公开(公告)号：US07305605B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US10629813

申请日：2003-07-30

申请人： Tetsuya Shirogane ,  Tetsuya Uemura ,  Atsushi Tanaka

发明人： Tetsuya Shirogane ,  Tetsuya Uemura ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： G06F15/16 ,  H03M13/03 ,  H03M13/00 ,  H04L1/18

CPC分类号： H04L1/0009 ,  H04L1/16

摘要： A storage system capable of restoring data even if packets have been lost in exchanges of the data between storage apparatus each conforming to an iSCSI protocol adopting an FEC technique. In a storage system comprising storage apparatus each conforming to an iSCSI protocol adopting an FEC technique, each of the storage apparatus is provided with an FEC function and, when data is transmitted from an iSCSI layer to another iSCSI layer, the state of an FEC process and a redundancy of the data transmission are changed to values suitable for a transmission destination prior to the transmission so that the data can be restored at the destination of transmission.

摘要翻译： 即使在符合采用FEC技术的iSCSI协议的存储装置之间的数据交换中，数据包已经丢失，也能够恢复数据的存储系统。 在包括符合采用FEC技术的iSCSI协议的存储装置的存储系统中，每个存储装置都具有FEC功能，并且当数据从iSCSI层传输到另一个iSCSI层时，FEC进程的状态 并且数据传输的冗余被改变为适于发送之前的发送目的地的值，使得可以在传输目的地恢复数据。

公开(公告)号：US06832292B2

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10335854

申请日：2003-01-03

申请人： Atsushi Tanaka ,  Tetsuya Uemura

发明人： Atsushi Tanaka ,  Tetsuya Uemura

IPC分类号： G06F1200

CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0617 ,  G06F3/065 ,  G06F3/067 ,  G06F11/2056 ,  G06F11/2064

摘要： In the multiple access storage system, when there is a data access request designated by a data frame transmitted from a host computer to a storage blade SB#0 through a network for data, the data frame is transferred to SB#2 having possibility of presence of data corresponding to the data access request if the data is not found in SB#0. If the data is not found in SB#2 either and the number of transmission times of the data frame between SBs as counted in the data frame is not smaller than the threshold of the number of transmission times set as an equal value in each SB, SB#2 broadcasts the data frame to all SBs having possibility of presence of the data. If the number of transmission times is smaller than the threshold, SB#2 transfers the data frame to another SB having possibility of presence of the data.

摘要翻译： 在多路访问存储系统中，当存在由主机通过数据网络向存储刀片SB＃0发送的数据帧指定的数据访问请求时，将数据帧传送到具有存在的可能性的SB＃2 如果在SB＃0中没有找到数据，则对应于数据访问请求的数据。 如果在SB＃2中没有找到数据，并且在数据帧中计数的SB之间的数据帧的传输次数不小于在每个SB中设置为相等值的传输次数的阈值， SB＃2向可能存在数据的所有SB广播数据帧。 如果发送次数小于阈值，则SB＃2将数据帧传送到具有数据存在的可能性的另一个SB。

公开(公告)号：US09454197B2

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：US13982385

申请日：2011-01-28

申请人： Atsushi Tanaka ,  Hiroshi Murakami

发明人： Atsushi Tanaka ,  Hiroshi Murakami

IPC分类号： G06F1/32 ,  G06F1/26 ,  G06F1/00 ,  H02M3/155 ,  H02M3/157

CPC分类号： G06F1/28 ,  G06F1/26 ,  G06F1/266 ,  G06F1/32 ,  H02M3/155 ,  H02M3/157 ,  H02M3/158

摘要： A controller is formed as one chip, and controls a voltage regulator that supplies a power supply voltage to a CPU. The controller includes: an input unit for receiving a monitor voltage for monitoring the power supply voltage applied to the CPU; a control unit for detecting that the power supply voltage is decreased to a target voltage by the monitor voltage with the voltage regulator being in OFF state in a discharge mode; and an output unit for outputting a result signal indicating to make transition to a normal mode, when the power supply voltage has reached the target voltage. The control unit includes a calculation circuit, which is operated in accordance with a program. The calculation circuit is provided between the input unit and the output unit.

