公开(公告)号：US09496139B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14116318

申请日：2012-03-19

申请人： Takeshi Kadono ,  Kazunari Kurita

发明人： Takeshi Kadono ,  Kazunari Kurita

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/146 ,  H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L27/14698 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/36

摘要： The present invention provides a method of more efficiently producing a semiconductor epitaxial wafer, which can suppress metal contamination by achieving higher gettering capability.A method of producing a semiconductor epitaxial wafer 100 according to the present invention includes a first step of irradiating a semiconductor wafer 10 with cluster ions 16 to form a modifying layer 18 formed from a constituent element of the cluster ions 16 in a surface portion 10A of the semiconductor wafer; and a second step of forming an epitaxial layer 20 on the modifying layer 18 of the semiconductor wafer 10.

摘要翻译： 根据本发明的制造半导体外延晶片100的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10，以形成由簇离子16的构成元素形成的改性层18，该修饰层18在表面部分10A的 半导体晶片; 以及在半导体晶片10的改性层18上形成外延层20的第二步骤。

公开(公告)号：US20140080247A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US14116318

申请日：2012-03-19

申请人： Takeshi Kadono ,  Kazunari Kurita

发明人： Takeshi Kadono ,  Kazunari Kurita

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/146 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L27/14698 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/36

摘要： The present invention provides a method of more efficiently producing a semiconductor epitaxial wafer, which can suppress metal contamination by achieving higher gettering capability.A method of producing a semiconductor epitaxial wafer 100 according to the present invention includes a first step of irradiating a semiconductor wafer 10 with cluster ions 16 to form a modifying layer 18 formed from a constituent element of the cluster ions 16 in a surface portion 10A of the semiconductor wafer; and a second step of forming an epitaxial layer 20 on the modifying layer 18 of the semiconductor wafer 10.

摘要翻译： 本发明提供了一种更有效地制造半导体外延晶片的方法，其可以通过实现更高的吸杂能力来抑制金属污染。 根据本发明的制造半导体外延晶片100的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10，以形成由簇离子16的构成元素形成的改性层18，该修饰层18在表面部分10A的 半导体晶片; 以及在半导体晶片10的改性层18上形成外延层20的第二步骤。

公开(公告)号：US20160181311A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：US14442355

申请日：2013-11-11

申请人： Takeshi Kadono ,  Kazunari Kurita

发明人： Takeshi Kadono ,  Kazunari Kurita

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/324 ,  H01L29/167 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167

摘要： The present invention provides a method of producing a semiconductor epitaxial wafer, which can suppress metal contamination by achieving higher gettering capability.The method of producing a semiconductor epitaxial wafer includes a first step of irradiating a surface portion 10A of a semiconductor wafer 10 with cluster ions 16 thereby forming a modifying layer 18 formed from carbon and a dopant element contained as a solid solution that are constituent elements of the cluster ions 16, in the surface portion 10A of the semiconductor wafer; and a second step of forming an epitaxial layer 20 on the modifying layer 18 of the semiconductor wafer, the epitaxial layer 20 having a dopant element concentration lower than the peak concentration of the dopant element in the modifying layer 18.

摘要翻译： 本发明提供一种制造半导体外延晶片的方法，其可以通过实现更高的吸杂能力来抑制金属污染。 制造半导体外延晶片的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10的表面部分10A，从而形成由碳形成的改性层18和作为固溶体的掺杂元素，该固溶体是作为 在半导体晶片的表面部分10A中的簇离子16; 以及在半导体晶片的改性层18上形成外延层20的第二步骤，该外延层20的掺杂剂元素浓度低于改性层18中的掺杂剂元素的峰值浓度。

公开(公告)号：US20120190749A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13390642

申请日：2010-08-31

申请人： Michikazu Hara ,  Takeshi Kadono ,  Takahiro Ishikawa

发明人： Michikazu Hara ,  Takeshi Kadono ,  Takahiro Ishikawa

IPC分类号： A01N41/04 ,  C02F1/68 ,  A61L9/00 ,  A01P1/00 ,  B01J19/00

CPC分类号： A01N41/04 ,  A01N61/00 ,  C02F1/001 ,  C02F1/50

摘要： It is an object of the present invention to provide a novel sterilization method capable of killing not only microorganisms in water, but also microorganisms in a gas. Specifically, the present invention provide a method for sterilizing a gas or liquid, comprising contacting a microorganism in a gas or liquid with a material containing an amorphous carbon having a sulfo group introduced therein.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够不仅杀死水中的微生物，而且还能杀死气体中的微生物的新型灭菌方法。 具体地说，本发明提供一种对气体或液体进行灭菌的方法，包括使气体或液体中的微生物与含有引入其中的磺基的无定形碳的材料接触。

