源区和有源区上的第二覆层，其中有源区包括掺杂的第一类阻挡层 以及不掺杂的第二类型阻挡层，所述第一类型阻挡层比所述第二类型阻挡层更靠近所述第一包覆层。