公开(公告)号：US20050207704A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10915607

申请日：2004-08-10

申请人： Thomas Keyser ,  Cheisan Yue

发明人： Thomas Keyser ,  Cheisan Yue

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/26 ,  G02F1/015 ,  G02F1/025

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02B2006/12142 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2202/105

摘要： The present invention provides silicon based thin-film structures that can be used to form high frequency optical modulators. Devices of the invention are formed as layered structures that have a thin-film dielectric layer, such as silicon dioxide, sandwiched between silicon layers. In one aspect of the invention an electrical contact structure is provided. The electrical contact structure comprises a connecting portion that electrically connects an active region of at least one of the silicon layers to a contact portion of the electrical contact structure.

摘要翻译： 本发明提供了可用于形成高频光学调制器的硅基薄膜结构。 本发明的器件形成为具有夹在硅层之间的诸如二氧化硅的薄膜电介质层的分层结构。 在本发明的一个方面，提供一种电接触结构。 电接触结构包括将至少一个硅层的有源区电连接到电接触结构的接触部分的连接部分。

公开(公告)号：US20060063679A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11224808

申请日：2005-09-13

申请人： Cheisan Yue ,  Thomas Keyser

发明人： Cheisan Yue ,  Thomas Keyser

IPC分类号： H01L39/22

CPC分类号： G02F1/025

摘要： A semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) device is presented along with a device for fabricating the same. The SIS device includes a lower semiconductor layer, an upper semiconductor layer, and a central insulating layer located between the overlapping portions of the lower semiconductor layer and the upper semiconductor layer. The central insulating layer is nitridized in order to make the layer less permeable to dopant species and to therefore minimize dopant cross-diffusion. Subsequently the switching characteristics of the SIS device are optimized when the SIS device is used as, for example, an integrated optical modulator.

摘要翻译： 呈现了半导体 - 绝缘体半导体（SIS）器件及其制造装置。 SIS器件包括下半导体层，上半导体层和位于下半导体层和上半导体层的重叠部分之间的中心绝缘层。 将中心绝缘层氮化以使层对掺杂物种类的渗透性较差，从而使掺杂剂交叉扩散最小化。 随后，当SIS器件用作例如集成光调制器时，SIS器件的开关特性被优化。

公开(公告)号：US20050208694A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10915081

申请日：2004-08-10

申请人： Cheisan Yue ,  Thomas Keyser

发明人： Cheisan Yue ,  Thomas Keyser

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/225 ,  H01L21/84 ,  G02B6/10

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/2257

摘要： The present invention provides silicon based thin-film structures that can be used to form high frequency optical modulators. Devices of the invention are formed as layered structures that have a thin-film dielectric layer, such as silicon dioxide, sandwiched between silicon layers. The silicon layers have high free carrier mobility. In one aspect of the invention a single crystal silicon material is bonded to a thin-film dielectric material to form a silicon-insulator-silicon thin-film structure for an optical modulator.

摘要翻译： 本发明提供了可用于形成高频光学调制器的硅基薄膜结构。 本发明的器件形成为具有夹在硅层之间的诸如二氧化硅的薄膜电介质层的分层结构。 硅层具有高自由载流子迁移率。 在本发明的一个方面，将单晶硅材料结合到薄膜电介质材料上以形成用于光学调制器的硅 - 绝缘体 - 硅薄膜结构。

公开(公告)号：US20050207691A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10915299

申请日：2004-08-10

申请人： Thomas Keyser ,  Cheisan Yue ,  Bradley Larsen

发明人： Thomas Keyser ,  Cheisan Yue ,  Bradley Larsen

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02F1/025 ,  H01L21/77

CPC分类号： G02B6/132 ,  G02B6/131 ,  G02F1/025

摘要： The present invention provides silicon based thin-film structures that can be used to form high frequency optical modulators. Devices of the invention are formed as layered structures that have a thin-film dielectric layer, such as silicon dioxide, sandwiched between silicon layers. The silicon layers have high free carrier mobility. In one aspect of the invention a high mobility silicon layer can be provided by crystallizing an amorphous silicon layer. In another aspect of the invention, a high mobility silicon layer can be provided by using selective epitaxial growth and extended lateral overgrowth thereof.