摘要翻译： 控制器形成为一个芯片，并且控制向CPU提供电源电压的电压调节器。 控制器包括：输入单元，用于接收用于监视施加到CPU的电源电压的监视电压; 控制单元，用于在放电模式下通过所述电压调节器处于截止状态来检测所述电源电压被所述监视电压降低到目标电压; 以及输出单元，用于当电源电压达到目标电压时，输出指示转换到正常模式的结果信号。 控制单元包括根据程序操作的计算电路。 计算电路设置在输入单元和输出单元之间。

公开(公告)号：US09387464B2

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：US14384283

申请日：2013-04-26

申请人： Masahide Miura ,  Atsushi Tanaka ,  Takahiro Suzuki ,  Tadashi Suzuki ,  Toshitaka Tanabe ,  Naoki Takahashi

发明人： Masahide Miura ,  Atsushi Tanaka ,  Takahiro Suzuki ,  Tadashi Suzuki ,  Toshitaka Tanabe ,  Naoki Takahashi

IPC分类号： B01J23/00 ,  B01J23/08 ,  B01J23/10 ,  B01J23/40 ,  B01J23/42 ,  B01J23/44 ,  B01J23/56 ,  B01J23/70 ,  B01J23/74 ,  B01J23/89 ,  B01J35/00 ,  B01J23/745 ,  B01J23/83 ,  C01G25/00 ,  C01G49/00 ,  B01J37/02 ,  B01J37/03

CPC分类号： B01J23/894 ,  B01J21/066 ,  B01J23/10 ,  B01J23/745 ,  B01J23/83 ,  B01J35/0006 ,  B01J35/002 ,  B01J37/0248 ,  B01J37/03 ,  C01G25/00 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/0054 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/12

摘要： A composite oxide with a high oxygen storage capacity is provided without using cerium. The composite oxide is an iron oxide-zirconia composite oxide containing iron, zirconium, and a rare-earth element. The total content of Fe2O3, ZrO2, and an oxide of the rare-earth element is not less than 90 mass %, the content of an iron oxide in terms of Fe2O3 is 10 to 90 mass %, and the absolute value of the covariance COV(Fe, Zr+X) of the composite oxide, which has been baked in the atmosphere at a temperature of greater than or equal to 900° C. for 5 hours or more, is not greater than 20.

摘要翻译： 提供具有高储氧能力的复合氧化物，而不使用铈。 复合氧化物是含有铁，锆和稀土元素的氧化铁 - 氧化锆复合氧化物。 Fe2O3，ZrO2和稀土类元素的氧化物的总含量为90质量％以上，Fe 2 O 3的氧化铁含量为10〜90质量％，协方差COV的绝对值 在大气中在大气压900℃以上焙烧5小时以上的复合氧化物（Fe，Zr + X）不大于20。

公开(公告)号：US20130332706A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US14001026

申请日：2012-05-14

申请人： Atsushi Tanaka

发明人： Atsushi Tanaka

IPC分类号： G06F9/00

CPC分类号： G06F9/00 ,  G06F13/385

摘要： There are included a communication part performing communication with other device; a command managing part transmitting a command of an own device to other device and receiving a command of other device to acquire the command of other device by the communication part, and managing the command of the own device and the command of other device; and a command processing part executing processing of a function corresponding to the command of the own device by the own device when a command selected from the commands managed by the command managing part is the command of the own device, and executing processing of a function corresponding to the command of other device by the other device when the command selected is the command of the other device.

摘要翻译： 包括与其他设备进行通信的通信部件; 命令管理部，将自身设备的命令发送到其他设备，并接收其他设备的命令以通过通信部分获取其他设备的命令，并管理自身设备的命令和其他设备的命令; 以及命令处理部，当从由命令管理部管理的命令中选择的命令为自身装置的命令时，通过自身装置执行与本装置的命令对应的功能的处理，并执行对应的功能的处理 当所选择的命令是另一设备的命令时，由另一设备指定其他设备。

公开(公告)号：US20120280826A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13552092

申请日：2012-07-18

申请人： Atsushi Tanaka

发明人： Atsushi Tanaka

IPC分类号： G08B21/00

CPC分类号： H04N7/17318 ,  H04N21/4126 ,  H04N21/4143 ,  H04N21/4182 ,  H04N21/4722 ,  H04N21/6582

摘要： A management apparatus for managing a content display change time on a display apparatus and content information to be transmitted to a terminal determines the content information to be transmitted to the terminal on the basis of a reception time of a content information request command transmitted from the terminal and the content display change time on the display apparatus.

