公开(公告)号：US08785310B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13427343

申请日：2012-03-22

申请人： Toshio Hasegawa ,  Kunihiro Tada ,  Hideaki Yamasaki ,  David L. O'Meara ,  Gerrit J. Leusink

发明人： Toshio Hasegawa ,  Kunihiro Tada ,  Hideaki Yamasaki ,  David L. O'Meara ,  Gerrit J. Leusink

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

摘要： A method is provided for forming a metal silicide layer on a substrate. According to one embodiment the method includes providing the substrate in a process chamber, exposing the substrate at a first substrate temperature to a plasma generated from a deposition gas containing a metal precursor, where the plasma exposure forms a conformal metal-containing layer on the substrate in a self-limiting process. The method further includes exposing the metal-containing layer at a second substrate temperature to a reducing gas in the absence of a plasma, where the exposing steps are alternatively performed at least once to form the metal silicide layer, and the deposition gas does not contain the reducing gas. The method provides conformal metal silicide formation in deep trenches with high aspect ratios.

摘要翻译： 提供了一种在衬底上形成金属硅化物层的方法。 根据一个实施例，该方法包括在处理室中提供衬底，将衬底在第一衬底温度下暴露于由含有金属前体的沉积气体产生的等离子体，其中等离子体暴露在衬底上形成保形金属含有层 在一个自限制的过程中。 该方法还包括在不存在等离子体的情况下将第二衬底温度下的含金属层暴露于还原气体，其中暴露步骤交替进行一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不含 还原气。 该方法提供了具有高纵横比的深沟槽中的保形金属硅化物形成。

公开(公告)号：US20130196505A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13427343

申请日：2012-03-22

申请人： Toshio Hasegawa ,  Kunihiro Tada ,  Hideaki Yamasaki ,  David L. O'Meara ,  Gerrit J. Leusink

发明人： Toshio Hasegawa ,  Kunihiro Tada ,  Hideaki Yamasaki ,  David L. O'Meara ,  Gerrit J. Leusink

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

摘要： A method is provided for forming a metal silicide layer on a substrate. According to one embodiment the method includes providing the substrate in a process chamber, exposing the substrate at a first substrate temperature to a plasma generated from a deposition gas containing a metal precursor, where the plasma exposure forms a conformal metal-containing layer on the substrate in a self-limiting process. The method further includes exposing the metal-containing layer at a second substrate temperature to a reducing gas in the absence of a plasma, where the exposing steps are alternatively performed at least once to form the metal silicide layer, and the deposition gas does not contain the reducing gas. The method provides conformal metal silicide formation in deep trenches with high aspect ratios.

摘要翻译： 提供了一种在衬底上形成金属硅化物层的方法。 根据一个实施例，该方法包括在处理室中提供衬底，将衬底在第一衬底温度下暴露于由包含金属前体的沉积气体产生的等离子体，其中等离子体暴露在衬底上形成保形的含金属层 在一个自限制的过程中。 该方法还包括在不存在等离子体的情况下将第二衬底温度下的含金属层暴露于还原气体，其中暴露步骤交替进行一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不含 还原气。 该方法提供了具有高纵横比的深沟槽中的保形金属硅化物形成。

公开(公告)号：US20100048009A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12197756

申请日：2008-08-25

申请人： Toshio Hasegawa ,  Gerrit J. Leusink

发明人： Toshio Hasegawa ,  Gerrit J. Leusink

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

摘要： A method for forming an aluminum-doped metal (tantalum or titanium) carbonitride gate electrode for a semiconductor device is described. The method includes providing a substrate containing a dielectric layer thereon, and forming the gate electrode on the dielectric layer in the absence of plasma. The gate electrode is formed by depositing a metal carbonitride film, and adsorbing an atomic layer of an aluminum precursor on the metal carbonitride film. The steps of depositing and adsorbing may be repeated a desired number of times until the aluminum-doped metal carbonitride gate electrode has a desired thickness.

