公开(公告)号：US20100066411A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12447922

申请日：2007-08-07

申请人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim

发明人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H03K19/08 ,  H03K19/20

CPC分类号： H03K19/20

摘要： Provided is a logic circuit comprising a metal-insulator transition (MIT) device, including: an MIT device unit including an MIT thin film, an electrode thin film contacting the MIT thin film, and at least one MIT device undergoing a discontinuous MIT at a transition voltage VT; a power source unit including at least one power source applying power to the MIT device; and at least one resistor connected to the MIT device, wherein a logic operation is performed on a signal through the power source to output the result of the logic operation as an output signal.

摘要翻译： 提供了一种包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的逻辑电路，包括：包括MIT薄膜的MIT器件单元，与MIT薄膜接触的电极薄膜以及经历不连续MIT的至少一个MIT器件， 转换电压VT; 电源单元，包括向MIT设备施加电力的至少一个电源; 以及连接到MIT装置的至少一个电阻器，其中对通过电源的信号执行逻辑运算，以将逻辑运算的结果输出为输出信号。

公开(公告)号：US20110304403A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13137267

申请日：2011-08-02

申请人： Yong-wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Yong-wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H03B7/14

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

摘要： Provided are an oscillatory circuit based on a metal-insulator transition (MIT) device that can generate a simple and very high oscillating frequency using the MIT device, and a method of driving the oscillatory circuit. The oscillatory circuit includes the MIT device that comprises an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film and in which an abrupt MIT is generated due to an MIT generating voltage, a resistor that is serially connected to the MIT device, an electrical power source limiting the maximum amount of an applied current and applying a direct current constant voltage to the MIT device, and a light source irradiating electromagnetic waves on the MIT device, wherein the oscillating properties are generated by irradiating the electromagnetic waves using the light source.

摘要翻译： 提供了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的振荡电路，其可以使用MIT器件产生简单且非常高的振荡频率，以及驱动振荡电路的方法。 振荡电路包括MIT设备，其包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，并且其中由于MIT产生电压而产生突然MIT;串联连接到MIT设备的电阻器， 限制施加电流的最大量并向MIT装置施加直流恒定电压的电源，以及在MIT装置上照射电磁波的光源，其中通过使用光照射电磁波来产生振荡特性 资源。

公开(公告)号：US08031021B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12516105

申请日：2007-10-31

申请人： Yong-Wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Yong-Wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H03B11/00

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

摘要： Provided are an oscillatory circuit based on a metal-insulator transition (MIT) device that can generate a simple and very high oscillating frequency using the MIT device, and a method of driving the oscillatory circuit. The oscillatory circuit includes the MIT device that comprises an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film and in which an abrupt MIT is generated due to an MIT generating voltage, a resistor that is serially connected to the MIT device, an electric al power source limiting the maximum amount of an applied current and applying a direct current constant voltage to the MIT device, and a light source irradiating electromagnetic waves on the MIT device, wherein the oscillating properties are generated by irradiating the electromagnetic waves using the light source.

摘要翻译： 提供了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的振荡电路，其可以使用MIT器件产生简单且非常高的振荡频率，以及驱动振荡电路的方法。 振荡电路包括MIT设备，其包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，并且其中由于MIT产生电压而产生突然MIT;串联连接到MIT设备的电阻器， 限制施加电流的最大量并向MIT装置施加直流恒定电压的电动电源以及在MIT装置上照射电磁波的光源，其中振荡特性是通过使用 光源。

公开(公告)号：US08305221B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12303000

申请日：2007-05-30

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Sun-Jin Yun ,  Sung-Youl Choi ,  Yong-Wook Lee ,  JungWook Lim ,  Sang-Kuk Choi ,  Kwang-Yong Kang

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Sun-Jin Yun ,  Sung-Youl Choi ,  Yong-Wook Lee ,  JungWook Lim ,  Sang-Kuk Choi ,  Kwang-Yong Kang

IPC分类号： G08B17/00

CPC分类号： H01L49/003 ,  G01K3/005

摘要： Provided are an abrupt MIT device with variable MIT temperature or voltage, an MIT sensor using the abrupt MIT device, and an alarm apparatus and a secondary battery anti-explosion circuit including the MIT sensor. The MIT device includes an abrupt MIT layer undergoing an abrupt MIT at a transition temperature or a transition voltage and at least two electrode layers contacting the abrupt MIT layer. The transition temperature or the transition voltage varies with at least one of factors including a voltage applied to the electrode layers, a temperature, an electromagnetic wave, a pressure, and a gas concentration that affect the abrupt MIT layer. The MIT sensor is a temperature sensor, an infrared sensor, an image sensor, a pressure sensor, a gas-concentration sensor, or a switch. The alarm apparatus includes the MIT sensor and an alarm-signaling unit connected in series with the MIT sensor. The secondary battery anti-explosion circuit includes a secondary battery, the MIT sensor attached to the secondary battery to sense the temperature of the secondary battery and thus to prevent the possible explosion of the secondary battery, and a protection circuit body powered by the secondary battery.