公开(公告)号：US08765067B1

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US14122051

申请日：2012-05-25

申请人： Takeshi Kadono ,  Satoshi Sumiya ,  Lifeng Wang

发明人： Takeshi Kadono ,  Satoshi Sumiya ,  Lifeng Wang

IPC分类号： B01D50/00 ,  B01J29/06

CPC分类号： B01D53/94 ,  B01D53/944 ,  B01D2255/1021 ,  B01D2255/1023 ,  B01D2255/407 ,  B01D2255/502 ,  B01D2255/504 ,  B01D2255/9025 ,  B01D2255/908 ,  B01D2255/912 ,  B01D2258/012 ,  B01J23/10 ,  B01J23/38 ,  B01J23/44 ,  B01J29/10 ,  B01J29/44 ,  B01J29/67 ,  B01J29/7415 ,  B01J29/743 ,  B01J29/80 ,  B01J35/0073 ,  B01J35/04 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/0246 ,  B01J2229/186 ,  B01J2229/42 ,  F01N3/2828 ,  F01N2510/063 ,  F01N2510/0684 ,  Y02A50/2341

摘要： An exhaust gas oxidation catalyst characterized as an exhaust gas oxidation catalyst comprising a catalyst substrate, wherein a plurality of exhaust gas channels has been formed, and a catalyst layer formed on the surface of the exhaust gas channels in the catalyst substrate; wherein a catalyst layer consisting of a bottom catalyst layer, a top catalyst layer exposed within the exhaust gas channels, and an intermediate catalyst layer located between the bottom catalyst layer and top catalyst layer, is provided so as to cover not less than 25% of the exhaust gas channel surface, and wherein the bottom catalyst layer contains at least an oxygen-occluding agent as catalyst component but does not contain a hydrocarbon adsorbent, the intermediate catalyst layer contains at least catalyst metal, supported on a metal oxide support, and a hydrocarbon adsorbent as catalyst components, and the top catalyst layer contains at least an oxygen-occluding agent and a hydrocarbon adsorbent as catalyst components.

摘要翻译： 一种废气氧化催化剂，其特征在于包括催化剂基板的废气氧化催化剂，其中形成有多个废气通道，以及形成在催化剂基板的排气通道的表面上的催化剂层; 其特征在于，设置由底部催化剂层，在排气通道内露出的顶部催化剂层和位于底部催化剂层与顶部催化剂层之间的中间催化剂层构成的催化剂层，以覆盖不低于 所述废气通道表面，并且其中所述底部催化剂层至少含有作为催化剂组分的吸氧剂，但不含烃吸附剂，所述中间催化剂层至少含有负载在金属氧化物载体上的催化剂金属，和 碳氢化合物吸附剂作为催化剂组分，顶部催化剂层至少含有吸氧剂和烃类吸附剂作为催化剂组分。

公开(公告)号：US6149045A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US267886

申请日：1999-04-02

申请人： Takeshi Kadono

发明人： Takeshi Kadono

IPC分类号： G03G15/00 ,  B65H23/032 ,  B65H5/00 ,  B65H23/035 ,  B65H29/70

CPC分类号： G03G15/6567 ,  G03G15/1665 ,  G03G2215/00405

摘要： A paper sheet supplying apparatus comprises a transfer guide unit, a register unit and a paper sheet sending-out unit. The supplying apparatus supplies a paper sheet through the transfer guide unit to the register unit from the paper sheet sending-out unit. The guide unit has a straight portion and a curved portion, and guides the paper sheet from the sending-out unit to the register unit. An inwardly indented curved surface of the curved portion, on which the paper sheet is in contact, has a plurality of ribs separated from each other. Not more than three ribs of the plurality of ribs are arranged in a center region of the curved surface in the transfer direction, and the remaining ribs of the plurality of ribs are arranged in each side region located proximate the center region. Each of the ribs in the center region has a first height, and each rib in each side region has a height which is smaller than the first height.

