公开(公告)号：US20130248993A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08907408B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08461648B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

公开(公告)号：US20090218621A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

摘要翻译： 具有漂移区域和漂移控制区域的半导体部件。 一个实施例包括半导体本体中具有第一导电类型的漂移区的半导体本体。 由半导体材料组成的漂移控制区域至少部分地布置成与半导体本体中的漂移区域相邻。 在漂移区域和漂移控制区域之间布置积累电介质。

公开(公告)号：US08884360B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US20130221427A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US20110101451A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12984934

申请日：2011-01-05

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component having a semiconductor body having a first and a second side, an edge and an edge region adjacent to the edge in a lateral direction is described.

摘要翻译： 描述了具有半导体本体的半导体部件，该半导体本体具有第一和第二侧面，边缘和与横向方向上的边缘相邻的边缘区域。

公开(公告)号：US20120217580A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13463243

申请日：2012-05-03

申请人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66719 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.

摘要翻译： 半导体器件包括源极，漏极和被配置为选择性地使电流在源极和漏极之间通过的栅极。 半导体器件包括源极和漏极之间的漂移区和邻近漂移区的第一场板。 半导体器件包括将第一场板与漂移区电隔离的电介质层，并且电介质层内的电荷接近靠近漂移区的电介质层的界面。

公开(公告)号：US08502315B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13463243

申请日：2012-05-03

申请人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66719 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.

摘要翻译： 半导体器件包括源极，漏极和被配置为选择性地使电流在源极和漏极之间通过的栅极。 半导体器件包括源极和漏极之间的漂移区和邻近漂移区的第一场板。 半导体器件包括将第一场板与漂移区电隔离的电介质层，并且电介质层内的电荷接近靠近漂移区的电介质层的界面。

公开(公告)号：US08198678B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12633956

申请日：2009-12-09

申请人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66719 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.

摘要翻译： 半导体器件包括源极，漏极和被配置为选择性地使电流在源极和漏极之间通过的栅极。 半导体器件包括源极和漏极之间的漂移区和邻近漂移区的第一场板。 半导体器件包括将第一场板与漂移区电隔离的电介质层，并且电介质层内的电荷接近靠近漂移区的电介质层的界面。