公开(公告)号：US6037251A

公开(公告)日：2000-03-14

申请号：US3153

申请日：1998-01-06

申请人： Tuby Tu ,  Chin-Ta Wu ,  Chen Kuang-Chao ,  Dinos Huang

发明人： Tuby Tu ,  Chin-Ta Wu ,  Chen Kuang-Chao ,  Dinos Huang

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/0276 ,  H01L21/31055

摘要： A process for intermetal SOG/SOP dielectric planarization without having effect is described. First, a silicon-rich oxide (SRO) layer is formed on a substrate surface. Next, a metal layer and an antireflective coating (ARC) layer are sequentially deposited over the SRO layer. The metal layer and ARC layer are then etched to define metal patterns by the conventional lithography and etching techniques. Next, an Ozone-TEOS (O.sub.3 -TEOS) layer and a SOG layer are then formed over the entire substrate surface. Next, the O.sub.3 -TEOS layer and SOG layer are subjected to etching back treatment to obtain a planar substrate surface which only has a small portion of the O.sub.3 -TEOS layer covered on the substrate surface. The etching back treatment can be PEB, TEB or CMP techniques. Finally, a passivation layer is deposited over the remaining of O.sub.3 -TEOS layer.

摘要翻译： 描述了不具有影响的金属间SOG / SOP电介质平坦化的工艺。 首先，在基板表面上形成富硅氧化物（SRO）层。 接下来，顺序地在SRO层上沉积金属层和抗反射涂层（ARC）层。 然后通过常规的光刻和蚀刻技术蚀刻金属层和ARC层以限定金属图案。 接着，在整个基板表面上形成臭氧-TEOS（O3-TEOS）层和SOG层。 接着，对O3-TEOS层和SOG层进行回蚀处理，得到在基板表面仅覆盖有少部分O3-TEOS层的平面基板表面。 蚀刻后处理可以是PEB，TEB或CMP技术。 最后，钝化层沉积在剩余的O3-TEOS层上。

公开(公告)号：US5883015A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US887886

申请日：1997-07-03

申请人： Kent Liao ,  Dinos Huang ,  Tuby Tu ,  Kuang-Chao Chen ,  Wen-Doe Su

发明人： Kent Liao ,  Dinos Huang ,  Tuby Tu ,  Kuang-Chao Chen ,  Wen-Doe Su

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31612

摘要： The method for depositing a dielectric layer can be used to evenly deposit the dielectric layer to be applied to a semiconductor device. The method includes steps of: a) providing a substrate; b) depositing a first dielectric film on the subtrate; c) introducing an oxygen plasma for eliminating an uneven distribution of charges on a surface of the substrate; and d) forming a second dielectric film on the first dielectric film treated with the oxygen plasma for obtaining the dielectric layer having a uniform thickness on the substrate,

摘要翻译： 用于沉积电介质层的方法可用于均匀地沉积要施加到半导体器件的介质层。 该方法包括以下步骤：a）提供衬底; b）在所述缓冲液上沉积第一介电膜; c）引入氧等离子体以消除基板表面上电荷的不均匀分布; 以及d）在用氧等离子体处理的第一电介质膜上形成第二电介质膜，以获得在衬底上具有均匀厚度的电介质层，