公开(公告)号：US20090273589A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12223394

申请日：2006-12-26

申请人： Motohiko Asano ,  Shinji Takasugi ,  Keigo Kanoh ,  Daisuke Ota ,  Taro Hasumi ,  Hiromitsu Ogawa ,  Shinichi Abe

发明人： Motohiko Asano ,  Shinji Takasugi ,  Keigo Kanoh ,  Daisuke Ota ,  Taro Hasumi ,  Hiromitsu Ogawa ,  Shinichi Abe

IPC分类号： H01L51/50 ,  G09G5/00

CPC分类号： H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/566

摘要： An EL device includes a substrate having a square shape, an element-forming region provided on an upper surface of the substrate and having organic light-emitting elements, a protruding section arranged in a region between the element-forming region and an end portion of the substrate, and a protection film deposited in a region extending from the element-forming region to the end portion of the substrate and disposed so as to cover the protruding section. The protruding section is disposed in a substantially strip-like shape along at least two of four sides of the substrate.

摘要翻译： EL器件包括具有正方形的衬底，设置在衬底的上表面上并具有有机发光元件的元件形成区域，突出部分布置在元件形成区域和元件形成区域的端部之间的区域中 所述基板和保护膜沉积在从所述元件形成区延伸到所述基板的所述端部的区域中并且被设置成覆盖所述突出部。 突出部分沿着基板的四个侧面中的至少两个侧面设置成基本上带状的形状。

公开(公告)号：US08053983B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US11976612

申请日：2007-10-25

申请人： Shinichi Abe ,  Motohiko Asano ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Shinichi Abe ,  Motohiko Asano ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J63/04

CPC分类号： H01L51/5253 ,  H01L51/524

摘要： An organic EL display comprises an element substrate, an organic EL element formed on the element substrate, comprising an organic layer including a light emitting layer and a pair of electrode layers disposed on both sides of the organic layer. The organic layer comprises a first organic material. The organic EL display further comprises a capping layer comprising a second organic material having a glass transition point lower than one of the first organic material and a protective layer on the capping layer.

摘要翻译： 有机EL显示器包括元件基板，形成在元件基板上的有机EL元件，包括包含发光层的有机层和设置在有机层两侧的一对电极层。 有机层包含第一有机材料。 有机EL显示器还包括覆盖层，其包含玻璃化转变点低于第一有机材料中的一个的第二有机材料和覆盖层上的保护层。

公开(公告)号：US20080129194A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11976612

申请日：2007-10-25

申请人： Shinichi Abe ,  Motohiko Asano ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Shinichi Abe ,  Motohiko Asano ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L51/54 ,  C09K11/02

CPC分类号： H01L51/5253 ,  H01L51/524

摘要： An organic EL display comprises an element substrate, an organic EL element formed on the element substrate, comprising an organic layer including a light emitting layer and a pair of electrode layers disposed on both sides of the organic layer. The organic layer comprises a first organic material. The organic EL display further comprises a capping layer comprising a second organic material having a glass transition point lower than one of the first organic material and a protective layer on the capping layer.

摘要翻译： 有机EL显示器包括元件基板，形成在元件基板上的有机EL元件，包括包含发光层的有机层和设置在有机层两侧的一对电极层。 有机层包含第一有机材料。 有机EL显示器还包括覆盖层，其包含玻璃化转变点低于第一有机材料中的一个的第二有机材料和覆盖层上的保护层。

公开(公告)号：US20140127851A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14129684

申请日：2012-06-18

申请人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

发明人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for producing a semiconductor layer and for producing a photoelectric conversion device, semiconductor raw material are disclosed. An embodiment of the method for producing a semiconductor layer includes: forming a film containing a metal element and an oxygen element; generating oxygen gas by heating the film; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the film by allowing the metal element to react with a chalcogen element. Another embodiment of the method includes forming a lower film containing a metal element; forming an upper film, which contains the metal element and a substance that contains oxygen, on the lower film; generating oxygen gas by heating the substance; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the lower film and the upper film by allowing a chalcogen element to react with the metal element in the lower film and the upper film.

