公开(公告)号：US07830215B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US12019244

申请日：2008-01-24

申请人： Takamitsu Higuchi ,  Juri Kato ,  Yasuhiro Ono

发明人： Takamitsu Higuchi ,  Juri Kato ,  Yasuhiro Ono

IPC分类号： H03B5/32

CPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/0519 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/21 ,  H03H2003/026

摘要： A method for manufacturing a piezoelectric oscillator includes the steps of: forming a first semiconductor layer above a substrate; forming a second semiconductor layer above the first semiconductor layer; forming a first opening section that exposes the substrate by removing the second semiconductor layer and the first semiconductor layer in an area for forming a support section; forming the support section in the first opening section; forming a driving section that generates flexing vibration in an oscillation section above the second semiconductor layer; patterning the second semiconductor layer to form the oscillation section having the supporting section as a base end and another end provided so as not to contact the supporting section, and a second opening section that exposes the first semiconductor layer; and removing the first semiconductor layer through a portion exposed at the second opening section by an etching method, thereby forming a cavity section at least below the oscillation section, wherein the step of forming the driving section includes the steps of forming a first electrode, forming a piezoelectric layer above the first electrode, and forming a second electrode above the piezoelectric layer.

摘要翻译： 制造压电振荡器的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一半导体层; 在所述第一半导体层上形成第二半导体层; 形成通过在用于形成支撑部分的区域中去除所述第二半导体层和所述第一半导体层而暴露所述衬底的第一开口部分; 在所述第一开口部中形成所述支撑部; 形成在所述第二半导体层上方的振荡部中产生挠曲振动的驱动部; 图案化第二半导体层以形成具有支撑部分作为基端的振荡部分，而另一端设置成不与支撑部分接触;以及第二开口部分，其暴露第一半导体层; 以及通过蚀刻方法通过暴露在第二开口部分的部分去除第一半导体层，从而在振荡部分的至少下方形成空腔部分，其中形成驱动部分的步骤包括以下步骤：形成第一电极，形成 在所述第一电极上方的压电层，以及在所述压电层的上方形成第二电极。

公开(公告)号：US07666795B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11955700

申请日：2007-12-13

申请人： Juri Kato ,  Hideaki Oka ,  Masamitsu Uehara

发明人： Juri Kato ,  Hideaki Oka ,  Masamitsu Uehara

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3141 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a SiGe layer on a Si substrate, forming a dummy pattern to expose a surface of the Si substrate, and wet etching the SiGe layer while an etchant is contacted with, the dummy pattern.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在Si衬底上形成SiGe层，形成虚拟图案以暴露Si衬底的表面，并在蚀刻剂与虚拟图案接触的同时湿蚀刻SiGe层。

公开(公告)号：US20080203521A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12075073

申请日：2008-03-06

申请人： Juri Kato

发明人： Juri Kato

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A semiconductor substrate comprising: a semiconductor base; dielectric layers of mutually different film thicknesses formed on the semiconductor base; and semiconductor layers of mutually different film thicknesses formed on the dielectric layers.

摘要翻译： 一种半导体基板，包括：半导体基底; 在半导体基底上形成相互不同的膜厚的介电层; 以及形成在电介质层上的相互不同的膜厚度的半导体层。

公开(公告)号：US07332399B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11127496

申请日：2005-05-11

申请人： Juri Kato

发明人： Juri Kato

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76272

摘要： A method of manufacturing semiconductor substrates. After supporting layers are provided on side walls of grooves formed in a semiconductor substrate, grooves that expose a second semiconductor layer are formed. Etching gas or etching liquid is brought in contact with the first semiconductor layer through the grooves, to form a void portion between the semiconductor substrate 1 and the second semiconductor layer. By thermally oxidizing the semiconductor substrate, the second semiconductor layer and the supporting layers, an oxide film is formed in the void portion between the semiconductor substrate and the second semiconductor layer, an oxide film is formed on side walls of the semiconductor substrate in the grooves, and the supporting layers are changed into oxide films.

摘要翻译： 一种制造半导体衬底的方法。 在形成在半导体衬底中的槽的侧壁上设置支撑层之后，形成露出第二半导体层的槽。 蚀刻气体或蚀刻液体通过沟槽与第一半导体层接触，在半导体衬底1和第二半导体层之间形成空隙部分。 通过热氧化半导体衬底，第二半导体层和支撑层，在半导体衬底和第二半导体层之间的空隙部分中形成氧化物膜，在半导体衬底的沟槽的侧壁上形成氧化物膜 ，支撑层变成氧化膜。

公开(公告)号：US20070132011A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11635831

申请日：2006-12-08

申请人： Juri Kato

发明人： Juri Kato

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor layer formed on a semiconductor substrate by epitaxial growth, a first embedded insulating layer embedded in a first region between the semiconductor substrate and the substrate layer, and a second embedded insulating layer embedded in a second region between the semiconductor substrate and the semiconductor layer, wherein the first embedded insulating layer and the second embedded insulating layer are mutually different in at least either of effective work function and fixed charge amount.