摘要翻译： 纸张供给装置包括转印引导单元，记录单元和纸张发送单元。 供给装置通过转印引导单元将纸张从纸张发送单元提供给定位单元。 引导单元具有直线部分和弯曲部分，并且将纸张从发送单元引导到寄存器单元。 弯曲部分的向内凹入的弯曲表面在纸张接触的弯曲部分上具有彼此分离的多个肋。 多个肋中不超过三个肋被布置在传送方向上的弯曲表面的中心区域中，并且多个肋中的剩余肋布置在靠近中心区域的每个侧面区域中。 中心区域中的每个肋具有第一高度，并且每个侧区域中的每个肋具有小于第一高度的高度。

公开(公告)号：US09357774B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US13390642

申请日：2010-08-31

申请人： Michikazu Hara ,  Takeshi Kadono ,  Takahiro Ishikawa

发明人： Michikazu Hara ,  Takeshi Kadono ,  Takahiro Ishikawa

IPC分类号： A01N41/04 ,  C02F1/50 ,  A01N61/00 ,  C02F1/00

CPC分类号： A01N41/04 ,  A01N61/00 ,  C02F1/001 ,  C02F1/50

摘要： It is an object of the present invention to provide a novel sterilization method capable of killing not only microorganisms in water, but also microorganisms in a gas. Specifically, the present invention provide a method for sterilizing a gas or liquid, comprising contacting a microorganism in a gas or liquid with a material containing an amorphous carbon having a sulfo group introduced therein.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够不仅杀死水中的微生物，而且还能杀死气体中的微生物的新型灭菌方法。 具体地说，本发明提供一种对气体或液体进行灭菌的方法，包括使气体或液体中的微生物与含有引入其中的磺基的无定形碳的材料接触。

公开(公告)号：US20140193306A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：US14122051

申请日：2012-05-25

申请人： Takeshi Kadono ,  Satoshi Sumiya ,  Lifeng Wang

发明人： Takeshi Kadono ,  Satoshi Sumiya ,  Lifeng Wang

IPC分类号： B01D53/94 ,  B01J29/74 ,  B01J29/80

CPC分类号： B01D53/94 ,  B01D53/944 ,  B01D2255/1021 ,  B01D2255/1023 ,  B01D2255/407 ,  B01D2255/502 ,  B01D2255/504 ,  B01D2255/9025 ,  B01D2255/908 ,  B01D2255/912 ,  B01D2258/012 ,  B01J23/10 ,  B01J23/38 ,  B01J23/44 ,  B01J29/10 ,  B01J29/44 ,  B01J29/67 ,  B01J29/7415 ,  B01J29/743 ,  B01J29/80 ,  B01J35/0073 ,  B01J35/04 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/0246 ,  B01J2229/186 ,  B01J2229/42 ,  F01N3/2828 ,  F01N2510/063 ,  F01N2510/0684 ,  Y02A50/2341

摘要： An exhaust gas oxidation catalyst characterised as an exhaust gas oxidation catalyst comprising a catalyst substrate, wherein a plurality of exhaust gas channels has been formed, and a catalyst layer formed on the surface of the exhaust gas channels in the catalyst substrate; wherein a catalyst layer consisting of a bottom catalyst layer, a top catalyst layer exposed within the exhaust gas channels, and an intermediate catalyst layer located between the bottom catalyst layer and top catalyst layer, is provided so as to cover not less than 25% of the exhaust gas channel surface, and wherein the bottom catalyst layer contains at least an oxygen-occluding agent as catalyst component but does not contain a hydrocarbon adsorbent, the intermediate catalyst layer contains at least catalyst metal, supported on a metal oxide support, and a hydrocarbon adsorbent as catalyst components, and the top catalyst layer contains at least an oxygen-occluding agent and a hydrocarbon adsorbent as catalyst components.

摘要翻译： 一种废气氧化催化剂，其特征在于包括催化剂基板的废气氧化催化剂，其中形成有多个排气通道，以及形成在催化剂基板的排气通道的表面上的催化剂层; 其特征在于，设置由底部催化剂层，在排气通道内露出的顶部催化剂层和位于底部催化剂层与顶部催化剂层之间的中间催化剂层构成的催化剂层，以覆盖不低于 所述废气通道表面，并且其中所述底部催化剂层至少含有作为催化剂组分的吸氧剂，但不含烃吸附剂，所述中间催化剂层至少含有负载在金属氧化物载体上的催化剂金属，和 碳氢化合物吸附剂作为催化剂组分，顶部催化剂层至少含有吸氧剂和烃类吸附剂作为催化剂组分。