摘要翻译： 描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属（钽或钛）碳氮化物栅电极的方法。 该方法包括在其上提供含有电介质层的衬底，以及在不存在等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。 栅电极通过沉积金属碳氮化物膜并在金属碳氮化物膜上吸附铝前体的原子层而形成。 沉积和吸附的步骤可以重复所需的次数，直到掺杂铝的金属碳氮化物栅极具有期望的厚度。

公开(公告)号：US20100261342A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12823541

申请日：2010-06-25

申请人： Robert D. Clark ,  Gerrit J. Leusink

发明人： Robert D. Clark ,  Gerrit J. Leusink

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/3141 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device containing a buried threshold voltage adjustment layer. The method includes providing a substrate containing an interface layer, depositing a first high-k film on the interface layer, depositing a threshold voltage adjustment layer on the first high-k film, and depositing a second high-k film on the threshold voltage adjustment layer such that the threshold voltage adjustment layer is interposed between the first and second high-k films. The semiconductor device containing a patterned gate stack is described.

摘要翻译： 提供一种用于形成包含掩埋阈值电压调节层的半导体器件的方法。 该方法包括提供包含界面层的衬底，在界面层上沉积第一高k膜，在第一高k膜上沉积阈值电压调节层，以及在阈值电压调节上沉积第二高k膜 使得阈值电压调整层插入在第一和第二高k膜之间。 描述了包含图案化栅极堆叠的半导体器件。

公开(公告)号：US07638002B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US10998420

申请日：2004-11-29

申请人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Masamichi Hara ,  Daisuke Kuroiwa

发明人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Masamichi Hara ,  Daisuke Kuroiwa

IPC分类号： C23C16/00 ,  B01D7/00

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/16

摘要： A high conductance, multi-tray solid precursor evaporation system coupled with a high conductance vapor delivery system is described for increasing deposition rate by increasing exposed surface area of solid precursor. The multi-tray solid precursor evaporation system includes a base tray with one or more upper trays. Each tray is configured to support and retain film precursor in, for example, solid powder form or solid tablet form. Additionally, each tray is configured to provide for a high conductance flow of carrier gas over the film precursor while the film precursor is heated. For example, the carrier gas flows inward over the film precursor, and vertically upward through a flow channel within the stackable trays and through an outlet in the solid precursor evaporation system.

摘要翻译： 描述了与高电导蒸气输送系统耦合的高电导多托盘固体前驱物蒸发系统，以通过增加固体前体的暴露表面积来提高沉积速率。 多托盘固体前体蒸发系统包括具有一个或多个上托盘的基托。 每个托盘被构造成支撑和保持例如固体粉末形式或固体片剂形式的膜前体。 此外，每个托盘构造成在膜前体被加热的同时提供载气在膜前体上的高电导流。 例如，载体气体向内流过膜前体，并且垂直向上流过可堆放托盘内的流动通道并通过固体前驱物蒸发系统中的出口。

公开(公告)号：US06274496B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09553833

申请日：2000-04-21

申请人： Gerrit J. Leusink ,  Michael G. Ward ,  Michael S. Ameen ,  Joseph T. Hillman

发明人： Gerrit J. Leusink ,  Michael G. Ward ,  Michael S. Ameen ,  Joseph T. Hillman

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76856 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76843

摘要： A single chamber method for depositing a stack including titanium and titanium nitride on a wafer surface. Titanium is deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition and then plasma nitrided. Titanium nitride is subsequently deposited by a thermal chemical vapor deposition process. Advantageously, the temperatures of the substrate and showerhead as well as the internal chamber pressure are maintained at substantially constant values throughout deposition of the stack.