摘要翻译： 半导体器件包括通过外延生长形成在半导体衬底上的半导体层，嵌入在半导体衬底和衬底层之间的第一区域中的第一嵌入绝缘层和嵌入在半导体衬底之间的第二区域中的第二嵌入绝缘层 和半导体层，其中第一嵌入绝缘层和第二嵌入绝缘层在有效功函数和固定电荷量中的至少一个方面是相互不同的。

公开(公告)号：US20060194383A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11364026

申请日：2006-02-27

申请人： Juri Kato

发明人： Juri Kato

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78687

摘要： A semiconductor device includes: a second semiconductor layer formed on a side surface of a first semiconductor by epitaxial growth; a gate electrode disposed on a film formation surface of the second semiconductor layer; a source layer formed on the semiconductor layer and disposed on one side of the gate electrode; and a drain layer formed on the semiconductor layer and disposed on the other side of the gate electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括：通过外延生长形成在第一半导体的侧表面上的第二半导体层; 设置在所述第二半导体层的成膜表面上的栅电极; 源极层，形成在所述半导体层上并设置在所述栅电极的一侧; 以及形成在所述半导体层上并设置在所述栅电极的另一侧的漏极层。

公开(公告)号：US20060022269A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11193202

申请日：2005-07-28

申请人： Juri Kato

发明人： Juri Kato

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A semiconductor substrate comprising: a semiconductor base; dielectric layers of mutually different film thicknesses formed on the semiconductor base; and semiconductor layers of mutually different film thicknesses formed on the dielectric layers.

摘要翻译： 一种半导体基板，包括：半导体基底; 在半导体基底上形成相互不同的膜厚的介电层; 以及形成在电介质层上的相互不同的膜厚度的半导体层。

公开(公告)号：US20050199965A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11079258

申请日：2005-03-14

申请人： Juri Kato ,  Teruo Takizawa

发明人： Juri Kato ,  Teruo Takizawa

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/76 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78624

摘要： A semiconductor device comprising: a semiconductor layer formed on a dielectric; a gate electrode formed on the semiconductor layer; a compound metal layer disposed on a source side in a manner to contact a body region of the semiconductor layer; and an impurity diffusion layer disposed on a drain side in a manner to contact the body region of the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：形成在电介质上的半导体层; 形成在所述半导体层上的栅电极; 复合金属层，其以与半导体层的体区接触的方式设置在源极侧; 以及以与半导体层的主体区域接触的方式设置在漏极侧的杂质扩散层。

公开(公告)号：US20050104134A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10957164

申请日：2004-09-30

申请人： Juri Kato

发明人： Juri Kato

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/74 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78621 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78657 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684

摘要： Single-crystalline silicon layers 7a and 7b are selectively formed on LDD layers 5a and 5b by an epitaxial growth method. Opening sections 10a and 10b are formed, which expose a source layer 8 and a drain layer 8b, respectively, through an interlayer dielectric film 9 and the single-crystalline silicon layers 7a and 7b, respectively, and then, plugs 12a and 12b are formed in the opening sections 10a and 10b embedded through barrier metal films 11a and 11b, respectively.

摘要翻译： 通过外延生长法在LDD层5a和5b上选择性地形成单晶硅层7a和7b。 形成开口部分10a和10b，分别通过层间电介质膜9和单晶硅层7a和7b分别暴露源层8和漏层8b，然后插塞 在分别通过阻挡金属膜11a和11b嵌入的开口部分10a和10b中分别形成有一个12a和12b。

公开(公告)号：US09194788B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13458247

申请日：2012-04-27

申请人： Juri Kato ,  Takao Miyazawa

发明人： Juri Kato ,  Takao Miyazawa

IPC分类号： G01N27/02 ,  G01N27/26 ,  G01N27/416 ,  G01N33/20 ,  G01N33/38 ,  G01N17/02 ,  G01N27/12 ,  G01N27/04

CPC分类号： G01N27/125 ,  G01N17/02 ,  G01N17/04 ,  G01N27/048 ,  G01N27/4167 ,  G01N33/20 ,  G01N33/383

摘要： A sensor device includes a first electrode, a second electrode and a functional element. The first electrode includes a porous body having a connecting hole where adjacent holes communicate with each other with the porous body being in at least the vicinity of a surface of the first electrode. The second electrode is spaced apart from the first electrode. The functional element is configured to measure a difference in electric potential between the first electrode and the second electrode. The sensor device is configured to measure a state of a site to be measured based on the difference in electric potential as measured by the functional element.

摘要翻译： 传感器装置包括第一电极，第二电极和功能元件。 第一电极包括具有连接孔的多孔体，其中相邻的孔彼此连通，多孔体至少在第一电极的表面附近。 第二电极与第一电极间隔开。 功能元件被配置为测量第一电极和第二电极之间的电位差。 传感器装置被配置为基于由功能元件测量的电位差来测量要测量的位置的状态。