摘要翻译： 提供了具有可变MIT温度或电压的突发MIT装置，使用突发MIT装置的MIT传感器以及包括MIT传感器的报警装置和二次电池防爆电路。 MIT装置包括在转变温度或转变电压下经历突变MIT的突变MIT层和与突变MIT层接触的至少两个电极层。 转变温度或转变电压随着包括施加在电极层上的电压，温度，电磁波，压力和影响突发MIT层的气体浓度的因素中的至少一个而变化。 MIT传感器是温度传感器，红外传感器，图像传感器，压力传感器，气体浓度传感器或开关。 报警装置包括MIT传感器和与MIT传感器串联连接的报警信号单元。 二次电池防爆电路包括二次电池，MIT传感器附接到二次电池以感测二次电池的温度，从而防止二次电池的可能的爆炸，以及由二次电池供电的保护电路体 。

公开(公告)号：US08174188B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12518107

申请日：2007-09-17

申请人： Sun-Jin Yun ,  JungWook Lim ,  Hyun-Tak Kim

发明人： Sun-Jin Yun ,  JungWook Lim ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H05B33/02

CPC分类号： H05B33/22

摘要： Provided is an electro-luminescent device (ELD) including a metal-insulator transition (MIT) layer. The ELD includes: a substrate; a EL phosphor layer positioned on the substrate and comprising luminescent center ions generating light; the MIT layer disposed on a surface of the EL phosphor layer and being abruptly changed from an insulator to a metal according to a variation of a voltage; a first insulator adhered to the MIT layer to distribute a voltage applied from an external source; and a second insulator disposed on the other side of the EL phosphor layer.

摘要翻译： 提供了包括金属 - 绝缘体转变（MIT）层的电致发光器件（ELD）。 ELD包括：基材; 位于所述基板上并包含产生光的发光中心离子的EL荧光体层; 所述MIT层设置在所述EL荧光体层的表面上，并根据电压的变化从绝缘体突然变为金属; 粘附到MIT层以分布从外部源施加的电压的第一绝缘体; 以及设置在所述EL荧光体层的另一侧的第二绝缘体。

公开(公告)号：US07791376B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US12447922

申请日：2007-08-07

申请人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim

发明人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H03K19/20

CPC分类号： H03K19/20

摘要： Provided is a logic circuit comprising a metal-insulator transition (MIT) device, including: an MIT device unit including an MIT thin film, an electrode thin film contacting the MIT thin film, and at least one MIT device undergoing a discontinuous MIT at a transition voltage VT; a power source unit including at least one power source applying power to the MIT device; and at least one resistor connected to the MIT device, wherein a logic operation is performed on a signal through the power source to output the result of the logic operation as an output signal.

摘要翻译： 提供了一种包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的逻辑电路，包括：包括MIT薄膜的MIT器件单元，与MIT薄膜接触的电极薄膜以及经历不连续MIT的至少一个MIT器件， 转换电压VT; 电源单元，包括向MIT设备施加电力的至少一个电源; 以及连接到MIT装置的至少一个电阻器，其中对通过电源的信号执行逻辑运算，以将逻辑运算的结果输出为输出信号。

公开(公告)号：US20100060369A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12516105

申请日：2007-10-31

申请人： Yong-Wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Yong-Wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H03B7/14

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

摘要： Provided are an oscillatory circuit based on a metal-insulator transition (MIT) device that can generate a simple and very high oscillating frequency using the MIT device, and a method of driving the oscillatory circuit. The oscillatory circuit includes the MIT device that comprises an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film and in which an abrupt MIT is generated due to an MIT generating voltage, a resistor that is serially connected to the MIT device, an electric al power source limiting the maximum amount of an applied current and applying a direct current constant voltage to the MIT device, and a light source irradiating electromagnetic waves on the MIT device, wherein the oscillating properties are generated by irradiating the electromagnetic waves using the light source.

