公开(公告)号：US20100203722A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12765662

申请日：2010-04-22

申请人： Tien-I BAO ,  Syun-Ming JANG

发明人： Tien-I BAO ,  Syun-Ming JANG

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1089

摘要： A method for processing a semiconductor structure includes the steps of capping a top surface of the semiconductor structure that defines the metallization layer with a thin stop layer, forming a dielectric layer over the thin stop layer, wherein the dielectric layer defines at least one area where the thin stop layer is exposed, and removing the exposed thin stop layer to expose a top surface of the metallization layer using etchant gases substantially free from oxygen, so that the metallization layer is substantially free of damage.

摘要翻译： 一种用于处理半导体结构的方法包括以下步骤：用薄的阻挡层覆盖限定金属化层的半导体结构的顶表面，在薄的停止层上形成电介质层，其中介电层限定至少一个区域， 暴露薄的止挡层，并且使用基本上不含氧的蚀刻剂气体去除暴露的薄止挡层以暴露金属化层的顶表面，使得金属化层基本上没有损坏。

公开(公告)号：US20130127055A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13434691

申请日：2012-03-29

申请人： Chien-An CHEN ,  Wen-Jiun LIU ,  Chun-Chieh LIN ,  Hung-Wen SU ,  Ming-Hsing TSAI ,  Syun-Ming JANG

发明人： Chien-An CHEN ,  Wen-Jiun LIU ,  Chun-Chieh LIN ,  Hung-Wen SU ,  Ming-Hsing TSAI ,  Syun-Ming JANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The mechanisms of forming an interconnect structures described above involves using a reflowed conductive layer. The reflowed conductive layer is thicker in smaller openings than in wider openings. The mechanisms may further involve forming a metal cap layer over the reflow conductive layer, in some embodiments. The interconnect structures formed by the mechanisms described have better electrical and reliability performance.

摘要翻译： 形成上述互连结构的机理涉及使用回流导电层。 较小的开口中的回流导电层比较宽的开口厚。 在一些实施例中，这些机构还可以包括在回流导电层上形成金属盖层。 由所述机构形成的互连结构具有更好的电气和可靠性性能。

公开(公告)号：US20130267099A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13442040

申请日：2012-04-09

申请人： Weibo YU ,  Kuo Bin HUANG ,  Chao-Cheng CHEN ,  Syun-Ming JANG

发明人： Weibo YU ,  Kuo Bin HUANG ,  Chao-Cheng CHEN ,  Syun-Ming JANG

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67109 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： A method and apparatus for dispensing a liquid etchant onto a wafer dispenses the liquid etchant onto a wafer using a scanning dispensing nozzle while controlling the dispensing temperature of the etchant in real time as a function of the radial position of the dispensing nozzle over the wafer. The dispensing temperature of the etchant is controlled to enhance the effectiveness of the etchant and thus compensate for the lower etching rate zones in the wafer.

摘要翻译： 用于将液体蚀刻剂分配到晶片上的方法和设备使用扫描分配喷嘴将液体蚀刻剂分配到晶片上，同时根据分配喷嘴在晶片上的径向位置实时控制蚀刻剂的分配温度。 控制蚀刻剂的分配温度以提高蚀刻剂的有效性，从而补偿晶片中较低的蚀刻速率区域。