摘要翻译： 公开了半导体层的制造方法和光电转换装置的制造方法。 制造半导体层的方法的一个实施例包括：形成含有金属元素和氧元素的膜; 通过加热膜产生氧气; 以及通过使所述金属元素与硫属元素反应从所述膜形成含有金属硫族化物的半导体层。 该方法的另一实施例包括形成含有金属元素的下膜; 在下膜上形成含有金属元素和含有氧的物质的上膜; 通过加热物质产生氧气; 以及通过使硫属元素与下膜和上膜中的金属元素反应，从下膜和上膜形成含有金属硫族化物的半导体层。

公开(公告)号：US09287434B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US14129684

申请日：2012-06-18

申请人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

发明人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for producing a semiconductor layer and for producing a photoelectric conversion device, semiconductor raw material are disclosed. An embodiment of the method for producing a semiconductor layer includes: forming a film containing a metal element and an oxygen element; generating oxygen gas by heating the film; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the film by allowing the metal element to react with a chalcogen element. Another embodiment of the method includes forming a lower film containing a metal element; forming an upper film, which contains the metal element and a substance that contains oxygen, on the lower film; generating oxygen gas by heating the substance; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the lower film and the upper film by allowing a chalcogen element to react with the metal element in the lower film and the upper film.

摘要翻译： 公开了半导体层的制造方法和光电转换装置的制造方法。 制造半导体层的方法的一个实施例包括：形成含有金属元素和氧元素的膜; 通过加热膜产生氧气; 以及通过使所述金属元素与硫属元素反应从所述膜形成含有金属硫族化物的半导体层。 该方法的另一实施例包括形成含有金属元素的下膜; 在下膜上形成含有金属元素和含有氧的物质的上膜; 通过加热物质产生氧气; 以及通过使硫属元素与下膜和上膜中的金属元素反应，从下膜和上膜形成含有金属硫族化物的半导体层。

公开(公告)号：US20120319244A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13575916

申请日：2011-01-25

申请人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a semiconductor layer according to an embodiment of the present invention comprises preparing a first compound, preparing a second compound, making a semiconductor layer forming solution, and forming a semiconductor layer including a group compound by using this semiconductor layer forming solution. The first compound contains a first chalcogen-element-containing organic compound, a first Lewis base, a I-B group element, and a first III-B group element. The second compound contains an organic ligand and a second III-B group element. The semiconductor layer forming solution contains the first compound, the second compound, and an organic solvent.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案的半导体层的制造方法包括通过使用该半导体层形成溶液制备第一化合物，制备第二化合物，制备半导体层形成溶液，以及形成包含基团化合物的半导体层。 第一化合物含有第一含硫族元素的有机化合物，第一路易斯碱，I-B族元素和第一III-B族元素。 第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。 半导体层形成溶液含有第一化合物，第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：US20140345693A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14345221

申请日：2012-08-17

申请人： Hideaki Asao ,  Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Yusuke Miyamichi ,  Tatsuya Domoto ,  Keizo Takeda ,  Kazuki Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Hideaki Asao ,  Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Yusuke Miyamichi ,  Tatsuya Domoto ,  Keizo Takeda ,  Kazuki Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photoelectric conversion device and a method for producing a photoelectric conversion device are disclosed. The photoelectric conversion device includes a light-absorbing layer. The light-absorbing layer contains a chalcopyrite-based compound, and has a peak intensity ratio IB/IA in a range of 3 to 9, where IA represents a peak intensity of the peak formed by combining a peak of a (220) plane and a peak of a (204) plane in X-ray diffraction, and IB represents a peak intensity of a (112) plane.

摘要翻译： 公开了光电转换装置和光电转换装置的制造方法。 光电转换装置包括光吸收层。 光吸收层含有基于黄铜矿的化合物，其峰强度比IB / IA在3至9的范围内，其中IA表示通过组合（220）面的峰和 X射线衍射中的（204）面的峰，IB表示（112）面的峰强度。

公开(公告)号：US06304470B1

公开(公告)日：2001-10-16

申请号：US09582079

申请日：2000-07-17

申请人： Tomiyasu Isago ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Tomiyasu Isago ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H02M700

CPC分类号： B01J23/04 ,  H02J1/108

摘要： In a power supply device supplying, in parallel, power from a plurality of DC/DC converters to a common load, there is provided an output compensation circuit which is provided on an output side of each of the DC/DC converters and compensates for an output voltage drop due to a voltage drop developing across a diode for parallel operation.

摘要翻译： 在从多个DC / DC转换器向公共负载并联供电的电源装置中，设置有输出补偿电路，其设置在每个DC / DC转换器的输出侧，并补偿 由于在并联运行的二极管上产生的电压降引起的输出电压降。