摘要翻译： 本发明提供了可用于形成高频光学调制器的硅基薄膜结构。 本发明的器件形成为具有夹在硅层之间的诸如二氧化硅的薄膜电介质层的分层结构。 硅层具有高自由载流子迁移率。 在本发明的一个方面，可以通过使非晶硅层结晶来提供高迁移率硅层。 在本发明的另一方面，通过使用选择性外延生长和其延伸的横向过度生长，可以提供高迁移率硅层。

公开(公告)号：US20070101927A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11271107

申请日：2005-11-10

申请人： Thomas Keyser ,  Cheisan Yue

发明人： Thomas Keyser ,  Cheisan Yue

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B21/06 ,  C30B27/02 ,  C30B28/10 ,  C30B30/04

CPC分类号： G02B6/136 ,  G02B6/131 ,  G02B6/132

摘要： Silicon based thin-film optical waveguides and method of making. A method in accordance with one aspect of the present invention generally comprises the steps of providing a substrate, depositing a thin-film dielectric layer on the substrate, forming a channel in the thin-film dielectric layer, and providing a silicon layer in the channel. The silicon layer provided in the channel can be epitaxially grown in the channel. In another aspect of the present invention, the silicon layer provided in the channel can be provided as an amorphous or partially crystalline material that is subsequently crystallized.

摘要翻译： 硅基薄膜光波导及其制造方法。 根据本发明的一个方面的方法通常包括以下步骤：提供衬底，在衬底上沉积薄膜电介质层，在薄膜电介质层中形成通道，以及在沟道中提供硅层 。 设置在通道中的硅层可以在通道中外延生长。 在本发明的另一方面，提供在通道中的硅层可以提供为随后结晶的无定形或部分结晶的材料。

公开(公告)号：US20100140670A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12628889

申请日：2009-12-01

申请人： Andy Peczalski ,  Robert E. Higashi ,  Gordon Alan Shaw ,  Thomas Keyser

发明人： Andy Peczalski ,  Robert E. Higashi ,  Gordon Alan Shaw ,  Thomas Keyser

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L27/0617 ,  B81C1/00246 ,  H01L27/12

摘要： A method of forming CMOS circuitry integrated with MEMS devices includes bonding a wafer to a top surface layer having contacts formed to CMOS circuitry. A handle wafer is then removed from one of the top or bottom surfaces of the CMOS circuitry, and MEMS devices are formed in a remaining silicon layer.

摘要翻译： 形成与MEMS器件集成的CMOS电路的方法包括将晶片接合到具有形成于CMOS电路的触点的顶表面层。 然后从CMOS电路的顶表面或底表面中的一个去除处理晶片，并且MEMS器件形成在剩余的硅层中。

公开(公告)号：US20070263224A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11433965

申请日：2006-05-15

申请人： Thomas Keyser ,  Glen Sanders ,  Grenville Hughes ,  Lee Strandjord

发明人： Thomas Keyser ,  Glen Sanders ,  Grenville Hughes ,  Lee Strandjord

IPC分类号： G01C19/72

CPC分类号： G01C19/72 ,  G01C19/727

摘要： Methods and apparatus are provided for a low cost optical gyro using thin film waveguides to direct light beams among the components of the gyro. The gyro includes a substrate having an insulator layer, a silicon waveguide formed on the insulator layer, and a resonator coupled to the silicon waveguide and configured to circulate a portion of a first light beam in a first counter-propagating direction and circulate a portion of a second light beam in a second counter-propagating direction. The first silicon waveguide propagates the first and second light beams therethrough. Each of the first and second light beams has a resonance frequency when circulating in the resonator.

