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    Vacuum device having a getter
    2.
    发明授权
    Vacuum device having a getter 有权
    具有吸气剂的真空装置

    公开(公告)号：US07045958B2

    公开(公告)日：2006-05-16

    申请号：US10413048

    申请日：2003-04-14

    申请人： Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen ,  John Liebeskind ,  Ronald L. Enck ,  Jennifer Shih

    发明人： Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen ,  John Liebeskind ,  Ronald L. Enck ,  Jennifer Shih

    IPC分类号： H01J17/24 ,  H01J19/70 ,  H01J61/26

    CPC分类号： H01J7/186 ,  F04B37/02 ,  H01J19/70

    摘要： A vacuum device, including a substrate and a support structure having a support perimeter, where the support structure is disposed over the substrate. In addition, the vacuum device also includes a non-evaporable getter layer having an exposed surface area. The non-evaporable getter layer is disposed over the support structure, and extends beyond the support perimeter, in at least one direction, of the support structure forming a vacuum gap between the substrate and the non-evaporable getter layer increasing the exposed surface area.

    摘要翻译： 一种真空装置，包括基底和具有支撑周边的支撑结构，其中所述支撑结构设置在所述基底上。 此外，真空装置还包括具有暴露表面积的不可蒸发的吸气剂层。 不可蒸发的吸气剂层设置在支撑结构上方，并且在支撑结构的至少一个方向上延伸超过支撑周边，所述支撑结构在衬底和非蒸发性吸气剂层之间形成真空间隙，增加暴露的表面积。

    Reduced feature-size memory devices and methods for fabricating the same
    3.
    发明申请
    Reduced feature-size memory devices and methods for fabricating the same 审中-公开
    减少功能尺寸的存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20060019497A1

    公开(公告)日：2006-01-26

    申请号：US10897178

    申请日：2004-07-22

    申请人： Zhizhang Chen ,  Sriram Ramamoorthi ,  Hang Liao

    发明人： Zhizhang Chen ,  Sriram Ramamoorthi ,  Hang Liao

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/0338 ,  G11C11/22 ,  H01L21/3088 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

    摘要： This disclosure relates to systems and methods for reducing feature sizes. One of these methods enables formation of an original feature having a size in a length or width dimension of between about 100 and about 1000 nanometers with a system capable of patterning features to a minimum size of less than or about the size of the original feature and reduction of the size of the original feature below that of the minimum size of the system using an alignment-independent technique.

    摘要翻译： 本公开涉及用于减小特征尺寸的系统和方法。 这些方法中的一种使得能够形成尺寸在大约100和大约1000纳米之间的尺寸在大约100和大约1000纳米之间的原始特征，其中系统能够将特征图案化成小于或者约为原始特征尺寸的最小尺寸， 使用对齐无关技术将原始特征的大小减小到系统的最小尺寸的大小。

    Tunneling emitters and method of making
    10.
    发明授权
    Tunneling emitters and method of making 有权
    隧道发射器和制作方法

    公开(公告)号：US06806488B2

    公开(公告)日：2004-10-19

    申请号：US10389556

    申请日：2003-03-13

    申请人： Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen

    发明人： Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen

    IPC分类号： H01L2906

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/23 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025

    摘要： An emitter has an electron supply layer and a tunneling layer formed on the electron supply layer. Optionally, an insulator layer is formed on the electron supply layer and has openings defined within in which the tunneling layer is formed. A cathode layer is formed on the tunneling layer. A conductive layer is partially disposed on the cathode layer and partially on the insulator layer if present. The conductive layer defines an opening to provide a surface for energy emissions of electrons and/or photons. Preferably but optionally, the emitter is subjected to an annealing process thereby increasing the supply of electrons tunneled from the electron supply layer to the cathode layer.

    摘要翻译： 发射体具有形成在电子供给层上的电子供给层和隧道层。 可选地，在电子供给层上形成绝缘体层，并且在其内形成有形成有隧道层的开口。 在隧道层上形成阴极层。 导电层部分地设置在阴极层上，部分地设置在绝缘体层上，如果存在的话。 导电层限定一个开口以提供用于电子和/或光子的能量发射的表面。 优选但是可选地，对发射极进行退火处理，从而增加从电子供给层向阴极层隧穿的电子的供应。