公开(公告)号：US07633130B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11725350

申请日：2007-03-19

申请人： Tobin J. Marks ,  Peide Ye ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Han Chung Lin

发明人： Tobin J. Marks ,  Peide Ye ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Han Chung Lin

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L51/052 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3122

摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.

摘要翻译： 包括III-V半导体和有机栅极介电材料的场效应晶体管器件，诸如能够在器件设计和制造中提供灵活性的介电材料。

公开(公告)号：US08524562B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12560282

申请日：2009-09-15

申请人： Wei-E Wang ,  Han Chung Lin ,  Marc Meuris

发明人： Wei-E Wang ,  Han Chung Lin ,  Marc Meuris

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3006 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A method to reduce (avoid) Fermi Level Pinning (FLP) in high mobility semiconductor compound channel such as Ge and III-V compounds (e.g. GaAs or InGaAs) in a Metal Oxide Semiconductor (MOS) device. The method is using atomic hydrogen which passivates the interface of the high mobility semiconductor compound with the gate dielectric and further repairs defects. The methods further improve the MOS device characteristics such that a MOS device with a quantum well is created.

摘要翻译： 在金属氧化物半导体（MOS）器件中的诸如Ge和III-V化合物（例如GaAs或InGaAs）的高迁移率半导体化合物通道中减少（避免）费米能级固定（FLP）的方法。 该方法使用原子氢，其使高迁移率半导体化合物的界面与栅极电介质钝化，并进一步修复缺陷。 该方法进一步改善了MOS器件特性，使得产生具有量子阱的MOS器件。

公开(公告)号：US20100065824A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12560282

申请日：2009-09-15

申请人： Wei-E Wang ,  Han Chung Lin ,  Marc Meuris

发明人： Wei-E Wang ,  Han Chung Lin ,  Marc Meuris

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3006 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A method to reduce (avoid) Fermi Level Pinning (FLP) in high mobility semiconductor compound channel such as Ge and III-V compounds (e.g. GaAs or InGaAs) in a Metal Oxide Semiconductor (MOS) device. The method is using atomic hydrogen which passivates the interface of the high mobility semiconductor compound with the gate dielectric and further repairs defects. The methods further improve the MOS device characteristics such that a MOS device with a quantum well is created.

摘要翻译： 在金属氧化物半导体（MOS）器件中的诸如Ge和III-V化合物（例如GaAs或InGaAs）的高迁移率半导体化合物通道中减少（避免）费米能级固定（FLP）的方法。 该方法使用原子氢，其使高迁移率半导体化合物的界面与栅极电介质钝化，并进一步修复缺陷。 该方法进一步改善了MOS器件特性，使得产生具有量子阱的MOS器件。