公开(公告)号：US20090095711A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12237806

申请日：2008-09-25

申请人： Takeshi Koshiba ,  Yumi Nakajima ,  Tetsuro Nakasugi ,  Kazuo Tawarayama ,  Ikuo Yoneda ,  Hiroyuki Mizuno

发明人： Takeshi Koshiba ,  Yumi Nakajima ,  Tetsuro Nakasugi ,  Kazuo Tawarayama ,  Ikuo Yoneda ,  Hiroyuki Mizuno

IPC分类号： B44C1/22 ,  B29C43/02

CPC分类号： B29C43/021 ,  B29C33/303 ,  B29C43/003 ,  B29C43/58 ,  B29C2043/025 ,  B29C2043/142 ,  B29C2043/525 ,  B29C2043/5833 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7042 ,  G03F9/7088

摘要： A microfabrication apparatus for pressing an original plate including a pattern down on a substrate to transfer the pattern on the substrate includes a first measurement unit for measuring relative positional displacement between the substrate and the plate above the substrate, a position correction unit for correcting relative position between the substrate and the plate such that the pattern is to be transferred on a first predetermined position of the substrate based on the relative positional displacement measured by the first measurement unit, a pressing unit for pressing the plate above the substrate down on the substrate to transfer the pattern on the substrate in a state that the relative positional displacement between the substrate and the plate is corrected by the position correction unit, and a second measurement unit for measuring relative positional relationship between the pattern transferred on the substrate and a pattern previously formed on the substrate.

摘要翻译： 一种用于将包括图案的原稿板压在基板上以将图案转印到基板上的微加工装置包括：第一测量单元，用于测量基板和基板上方的板之间的相对位置偏移;位置校正单元，用于校正相对位置 在基板和板之间，基于由第一测量单元测量的相对位置位移，将图案转印到基板的第一预定位置上;按压单元，用于将基板上方的基板向下压在基板上， 在通过位置校正单元校正基板和板之间的相对位置偏移的状态下，在基板上转印图案;以及第二测量单元，用于测量在基板上传送的图案与先前形成的图案之间的相对位置关系 在基板上。

公开(公告)号：US20100055584A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12548154

申请日：2009-08-26

申请人： Takashi SATO ,  Kazuya Fukuhara ,  Yumi Nakajima

发明人： Takashi SATO ,  Kazuya Fukuhara ,  Yumi Nakajima

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  G03B27/54

CPC分类号： G03F9/7069 ,  G03B27/54 ,  G03F9/7065

摘要： An exposure device according to an embodiment includes an exposure light source for irradiating a reflective mask with an exposure light, an alignment light source for irradiating the reflective mask with an alignment light and an optical element having a structure that a light path of the exposure light extending from the alignment light source to the reflective mask shares at least part in common with a light path of the alignment light extending from the alignment light source to the reflective mask.

摘要翻译： 根据实施例的曝光装置包括用于用曝光灯照射反射掩模的曝光光源，用于用对准光照射反射掩模的对准光源和具有曝光光的光路的结构的光学元件 从对准光源延伸到反射掩模，至少部分地与从对准光源延伸到反射掩模的对准光的光路共同。

公开(公告)号：US20120068372A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13233426

申请日：2011-09-15

申请人： Akiko Mimotogi ,  Ryoichi Inanami ,  Kentaro Kasa ,  Masato Suzuki ,  Manabu Takakuwa ,  Yohko Furutono ,  Yumi Nakajima

发明人： Akiko Mimotogi ,  Ryoichi Inanami ,  Kentaro Kasa ,  Masato Suzuki ,  Manabu Takakuwa ,  Yohko Furutono ,  Yumi Nakajima

IPC分类号： B28B11/08 ,  B29C45/76

CPC分类号： G03F7/002 ,  G03F9/7042

摘要： According to one embodiment, a nanoimprint template using a pattern transcription to a substrate by a nanoimprint technique, the template includes a transcription pattern and an alignment mark on a main surface of a main body, wherein the alignment mark comprises a polarizer.

摘要翻译： 根据一个实施方案，使用通过纳米压印技术将图案转录到底物的纳米压印模板，所述模板包括在主体的主表面上的转录图案和对准标记，其中所述对准标记包括偏振器。

公开(公告)号：US08071263B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12490910

申请日：2009-06-24

申请人： Ryoichi Inanami ,  Yumi Nakajima ,  Masamitsu Itoh

发明人： Ryoichi Inanami ,  Yumi Nakajima ,  Masamitsu Itoh

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/08

CPC分类号： G03F1/24

摘要： A reflective mask comprising: a reflective layer that is arranged on a surface on a side on which EUV light is irradiated and reflects the EUV light; a buffer layer containing Cr that is arranged on a side of the reflective layer on which the EUV light is irradiated and covers an entire surface of the reflective layer; and a non-reflective layer that is arranged on a side of the buffer layer on which the EUV light is irradiated and in which an absorber that absorbs the irradiated EUV light is arranged in a position corresponding to a mask pattern to be reduced and transferred onto a wafer.

