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    Display apparatuses and methods of operating the same
    1.
    发明授权
    Display apparatuses and methods of operating the same 有权
    显示装置及其操作方法

    公开(公告)号：US08610652B2

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US12458312

    申请日：2009-07-08

    申请人： Sung-hoon Lee ,  Do-hyun Kim ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    发明人： Sung-hoon Lee ,  Do-hyun Kim ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    IPC分类号： G09G3/36

    CPC分类号： G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G2330/027

    摘要： Provided are display apparatuses and methods of operating the same. In a display apparatus, a display image may be continuously held for longer than about 10 msec after the power of the display panel is turned off. The display apparatus may indicate a liquid crystal display (LCD) apparatus including an oxide thin film transistor (TFT). Off leakage current of the oxide TFT may be less than about 10−14 A.

    摘要翻译： 提供了显示装置及其操作方法。 在显示装置中，在显示面板的电源关闭之后，显示图像可以连续保持超过约10毫秒。 显示装置可以指示包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的液晶显示器（LCD）装置。 氧化物TFT的漏电流可以小于约10-14A。

    Display apparatuses and methods of operating the same
    2.
    发明申请
    Display apparatuses and methods of operating the same 有权
    显示装置及其操作方法

    公开(公告)号：US20100149138A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12458312

    申请日：2009-07-08

    申请人： Sung-hoon Lee ,  Do-hyun Kim ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    发明人： Sung-hoon Lee ,  Do-hyun Kim ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    IPC分类号： G09G5/00 ,  G09G3/36

    CPC分类号： G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G2330/027

    摘要： Provided are display apparatuses and methods of operating the same. In a display apparatus, a display image may be continuously held for longer than about 10 msec after the power of the display panel is turned off. The display apparatus may indicate a liquid crystal display (LCD) apparatus including an oxide thin film transistor (TFT). Off leakage current of the oxide TFT may be less than about 10−14 A.

    摘要翻译： 提供了显示装置及其操作方法。 在显示装置中，在显示面板的电源关闭之后，显示图像可以连续保持超过约10毫秒。 显示装置可以指示包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的液晶显示器（LCD）装置。 氧化物TFT的漏电流可以小于约10-14A。

    X-ray detector including oxide semiconductor transistor
    5.
    发明授权
    X-ray detector including oxide semiconductor transistor 有权
    X射线检测器包括氧化物半导体晶体管

    公开(公告)号：US08963096B2

    公开(公告)日：2015-02-24

    申请号：US12926921

    申请日：2010-12-17

    申请人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    发明人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    IPC分类号： H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  H01L31/08

    CPC分类号： H01L31/085 ,  G01T1/24

    摘要： Example embodiments are directed an X-ray detector including an oxide semiconductor transistor. The X-ray detector including the oxide semiconductor transistor includes an oxide semiconductor transistor and a signal storage capacitor in parallel to each other on a substrate. The oxide semiconductor transistor includes a channel formed of an oxide semiconductor material, and a photoconductor. A pixel electrode and a common electrode are formed on opposite surfaces of the photoconductor. The channel includes ZnO, or a compound including ZnO and at least one selected from a group consisting of gallium (Ga), indium (In), hafnium (Hf), and tin (Sn).

    摘要翻译： 示例性实施例涉及包括氧化物半导体晶体管的X射线检测器。 包括氧化物半导体晶体管的X射线检测器包括在基板上彼此平行的氧化物半导体晶体管和信号存储电容器。 氧化物半导体晶体管包括由氧化物半导体材料形成的沟道和感光体。 像素电极和公共电极形成在感光体的相对表面上。 该通道包括ZnO或包含ZnO和选自镓（Ga），铟（In），铪（Hf）和锡（Sn）中的至少一种的化合物。

    Large-scale X-ray detectors and methods of manufacturing the same
    8.
    发明申请
    Large-scale X-ray detectors and methods of manufacturing the same 有权
    大型X射线探测器及其制造方法

    公开(公告)号：US20110309259A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：US12929203

    申请日：2011-01-07

    申请人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    发明人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

    IPC分类号： G01T1/24 ,  H01L31/18

    CPC分类号： G01T1/24 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/085 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

    摘要： Large-scale X-ray detectors and methods of manufacturing the same are provided, the large-scale X-ray detectors include a photoconductor layer configured to generate electrical charges according to an incident X-ray using an entire area of the photoconductor layer, a common electrode on an upper surface of the photoconductor layer, a plurality of pixel electrodes, configured to convert the electrical charges into electrical signals, on a lower surface of the photoconductor layer and divided into a plurality of groups, and a plurality of application-specific integrated circuits (ASICs) each corresponding to one of the groups. Each ASIC is configured to process the electrical signals conveyed via the pixel electrodes in the corresponding group. The ASICs process the electrical signals so that seamless image information is collectively generated by the ASICs with respect to the entire area of the photoconductor layer.

    摘要翻译： 提供了大规模X射线检测器及其制造方法，大规模X射线检测器包括：光电导体层，被配置为根据入射的X射线使用光电导体层的整个面积产生电荷; 所述光电导体层的上表面上的公共电极，被配置为将所述电荷转换为电信号的多个像素电极，在所述感光体层的下表面上并分成多个组，以及多个应用特定 集成电路（ASIC），每个对应于该组中的一个。 每个ASIC被配置为处理通过相应组中的像素电极传送的电信号。 ASIC处理电信号，使得ASIC相对于感光体层的整个区域共同地产生无缝图像信息。

    Transistor, method of manufacturing transistor, and electronic device including transistor
    10.
    发明申请
    Transistor, method of manufacturing transistor, and electronic device including transistor 有权
    晶体管，制造晶体管的方法和包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号：US20110147734A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US12801531

    申请日：2010-06-14

    申请人： Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

    发明人： Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

    摘要： Provided are a transistor, a method of manufacturing the transistor, and an electronic device including the transistor. The transistor may include a gate insulator of which at least one surface is treated with plasma. The surface of the gate insulator may be an interface that contacts a channel layer. The interface may be treated with plasma by using a fluorine (F)-containing gas, and thus may include fluorine (F). The interface treated with plasma may suppress the characteristic variations of the transistor due to light.

    摘要翻译： 提供晶体管，晶体管的制造方法和包括该晶体管的电子器件。 晶体管可以包括栅极绝缘体，其中至少一个表面被等离子体处理。 栅极绝缘体的表面可以是与沟道层接触的界面。 界面可以通过使用含氟（F）的气体用等离子体处理，因此可以包括氟（F）。 用等离子体处理的界面可以抑制由于光引起的晶体管的特性变化。