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    SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURE THEREOF 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20090045394A1

    公开(公告)日：2009-02-19

    申请号：US12189972

    申请日：2008-08-12

    申请人： Tim Michael Smeeton ,  Katherine Louise Smith ,  Mathieu Xavier Senes ,  Stewart Edward Hooper

    发明人： Tim Michael Smeeton ,  Katherine Louise Smith ,  Mathieu Xavier Senes ,  Stewart Edward Hooper

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device comprises depositing a semiconductor layer over a semiconductor surface having at least one first region with a first (average surface lattice) parameter value and at least one second region having a second parameter value different from the first. The semiconductor layer is deposited to a thickness so self-organised islands form over both the first and second regions. The difference in the parameter value means the islands over the first region have a first average parameter value and the islands over the second region have a second average parameter value different from the first. A capping layer is deposited over islands and has a greater forbidden bandgap than the islands whereby the islands form quantum dots, which have different properties over the first and second regions due to difference(s) between the first and second region islands.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面具有至少一个具有第一（平均表面晶格）参数值的第一区域和至少一个第二区域，该第二区域具有与第一参数值不同的第二参数值。 半导体层被沉积成厚度，从而在第一和第二区域上形成自组织的岛状物。 参数值的差异意味着第一区域上的岛具有第一平均参数值，并且第二区域上的岛具有与第一区不同的第二平均参数值。 覆盖层沉积在岛上并且具有比岛更大的禁止带隙，由此岛由于第一和第二区域之间的差异而形成量子点，其在第一和第二区域上具有不同的性质。

    NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号：US20110079767A1

    公开(公告)日：2011-04-07

    申请号：US12995773

    申请日：2009-06-03

    申请人： Mathieu Xavier Senes ,  Katherine Louise Smith ,  Victoria Broadley ,  Stewart Edward Hooper

    发明人： Mathieu Xavier Senes ,  Katherine Louise Smith ,  Victoria Broadley ,  Stewart Edward Hooper

    IPC分类号： H01L33/04 ,  B82Y20/00

    CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G06N10/00 ,  H01S5/041 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/3412

    摘要： A nitride semiconductor device comprises: a layer structure including an active region (102) containing AlxGayIn1-x-yN quantum dots layers (102a), and means (104a,104b) for applying an electric field across the active region to modify the spin orientation of excitons in the quantum dots. The exciton spin lifetime at 300K is, for at least a range of values of the electric field applied across the active region, at least 1 ns, more preferably at least 10 ns, and particularly preferably at least 15 ns or 20 ns. These lifetimes may be obtained by configuring the device such that the exciton binding energy is, for at least a range of values of the electric field applied across the active region, 25 meV or greater.

    摘要翻译： 氮化物半导体器件包括：包括含有Al x Ga y In 1-x-y N量子点层（102a）的有源区（102）的层结构，以及用于在有源区上施加电场以修改自旋取向的装置（104a，104b） 的量子点中的激子。 对于在有源区域施加的电场的至少一个值的范围，300K处的激子自旋寿命至少为1ns，更优选为至少10ns，特别优选为至少15ns或20ns。 这些寿命可以通过将器件配置成使激子结合能量在施加在有源区域上的电场的至少一个值的范围为25meV或更大的范围内来获得。

    Semiconductor device and a method of manufacture thereof
    4.
    发明授权
    Semiconductor device and a method of manufacture thereof 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08334157B2

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12189972

    申请日：2008-08-12

    申请人： Tim Michael Smeeton ,  Katherine Louise Smith ,  Mathieu Xavier Sénès ,  Stewart Edward Hooper

    发明人： Tim Michael Smeeton ,  Katherine Louise Smith ,  Mathieu Xavier Sénès ,  Stewart Edward Hooper

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device comprises depositing a semiconductor layer over a semiconductor surface having at least one first region with a first (average surface lattice) parameter value and at least one second region having a second parameter value different from the first. The semiconductor layer is deposited to a thickness so self-organized islands form over both the first and second regions. The difference in the parameter value means the islands over the first region have a first average parameter value and the islands over the second region have a second average parameter value different from the first. A capping layer is deposited over islands and has a greater forbidden bandgap than the islands whereby the islands form quantum dots, which have different properties over the first and second regions due to difference(s) between the first and second region islands.

    摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面具有至少一个具有第一（平均表面晶格）参数值的第一区域和至少一个第二区域，该第二区域具有与第一参数值不同的第二参数值。 半导体层被沉积成厚度，从而在第一和第二区域上形成自组织的岛状物。 参数值的差异意味着第一区域上的岛具有第一平均参数值，并且第二区域上的岛具有与第一区不同的第二平均参数值。 覆盖层沉积在岛上并且具有比岛更大的禁止带隙，由此岛由于第一和第二区域之间的差异而形成量子点，其在第一和第二区域上具有不同的性质。