摘要翻译： 一种用于在晶片表面上沉积包括钛和氮化钛的叠层的单室法。 钛通过等离子体增强化学气相沉积然后等离子体氮化沉积。 随后通过热化学气相沉积工艺沉积氮化钛。 有利的是，在堆叠的沉积过程中，衬底和喷头的温度以及内部室压力保持在基本恒定的值。

公开(公告)号：US08334183B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12823541

申请日：2010-06-25

申请人： Robert D. Clark ,  Gerrit J. Leusink

发明人： Robert D. Clark ,  Gerrit J. Leusink

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/3141 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device containing a buried threshold voltage adjustment layer. The method includes providing a substrate containing an interface layer, depositing a first high-k film on the interface layer, depositing a threshold voltage adjustment layer on the first high-k film, and depositing a second high-k film on the threshold voltage adjustment layer such that the threshold voltage adjustment layer is interposed between the first and second high-k films. The semiconductor device containing a patterned gate stack is described.

摘要翻译： 提供一种用于形成包含掩埋阈值电压调节层的半导体器件的方法。 该方法包括提供包含界面层的衬底，在界面层上沉积第一高k膜，在第一高k膜上沉积阈值电压调节层，以及在阈值电压调节上沉积第二高k膜 使得阈值电压调整层插入在第一和第二高k膜之间。 描述了包含图案化栅极堆叠的半导体器件。

公开(公告)号：US07488512B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US11007961

申请日：2004-12-09

申请人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Masamichi Hara ,  Daisuke Kuroiwa ,  Sandra G. Malhotra ,  Fenton McFeely ,  Robert R. Young, Jr.

发明人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Masamichi Hara ,  Daisuke Kuroiwa ,  Sandra G. Malhotra ,  Fenton McFeely ,  Robert R. Young, Jr.

IPC分类号： B05D3/00 ,  B22F3/00

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/16

摘要： In a solid precursor evaporation system configured for use in a thin film deposition system, such as thermal chemical vapor deposition (TCVD), a method for preparing one or more trays of solid precursor is described. The solid precursor may be formed on a coating substrate, such as a tray, using one or more of dipping techniques, spin-on techniques, and sintering techniques.

摘要翻译： 在配置用于诸如热化学气相沉积（TCVD）的薄膜沉积系统中的固体前驱物蒸发系统中，描述了制备一种或多种固体前体塔板的方法。 固体前体可以使用浸渍技术，旋涂技术和烧结技术中的一种或多种在诸如托盘的涂布基材上形成。

公开(公告)号：US08197898B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US11092101

申请日：2005-03-29

申请人： Gerrit J. Leusink

发明人： Gerrit J. Leusink

IPC分类号： C23C16/00 ,  B01J19/08 ,  G21H1/00 ,  G21H5/00 ,  H01F45/00 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/4405

摘要： A method and system for depositing a layer from a vaporized solid precursor. The method includes providing a substrate in a process chamber of a deposition system, forming a precursor vapor by light-induced vaporization of a solid precursor, and exposing the substrate to a process gas containing the precursor vapor to deposit a layer including at least one element from the precursor vapor on the substrate.

摘要翻译： 一种用于从蒸发的固体前体沉积层的方法和系统。 该方法包括在沉积系统的处理室中提供衬底，通过固体前体的光诱导蒸发形成前体蒸气，以及将衬底暴露于含有前体蒸气的工艺气体中以沉积包含至少一种元素的层 从基底上的前体蒸气。

公开(公告)号：US07678421B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11856946

申请日：2007-09-18

申请人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Fenton R. McFeely ,  Sandra G. Malhotra

发明人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Fenton R. McFeely ,  Sandra G. Malhotra

IPC分类号： C23C16/16

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

摘要： A method for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors by mixing a vapor of the metal-carbonyl precursor with CO gas. The method includes providing a substrate in a process chamber of a deposition system, forming a process gas containing a metal-carbonyl precursor vapor and a CO gas, and exposing the substrate to the process gas to deposit a metal layer on the substrate by a thermal chemical vapor deposition process.

摘要翻译： 通过将羰基金属前体的蒸气与CO气体混合来提高金属 - 羰基前体的金属层的沉积速率的方法。 该方法包括在沉积系统的处理室中提供衬底，形成含有羰基金属前体蒸气和CO气体的工艺气体，以及将衬底暴露于工艺气体，以通过热量沉积在衬底上的金属层 化学气相沉积工艺。