公开(公告)号：US20160251746A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：US15032688

申请日：2014-08-28

申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： Yasuhiko KOJIMA ,  Hiroshi SONE ,  Atsushi GOMI ,  Kanto NAKAMURA ,  Toru KITADA ,  Yasunobu SUZUKI ,  Yusuke SUZUKI ,  Koichi TAKATSUKI ,  Tatsuo HIRASAWA ,  Keisuke SATO ,  Chiaki YASUMURO ,  Atsushi SHIMADA

IPC分类号： C23C14/00 ,  H01L43/08 ,  H01J37/32 ,  C23C14/16 ,  H01J37/34 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC分类号： C23C14/0036 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/081 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A deposition device according to one embodiment includes a processing container. A mounting table is installed inside the processing container, and a metal target is installed above the mounting table. Further, a head is configured to inject an oxidizing gas toward the mounting table. This head is configured to move between a first region that is defined between the metal target and a mounting region where a target object is mounted on the mounting table and a second region spaced apart from a space defined between the metal target and the mounting region.

摘要翻译： 根据一个实施例的沉积装置包括处理容器。 安装台安装在加工容器的内部，金属靶被安装在安装台的上方。 此外，头部构造成朝向安装台注入氧化气体。 该头部构造成在限定在金属靶和安装在安装台上的目标物体的安装区域之间的第一区域和与限定在金属靶和安装区域之间的空间间隔开的第二区域之间移动。