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    Magnetoresistance effect element
    1.
    发明授权
    Magnetoresistance effect element 失效
    磁阻效应元件

    公开(公告)号：US5315282A

    公开(公告)日：1994-05-24

    申请号：US820866

    申请日：1992-01-21

    申请人： Teruya Shinjo ,  Hidefumi Yamamoto ,  Toshio Takada

    发明人： Teruya Shinjo ,  Hidefumi Yamamoto ,  Toshio Takada

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L43/10

    CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  H01L43/08 ,  G11B2005/3996

    摘要： A magnetoresistance effect element including a substrate and at least two magnetic thin layers which are laminated with interposing a non-magnetic thin layer therebetween on said substrate, wherein adjacent magnetic thin layers through the non-magnetic thin layer have different coercive forces and each of the magnetic thin layers and the non-magnetic layer has a thickness of not larger than 200 .ANG., which has a large magnetoresistance ratio of several % to several ten % at a small external magnetic field of several Oe to several ten Oe and can provide a MR sensor having a high sensitivity and a MR head which achieves high density magnetic recording.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP91 / 00671 Sec。 371日期：1992年1月21日 102（e）日期1992年1月21日PCT 1991年5月20日PCT PCT。 公开号WO91 / 18424 日本1991年11月28日。一种磁阻效应元件，包括基板和至少两个磁性薄层，所述至少两个磁性薄层层叠在所述基板之间，其间具有非磁性薄层，其中通过非磁性薄层的相邻磁性薄层具有 不同的矫顽力和磁性薄层和非磁性层中的每一个具有不大于200的厚度，其在几个Oe到几个的小的外部磁场下具有几％至几十％的大的磁阻比 十Oe，并且可以提供具有高灵敏度的MR传感器和实现高密度磁记录的MR头。

    Magnetoresistance effect element
    4.
    发明授权
    Magnetoresistance effect element 失效
    磁阻效应元件

    公开(公告)号：US5432661A

    公开(公告)日：1995-07-11

    申请号：US191200

    申请日：1994-02-03

    申请人： Teruya Shinjo ,  Yasuhiro Kawawake ,  Toshio Takada, deceased

    发明人： Teruya Shinjo ,  Yasuhiro Kawawake ,  Toshio Takada, deceased

    IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  G11B5/127

    CPC分类号： B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetoresistance effect element is provided which comprises a substrate on which a first magnetic layer having a thickness of 0.2 to 5 nm which contains cobalt, a second magnetic layer having a thickness of not larger than 5 nm which contains iron or nickel or an alloy thereof, a third magnetic layer having a thickness of 0.2 to 5 nm which contains cobalt and a nonmagnetic layer having a thickness of 0.5 to 5 nm are laminated in this order at least twice, wherein the thickness of the second magnetic layer is not larger than half of the total thickness of the first and third magnetic layers. The element is useful as a magnetoresistance sensor or head.

    摘要翻译： 提供了一种磁电阻效应元件，其包括其上含有钴的厚度为0.2至5nm的第一磁性层，含有铁或镍的厚度不大于5nm的第二磁性层或其合金的衬底 含有钴的厚度为0.2〜5nm的第三磁性层和厚度为0.5〜5nm的非磁性层的厚度依次层叠至少两次，其中第二磁性层的厚度不大于一半 的第一和第三磁性层的总厚度。 该元件可用作磁阻传感器或磁头。