公开(公告)号：US09048314B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US14465636

申请日：2014-08-21

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/267 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

公开(公告)号：US20130146945A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13752272

申请日：2013-01-28

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/267

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

公开(公告)号：US20120205729A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13453403

申请日：2012-04-23

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US07575991B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US10882733

申请日：2004-06-30

申请人： Mark L. Doczy ,  Robert L. Norman ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Robert L. Norman ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A metal oxide layer on a substrate is converted at least partly to a metal layer. At least part of the metal layer is covered by an oxidation resistant cover. The covered layer and underlying metal may be removed, for example, using acid.

摘要翻译： 基板上的金属氧化物层至少部分地转变为金属层。 金属层的至少一部分被抗氧化盖覆盖。 被覆层和下面的金属可以被除去，例如使用酸。

公开(公告)号：US07144783B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10835791

申请日：2004-04-30

申请人： Suman Datta ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

摘要： In a metal gate replacement process, a cup-shaped gate metal oxide dielectric may have vertical portions that may be exposed to a reduction reaction. As a result of the reduction reaction, the vertical portions may be converted to metal, which adds to the existing gate electrode. In some cases, removing the vertical dielectric portions reduces fringe capacitance and may also advantageously slightly increased underdiffusion without adding heat, in some embodiments.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，杯状栅极金属氧化物电介质可以具有可能暴露于还原反应的垂直部分。 作为还原反应的结果，垂直部分可以转化为金属，这增加了现有的栅电极。 在一些实施例中，在一些实施例中，去除垂直电介质部分减少了边缘电容，并且还可以有利地稍微增加向下扩散而不加热。

公开(公告)号：US08816394B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US14137804

申请日：2013-12-20

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US08368135B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13453403

申请日：2012-04-23

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

公开(公告)号：US20110121393A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13021640

申请日：2011-02-04

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US20100295129A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12850582

申请日：2010-08-04

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US08664694B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13752272

申请日：2013-01-28

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.