摘要翻译： 用于管理显示装置上的内容显示改变时间的管理装置和要发送到终端的内容信息根据从终端发送的内容信息请求命令的接收时间来确定要发送到终端的内容信息 和显示装置上的内容显示改变时间。

公开(公告)号：US08299461B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12797632

申请日：2010-06-10

申请人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

发明人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor includes: a substrate; and, on the substrate, an oxide semiconductor film which serves as an active layer and contains In, Ga, and Zn, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, and a drain electrode, wherein, when a molar ratio of In, Ga, and Zn in the oxide semiconductor film is expressed as In:Ga:Zn=(2.0−x):x:y, wherein 0.0

摘要翻译： 薄膜晶体管包括：基板; 并且在基板上具有用作有源层并且包含In，Ga和Zn的氧化物半导体膜，栅电极，栅绝缘膜，源电极和漏电极，其中，当摩尔比 In，Ga和Zn表示为In：Ga：Zn =（2.0-x）：x：y，其中0.0

公开(公告)号：US07983605B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11845489

申请日：2007-08-27

申请人： Minoru Nakamura ,  Ryota Kashiwabara ,  Atsushi Tanaka

发明人： Minoru Nakamura ,  Ryota Kashiwabara ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： G03G15/08

CPC分类号： G03G15/0818 ,  G03G2215/0634 ,  G03G2215/0861

摘要： A developing member is disclosed which can lessen the occurring of banding. The developing member has a shaft member, an elastic layer provided on the shaft member, and a resin layer provided on the surface, wherein the resin layer contains a urethane resin and a non-reactive silicone compound, and the non-reactive silicone compound has a polyether moiety whose total number of carbon atoms ranges from 3 to 9.

摘要翻译： 公开了一种可以减少条纹发生的显影部件。 显影部件具有轴构件，设置在轴构件上的弹性层和设置在表面上的树脂层，其中树脂层包含聚氨酯树脂和非反应性硅氧烷化合物，并且非反应性硅氧烷化合物具有 总碳原子数为3〜9的聚醚部分。

公开(公告)号：US20110060162A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12991197

申请日：2009-05-28

申请人： Kiyoshi Tatsuhara ,  Tomoaki Sugiyama ,  Atsushi Tanaka ,  Toshihiko Setoguchi

发明人： Kiyoshi Tatsuhara ,  Tomoaki Sugiyama ,  Atsushi Tanaka ,  Toshihiko Setoguchi

IPC分类号： C07C51/00 ,  B01J8/18 ,  B01J8/00 ,  C07C45/00 ,  C07C41/01 ,  C07C29/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B01J8/005 ,  B01J8/1836 ,  B01J2208/00592 ,  B01J2208/00681 ,  B01J2219/00006 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162

摘要： Included are a nano-carbon material production unit for producing a nano-carbon material using a fluidized catalyst formed by granulating a carrier supporting an active component, an acid treatment unit for dissolving and separating a catalyst by an acid solution by feeding a catalyst-containing nano-carbon material into the acid solution, and a pH adjustment unit, which is an anti-agglomeration treatment unit, provided on a downstream side of the acid treatment unit, for performing an anti-agglomeration treatment to prevent agglomeration among nano-carbons due to repulsion caused by dissociation among oxygen-containing functional groups added to the nano-carbon material.

摘要翻译： 包括使用流化催化剂制造纳米碳材料的纳米碳材料生产单元，所述流化催化剂通过使支撑活性组分的载体成粒而形成，酸处理单元，用于通过酸溶液溶解和分离催化剂， 将酸性溶液中的纳米碳材料和作为抗附聚处理单元的pH调节单元设置在酸处理单元的下游侧，进行抗附聚处理以防止纳米碳之间的附聚 由添加到纳米碳材料中的含氧官能团之间的离解引起的排斥。

公开(公告)号：US07804088B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US12418991

申请日：2009-04-06

申请人： Atsushi Tanaka ,  Ken-ichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

发明人： Atsushi Tanaka ,  Ken-ichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a semiconductor layer having a channel region, the channel region is made from an oxide semiconductor which satisfies Vc/Va>4 where Vc is a volume ratio of a crystalline component and Va is a volume ratio of a non-crystalline component.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和具有沟道区的半导体层，沟道区由满足Vc / Va> 4的氧化物半导体制成，其中Vc是结晶成分的体积比，Va是非结晶成分的体积比， 晶体成分。