公开(公告)号：US07633130B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11725350

申请日：2007-03-19

申请人： Tobin J. Marks ,  Peide Ye ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Han Chung Lin

发明人： Tobin J. Marks ,  Peide Ye ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Han Chung Lin

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L51/052 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3122

摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.

摘要翻译： 包括III-V半导体和有机栅极介电材料的场效应晶体管器件，诸如能够在器件设计和制造中提供灵活性的介电材料。

公开(公告)号：US20110253970A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13065396

申请日：2011-03-21

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

公开(公告)号：US20090050876A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12131697

申请日：2008-06-02

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

摘要翻译： 公开了具有高场效应迁移率的完全透明的纳米线晶体管。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管包括一个或多个纳米线，由透明无机或有机材料制备的栅极电介质，以及制造在透明衬底上的透明源极，漏极和栅极触点。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管也可以是机械灵活的。

公开(公告)号：US07910932B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12131697

申请日：2008-06-02

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

摘要翻译： 公开了具有高场效应迁移率的完全透明的纳米线晶体管。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管包括一个或多个纳米线，由透明无机或有机材料制备的栅极电介质，以及制造在透明衬底上的透明源极，漏极和栅极触点。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管也可以是机械灵活的。

公开(公告)号：US20070284629A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11725350

申请日：2007-03-19

申请人： Tobin Marks ,  Peide Ye ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Han Lin

发明人： Tobin Marks ,  Peide Ye ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Han Lin

IPC分类号： H01L29/812

CPC分类号： H01L51/052 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3122

摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.

摘要翻译： 包括III-V半导体和有机栅极介电材料的场效应晶体管器件，诸如能够在器件设计和制造中提供灵活性的介电材料。

公开(公告)号：US20100024883A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12563680

申请日：2009-09-21

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

IPC分类号： H01L31/0256 ,  C08G77/60 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0094 ,  H01L51/0508 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/31504

摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.

摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供了包含式I的重复单元的聚合物：其中R1，R2，R3，R4，R5R6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。

公开(公告)号：US07816480B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12563680

申请日：2009-09-21

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

IPC分类号： C08G77/04

CPC分类号： H01L51/0094 ,  H01L51/0508 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/31504

摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.

摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供了包含式I的重复单元的聚合物：其中R1，R2，R3，R4，R5R6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。

公开(公告)号：US07605225B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11803020

申请日：2007-05-11

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0094 ,  H01L51/0508 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/31504

摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5, R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.

摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供包含式I的重复单元的聚合物：其中R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。

公开(公告)号：US08093588B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12562800

申请日：2009-09-18

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

IPC分类号： H01L35/34 ,  C08J7/04

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078

摘要： Dielectric compositions comprising siloxane and polymeric components, as can be used in a range of transistor and related device configurations.

摘要翻译： 包含硅氧烷和聚合物组分的介电组合物，可用于晶体管和相关器件配置的范围。

公开(公告)号：US20110284849A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13111545

申请日：2011-05-19

申请人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537

摘要： Disclosed are thin film transistor devices incorporating a crosslinked inorganic-organic hybrid blend material as the gate dielectric. The blend material, obtained by thermally curing a mixture of an inorganic oxide precursor sol and an organosilane crosslinker at relatively low temperatures, can afford a high gate capacitance, a low leakage current density, and a smooth surface, and can be used to enable satisfactory transistor device performance at low operating voltages.

摘要翻译： 公开了掺入交联的无机 - 有机混合共混材料作为栅极电介质的薄膜晶体管器件。 通过在较低温度下热固化无机氧化物前体溶胶和有机硅烷交联剂的混合物获得的共混材料可以提供高栅极电容，低漏电流密度和光滑表面，并且可以用于令人满意 晶体管器件在低工作电压下的性能。