利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

70 条记录 (耗时 0.035 秒)

    METHODS OF FORMING A METAL CHALCOGENIDE MATERIAL, RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE
    3.
    发明申请
    METHODS OF FORMING A METAL CHALCOGENIDE MATERIAL, RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE 有权
    形成金属氯化铝材料的方法，形成半导体器件结构的相关方法以及相关的半导体器件结构

    公开(公告)号：US20140027775A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US13556751

    申请日：2012-07-24

    申请人： Timothy A. Quick ,  Stefan Uhlenbrock ,  Eugene P. Marsh

    发明人： Timothy A. Quick ,  Stefan Uhlenbrock ,  Eugene P. Marsh

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0272

    CPC分类号： H01L21/02568 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0324

    摘要： Accordingly, a method of forming a metal chalcogenide material may comprise introducing at least one metal precursor and at least one chalcogen precursor into a chamber comprising a substrate, the at least one metal precursor comprising an amine or imine compound of an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a post-transition metal, or a metalloid, and the at least one chalcogen precursor comprising a hydride, alkyl, or aryl compound of sulfur, selenium, or tellurium. The at least one metal precursor and the at least one chalcogen precursor may be reacted to form a metal chalcogenide material over the substrate. A method of forming a metal telluride material, a method of forming a semiconductor device structure, and a semiconductor device structure are also described.

    摘要翻译： 因此，形成金属硫族化物材料的方法可以包括将至少一种金属前体和至少一种硫属前体引入包含基底的室中，所述至少一种金属前体包含碱金属的胺或亚胺化合物，碱 土金属，过渡金属，后过渡金属或准金属，以及所述至少一种硫族元素前体包含硫，硒或碲的氢化物，烷基或芳基化合物。 所述至少一种金属前体和所述至少一种硫属前体可以反应以在所述基底上形成金属硫族化物材料。 还描述了形成金属碲化物材料的方法，形成半导体器件结构的方法和半导体器件结构。

    Methods of forming a metal chalcogenide material
    5.
    发明授权
    Methods of forming a metal chalcogenide material 有权
    形成金属硫族化物材料的方法

    公开(公告)号：US08741688B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US13556751

    申请日：2012-07-24

    申请人： Timothy A. Quick ,  Stefan Uhlenbrock ,  Eugene P. Marsh

    发明人： Timothy A. Quick ,  Stefan Uhlenbrock ,  Eugene P. Marsh

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/02568 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0324

    摘要： Accordingly, a method of forming a metal chalcogenide material may comprise introducing at least one metal precursor and at least one chalcogen precursor into a chamber comprising a substrate, the at least one metal precursor comprising an amine or imine compound of an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a post-transition metal, or a metalloid, and the at least one chalcogen precursor comprising a hydride, alkyl, or aryl compound of sulfur, selenium, or tellurium. The at least one metal precursor and the at least one chalcogen precursor may be reacted to form a metal chalcogenide material over the substrate. A method of forming a metal telluride material, a method of forming a semiconductor device structure, and a semiconductor device structure are also described.

    摘要翻译： 因此，形成金属硫族化物材料的方法可以包括将至少一种金属前体和至少一种硫属前体引入包含基底的室中，所述至少一种金属前体包含碱金属的胺或亚胺化合物，碱 土金属，过渡金属，后过渡金属或准金属，以及所述至少一种硫族元素前体包含硫，硒或碲的氢化物，烷基或芳基化合物。 所述至少一种金属前体和所述至少一种硫属前体可以反应以在所述基底上形成金属硫族化物材料。 还描述了形成金属碲化物材料的方法，形成半导体器件结构的方法和半导体器件结构。

    PHASE CHANGE MEMORY CELL STRUCTURES AND METHODS
    10.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY CELL STRUCTURES AND METHODS 有权
    相变存储器单元结构和方法

    公开(公告)号：US20120097911A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：US13342172

    申请日：2012-01-02

    申请人： Timothy A. Quick ,  Eugene P. Marsh ,  Joseph N. Greeley

    发明人： Timothy A. Quick ,  Eugene P. Marsh ,  Joseph N. Greeley

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144

    摘要： Phase change memory cell structures and methods are described herein. A number of methods of forming a phase change memory cell structure include forming a dielectric stack structure on a first electrode, wherein forming the dielectric stack structure includes creating a second region between a first region and a third region of the dielectric stack structure, the second region having a thermal conductivity different than a thermal conductivity of the first region and different than a thermal conductivity of the third region of the dielectric stack. One or more embodiments include forming a via through the first, second, and third regions of the dielectric stack structure, depositing a phase change material in the via, and forming a second electrode on the phase change material.

    摘要翻译： 本文描述了相变存储器单元结构和方法。 形成相变存储单元结构的多种方法包括在第一电极上形成电介质堆叠结构，其中形成电介质叠层结构包括在电介质叠层结构的第一区和第三区之间形成第二区，第二 区域，其热导率不同于第一区域的热导率，并且不同于介电叠层的第三区域的热导率。 一个或多个实施例包括通过介电堆叠结构的第一，第二和第三区域形成通孔，在通孔中沉积相变材料，以及在相变材料上形成第二电极。