摘要翻译： 一种反射掩模，包括：反射层，其被布置在其上照射有EUV光的一侧的表面上并且反射所述EUV光; 包含Cr的缓冲层，其布置在其上照射有EUV光的反射层的一侧并覆盖反射层的整个表面; 以及布置在其上照射有EUV光的缓冲层侧的非反射层，并且其中吸收被照射的EUV光的吸收体被布置在与要被还原并转移到其上的掩模图案相对应的位置 晶圆。

公开(公告)号：US20120040293A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13282497

申请日：2011-10-27

申请人： Ryoichi Inanami ,  Yumi Nakajima ,  Masamitsu Itoh

发明人： Ryoichi Inanami ,  Yumi Nakajima ,  Masamitsu Itoh

IPC分类号： G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G03F1/24

摘要： A reflective mask comprising: a reflective layer that is arranged on a surface on a side on which EUV light is irradiated and reflects the EUV light; a buffer layer containing Cr that is arranged on a side of the reflective layer on which the EUV light is irradiated and covers an entire surface of the reflective layer; and a non-reflective layer that is arranged on a side of the buffer layer on which the EUV light is irradiated and in which an absorber that absorbs the irradiated EUV light is arranged in a position corresponding to a mask pattern to be reduced and transferred onto a wafer.

摘要翻译： 一种反射掩模，包括：反射层，其被布置在其上照射有EUV光的一侧的表面上并且反射所述EUV光; 包含Cr的缓冲层，其布置在其上照射有EUV光的反射层的一侧并覆盖反射层的整个表面; 以及布置在其上照射有EUV光的缓冲层侧的非反射层，并且其中吸收被照射的EUV光的吸收体被布置在与要被还原并转移到其上的掩模图案相对应的位置 晶圆。

公开(公告)号：US20100003608A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12494094

申请日：2009-06-29

申请人： Yumi Nakajima ,  Masaru Suzuki ,  Takashi Sato

发明人： Yumi Nakajima ,  Masaru Suzuki ,  Takashi Sato

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/36

摘要： A method for generating data on mask pattern used to form a device pattern formed on a reflective exposure mask, wherein data on the mask pattern is generated based on a position correction amount table used to correct an amount of transfer position error occurring depending on at least one of pattern size and pattern pitch of the mask pattern when the mask pattern is transferred onto an exposure target member.

摘要翻译： 一种用于生成用于形成反射曝光掩模上形成的器件图案的掩模图案上的数据的方法，其中基于用于校正至少发生的传输位置误差量的位置校正量表来生成掩模图案上的数据 当掩模图案被转印到曝光目标构件上时掩模图案的图案尺寸和图案间距之一。

公开(公告)号：US08728711B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12971468

申请日：2010-12-17

申请人： Yumi Nakajima ,  Suigen Kyoh ,  Ryoichi Inanami

发明人： Yumi Nakajima ,  Suigen Kyoh ,  Ryoichi Inanami

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/82 ,  G03F7/70925

摘要： In one embodiment, a method for cleaning a reticle stage of an extreme ultraviolet exposure apparatus is disclosed. The method can include pressing a particle catching layer of a cleaning reticle onto the reticle stage, and the cleaning reticle includes the particle catching layer formed on a substrate. The method can include peeling the cleaning reticle from the reticle stage. The method can include removing the particle catching layer from the substrate. I addition, the method can include forming a new particle catching layer on the substrate having the particle catching layer removed.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了一种用于清洁极紫外曝光设备的掩模版台的方法。 该方法可以包括将清洁掩模版的颗粒捕获层压在分划板台上，并且清洁掩模版包括形成在基板上的颗粒捕获层。 该方法可以包括从掩模版阶段剥离清洁掩模版。 该方法可以包括从基底去除颗粒捕获层。 另外，该方法可以包括在除去了颗粒捕获层的基板上形成新的颗粒捕获层。

公开(公告)号：US08187773B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12494094

申请日：2009-06-29

申请人： Yumi Nakajima ,  Masaru Suzuki ,  Takashi Sato

发明人： Yumi Nakajima ,  Masaru Suzuki ,  Takashi Sato

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/36

摘要： A method for generating data on mask pattern used to form a device pattern formed on a reflective exposure mask, wherein data on the mask pattern is generated based on a position correction amount table used to correct an amount of transfer position error occurring depending on at least one of pattern size and pattern pitch of the mask pattern when the mask pattern is transferred onto an exposure target member.

摘要翻译： 一种用于生成用于形成反射曝光掩模上形成的器件图案的掩模图案上的数据的方法，其中基于用于校正至少发生的传输位置误差量的位置校正量表来生成掩模图案上的数据 当掩模图案被转印到曝光目标构件上时掩模图案的图案尺寸和图案间距之一。