摘要翻译： 提供了一种低成本光学陀螺仪的方法和装置，其使用薄膜波导将光束引导到陀螺仪的部件之中。 陀螺仪包括具有绝缘体层的基板，形成在绝缘体层上的硅波导和耦合到硅波导的谐振器，并被配置为使第一光束的第一反向传播方向的一部分循环并使 在第二反向传播方向上的第二光束。 第一硅波导将第一和第二光束传播通过其中。 第一和第二光束中的每一个在谐振器中循环时具有谐振频率。

公开(公告)号：US07868362B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12252452

申请日：2008-10-16

申请人： Todd Andrew Randazzo ,  Ronald James Jensen ,  Thomas Keyser

发明人： Todd Andrew Randazzo ,  Ronald James Jensen ,  Thomas Keyser

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/764 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/12 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/101 ,  H01L31/115 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A hypersensitive semiconductor die structure is disclosed, in which flip-chip packaging is used in conjunction with a modified SOI die in which a thick silicon support substrate has been removed to increase sensitivity of the sensing device. Rather than being located beneath layers of interconnects and dielectric, the disclosed structure places the sensing devices close to the surface, more closely exposed to the environment in which sensing is to occur. The structure also allows for the placement of sensing films on nearer to the sensing devices and/or an oxide layer overlying the sensing devices.

摘要翻译： 公开了一种过敏半导体管芯结构，其中倒装芯片封装与已经去除厚硅支撑衬底的改进的SOI管芯结合使用以增加感测器件的灵敏度。 所公开的结构不是位于互连和电介质层之下，而是将感测装置放置在靠近表面的位置，更接近地暴露于将要进行感测的环境中。 该结构还允许将感测膜放置在更靠近感测装置和/或覆盖感测装置的氧化物层上。

公开(公告)号：US20090045475A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11838539

申请日：2007-08-14

申请人： Hong Wan ,  Grenville Hughes ,  Thomas Keyser

发明人： Hong Wan ,  Grenville Hughes ,  Thomas Keyser

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01R15/207 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A high density integrated processing and sensing chip includes an integrated signal processing circuit formed on one side of a substrate and a magnetic sensor element formed on an opposing side of the substrate. In one embodiment, the integrated signal processing circuit and the magnetic sensor are able to electrically connected to one another through vias or through metallic trace elements provided by a package frame.

摘要翻译： 高密度集成处理和感测芯片包括形成在基板的一侧上的集成信号处理电路和形成在基板的相对侧上的磁传感器元件。 在一个实施例中，集成信号处理电路和磁传感器能够通过通孔或通过由封装框架提供的金属微量元件彼此电连接。

公开(公告)号：US07454102B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11412738

申请日：2006-04-26

申请人： Thomas Keyser ,  Grenville Hughes

发明人： Thomas Keyser ,  Grenville Hughes

IPC分类号： G02B6/34 ,  G02B6/10

CPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/136 ,  G02B6/34 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4204

摘要： An optoelectronic coupling structure, a method of manufacture, and a method of operation are described. The optical coupling structure includes a waveguide that is formed within a device layer of an SOI substrate. A prism is located on a bottom side of the SOI substrate. A BOX layer of the SOI substrate, which is interposed between the prism and the waveguide, serves as a spacer region, which promotes an optical coupling of the prism to the waveguide. By positioning the prism below the waveguide, an optoelectronic IC may more readily accommodate a prism. The prism may be directly fabricated in a bulk layer of the SOI substrate or directly bonded to a bottom side surface of the BOX layer.

摘要翻译： 描述了光电耦合结构，制造方法和操作方法。 光耦合结构包括形成在SOI衬底的器件层内的波导。 棱镜位于SOI衬底的底侧。 介于棱镜和波导之间的SOI衬底的BOX层用作间隔区域，其促进棱镜与波导的光耦合。 通过将棱镜定位在波导下方，光电子IC可以更容易地容纳棱镜。 棱镜可以直接制造在SOI衬底的本体层中或直接结合到BOX层的底侧表面。