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    MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
    1.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY 有权
    磁电效应元件和磁记忆

    公开(公告)号：US20080130176A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：US12019657

    申请日：2008-01-25

    申请人： Tadashi KAI ,  Masahiko Nakayama ,  Sumio Ikegawa ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Yoshihisa Iwata

    发明人： Tadashi KAI ,  Masahiko Nakayama ,  Sumio Ikegawa ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Yoshihisa Iwata

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/222

    摘要： A magnetoresistive effect element includes a nonmagnetic layer having mutually facing first and second surfaces. A reference layer is provided on the first surface and has a fixed magnetization direction. A magnetization variable layer is provided on the second surface, has variable magnetization direction, and has a planer shape including a rectangular part, a first projected part, and a second projected part. The rectangular part has mutually facing first and second longer sides and mutually facing first and second shorter sides. The first projected part projects from the first longer side at a position shifted from the center toward the first shorter side. The second projected part projects from the second longer side at a position shifted from the center toward the second shorter side.

    摘要翻译： 磁阻效应元件包括具有相互面对的第一和第二表面的非磁性层。 参考层设置在第一表面上并具有固定的磁化方向。 磁化变化层设置在第二表面上，具有可变的磁化方向，并且具有包括矩形部分，第一突出部分和第二突出部分的平面形状。 矩形部分具有相互面对的第一和第二长边以及相互面对的第一和第二短边。 第一突出部从第一长边突出的位置从中心向第一短边移动。 第二突出部从第二长边突出的位置从中心向第二短边移动。

    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    3.
    发明申请
    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 有权
    磁阻效应元件和磁性随机存取存储器

    公开(公告)号：US20090244792A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12396778

    申请日：2009-03-03

    申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Sumio IKEGAWA ,  Hiroaki YODA ,  Tatsuya KISHI

    发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Sumio IKEGAWA ,  Hiroaki YODA ,  Tatsuya KISHI

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226

    摘要： A magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer having invariable magnetization perpendicular to a film plane; a second ferromagnetic layer having variable magnetization perpendicular to the film plane; a first nonmagnetic layer interposed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a third ferromagnetic layer provided on an opposite side of the second ferromagnetic layer from the first nonmagnetic layer, and having variable magnetization parallel to the film plane; and a second nonmagnetic layer interposed between the second and third ferromagnetic layers. Spin-polarized electrons are injected into the second ferromagnetic layer by flowing a current in the direction perpendicular to the film planes between the first and third ferromagnetic layers, precession movement is induced in the magnetization of the third ferromagnetic layer by injecting the spin-polarized electrons, and a microwave magnetic field of a frequency corresponding to the precession movement is applied to the second ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 磁阻效应元件包括：具有垂直于膜平面的不变磁化的第一铁磁层; 具有垂直于膜平面的可变磁化的第二铁磁层; 介于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的第一非磁性层; 第三铁磁层，其设置在所述第二铁磁层的与所述第一非磁性层相反的一侧上，并且具有与所述膜平面平行的可变磁化强度; 以及插入在第二和第三铁磁层之间的第二非磁性层。 通过在垂直于第一和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动电流，将旋转极化电子注入到第二铁磁层中，通过注入自旋极化电子在第三铁磁层的磁化中引起进动运动 并且将对应于进动运动的频率的微波磁场施加到第二铁磁层。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    9.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20140284742A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US13963762

    申请日：2013-08-09

    申请人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    发明人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes first, second and third magnetic layers, and first and second nonmagnetic layers. The third magnetic layer has stack layers including a first stack layer close to the second magnetic layer, and a second stack layer far from the second magnetic layer. Each of the first and second stack layers includes a first layer made of a ferromagnetic material and a second layer made of a nonmagnetic material, and a first ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the first stack layer is higher than a second ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the second stack layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一，第二和第三磁性层以及第一和第二非磁性层。 第三磁性层具有包括靠近第二磁性层的第一堆叠层和远离第二磁性层的第二堆叠层的堆叠层。 第一和第二堆叠层中的每一个包括由铁磁材料制成的第一层和由非磁性材料制成的第二层，并且第一层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第一比率 高于第二层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第二比率。