摘要翻译： 提供了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的振荡电路，其可以使用MIT器件产生简单且非常高的振荡频率，以及驱动振荡电路的方法。 振荡电路包括MIT设备，其包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，并且其中由于MIT产生电压而产生突然MIT;串联连接到MIT设备的电阻器， 限制施加电流的最大量并向MIT装置施加直流恒定电压的电动电源以及在MIT装置上照射电磁波的光源，其中振荡特性是通过使用 光源。

公开(公告)号：US20090315724A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12303000

申请日：2007-05-30

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Sun-Jin Yun ,  Sung-Youl Choi ,  Yong-Wook Lee ,  JungWook Lim ,  Sang-Kuk Choi ,  Kwang-Yong Kang

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Sun-Jin Yun ,  Sung-Youl Choi ,  Yong-Wook Lee ,  JungWook Lim ,  Sang-Kuk Choi ,  Kwang-Yong Kang

IPC分类号： G08B17/00 ,  H01L29/78 ,  G01N27/04 ,  H01M2/00

CPC分类号： H01L49/003 ,  G01K3/005

摘要： Provided are an abrupt MIT device with variable MIT temperature or voltage, an MIT sensor using the abrupt MIT device, and an alarm apparatus and a secondary battery anti-explosion circuit including the MIT sensor The MIT device includes an abrupt MIT layer undergoing an abrupt MIT at a transition temperature or a transition voltage and at least two electrode layers contacting the abrupt MIT layer. The transition temperature or the transition voltage varies with at least one of factors including a voltage applied to the electrode layers, a temperature, an electromagnetic wave, a pressure, and a gas concentration that affect the abrupt MIT layer. The MIT sensor is a temperature sensor, an infrared sensor, an image sensor, a pressure sensor, a gas-concentration sensor, or a switch. The alarm apparatus includes the MIT sensor and an alarm-signaling unit connected in series with the MIT sensor. The secondary battery anti-explosion circuit includes a secondary battery, the MIT sensor attached to the secondary battery to sense the temperature of the secondary battery and thus to prevent the possible explosion of the secondary battery, and a protection circuit body powered by the secondary battery.

摘要翻译： 提供了具有可变MIT温度或电压的突变MIT装置，使用突发MIT装置的MIT传感器，以及包括MIT传感器的报警装置和二次电池防爆电路.MIT装置包括经历突发MIT的突发MIT层 在转变温度或过渡电压下，以及与突变MIT层接触的至少两个电极层。 转变温度或转变电压随着包括施加在电极层上的电压，温度，电磁波，压力和影响突发MIT层的气体浓度的因素中的至少一个而变化。 MIT传感器是温度传感器，红外传感器，图像传感器，压力传感器，气体浓度传感器或开关。 报警装置包括MIT传感器和与MIT传感器串联连接的报警信号单元。 二次电池防爆电路包括二次电池，MIT传感器附接到二次电池以感测二次电池的温度，从而防止二次电池的可能的爆炸，以及由二次电池供电的保护电路体 。

公开(公告)号：US20090208639A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12307573

申请日：2007-06-29

申请人： Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  JungWook Lim ,  Bong-Jun Kim

发明人： Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  JungWook Lim ,  Bong-Jun Kim

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C01G31/02 ,  C01P2006/40 ,  H01L49/003

摘要： Provided is a method of manufacturing a V2O3 thin film having an abrupt MIT characteristic. The method forms a thin film of one of VO2 and V3O7 on a substrate. Then the substrate on which thin film is formed is mounted in a chamber in which a reduction atmosphere capable of removing oxygen is formed, and annealed to form a V2O3 thin film having an abrupt MIT.

摘要翻译： 提供了具有突变MIT特性的V2O3薄膜的制造方法。 该方法在衬底上形成VO2和V3O7之一的薄膜。 然后将形成有薄膜的基板安装在其中形成能够除去氧的还原气氛的室中，并退火以形成具有突变MIT的V 2 O 3薄膜。

公开(公告)号：US20100320899A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12518107

申请日：2007-09-17

申请人： Sun-Jin Yun ,  JungWook Lim ,  Hyun-Tak Kim

发明人： Sun-Jin Yun ,  JungWook Lim ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H05B33/22

摘要： Provided is an electro-luminescent device (ELD) including a metal-insulator transition (MIT) layer. The ELD includes: a substrate; a EL phosphor layer positioned on the substrate and comprising luminescent center ions generating light; the MIT layer disposed on a surface of the EL phosphor layer and being abruptly changed from an insulator to a metal according to a variation of a voltage; a first insulator adhered to the MIT layer to distribute a voltage applied from an external source; and a second insulator disposed on the other side of the EL phosphor layer.

摘要翻译： 提供了包括金属 - 绝缘体转变（MIT）层的电致发光器件（ELD）。 ELD包括：基材; 位于所述基板上并包含产生光的发光中心离子的EL荧光体层; 所述MIT层设置在所述EL荧光体层的表面上，并根据电压的变化从绝缘体突然变为金属; 粘附到MIT层以分布从外部源施加的电压的第一绝缘体; 以及设置在所述EL荧光体层的另一侧的第二绝缘体。