公开(公告)号：US20120097985A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12909367

申请日：2010-10-21

申请人： Wen-Huang Liu ,  Chung-Che Dan ,  Yuan-Hsiao Chang ,  Hung-Jen Kao ,  Chen-Fu Chu ,  Hao-Chun Cheng

发明人： Wen-Huang Liu ,  Chung-Che Dan ,  Yuan-Hsiao Chang ,  Hung-Jen Kao ,  Chen-Fu Chu ,  Hao-Chun Cheng

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/52

CPC分类号： H01L33/54 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A light emitting diode (LED) package includes a substrate, a light emitting diode (LED) die mounted to the substrate, a frame on the substrate, a wire bonded to the light emitting diode (LED) die and to the substrate, and a transparent dome configured as a lens encapsulating the light emitting diode (LED) die. A method for fabricating a light emitting diode (LED) package includes the steps of: providing a substrate; forming a frame on the substrate; attaching a light emitting diode (LED) die to the substrate; wire bonding a wire to the light emitting diode (LED) die and to the substrate; and dispensing a transparent encapsulation material on the frame configured to form a transparent dome and lens for encapsulating the light emitting diode (LED) die.

摘要翻译： 发光二极管（LED）封装包括：衬底，安装到衬底的发光二极管（LED）裸片，衬底上的框架，结合到发光二极管（LED）管芯和衬底的引线，以及 透明圆顶被配置为封装发光二极管（LED）裸片的透镜。 一种制造发光二极管（LED）封装的方法，包括以下步骤：提供衬底; 在基板上形成框架; 将发光二极管（LED）裸片附接到所述基板; 将导线引线连接到发光二极管（LED）管芯和衬底; 并且在所述框架上分配透明封装材料，所述框架被配置成形成用于封装所述发光二极管（LED）裸片的透明圆顶和透镜。

公开(公告)号：US08648370B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13118334

申请日：2011-05-27

申请人： Wen-Huang Liu ,  Yuan-Hsiao Chang ,  Hung-Jen Kao ,  Chung-Che Dan ,  Feng-Hsu Fan ,  Chen-Fu Chu

发明人： Wen-Huang Liu ,  Yuan-Hsiao Chang ,  Hung-Jen Kao ,  Chung-Che Dan ,  Feng-Hsu Fan ,  Chen-Fu Chu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/505 ,  H01L33/504

摘要： The invention relates to a wafer-type light emitting device having a substrate, one or more light emitting semiconductors formed on the substrate, one or more frames provided over the one or more light emitting semiconductors, and one or more wavelength-converting layers applied on the one or more light emitting semiconductors and confined by the one or more frames, wherein the wafer-type light emitting device is diced into a plurality of separate light emitting units.

摘要翻译： 本发明涉及一种晶片型发光器件，其具有衬底，在衬底上形成一个或多个发光半导体，一个或多个框架设置在一个或多个发光半导体上，以及一个或多个波长转换层施加在 所述一个或多个发光半导体并且由所述一个或多个框架限制，其中所述晶片型发光器件被切割成多个单独的发光单元。

公开(公告)号：US20110316017A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13118334

申请日：2011-05-27

申请人： Wen-Huang Liu ,  Yuan-Hsiao Chang ,  Hung-Jen Kao ,  Chung-Che Dan ,  Feng-Hsu Fan ,  Chen-Fu Chu

发明人： Wen-Huang Liu ,  Yuan-Hsiao Chang ,  Hung-Jen Kao ,  Chung-Che Dan ,  Feng-Hsu Fan ,  Chen-Fu Chu

IPC分类号： H01L33/46

CPC分类号： H01L33/505 ,  H01L33/504

摘要： The invention relates to a wafer-type light emitting device having a substrate, one or more light emitting semiconductors formed on the substrate, one or more frames provided over the one or more light emitting semiconductors, and one or more wavelength-converting layers applied on the one or more light emitting semiconductors and confined by the one or more frames, wherein the wafer-type light emitting device is diced into a plurality of separate light emitting units.

摘要翻译： 本发明涉及一种晶片型发光器件，其具有衬底，在衬底上形成一个或多个发光半导体，一个或多个框架设置在一个或多个发光半导体上，以及一个或多个波长转换层施加在 所述一个或多个发光半导体并且由所述一个或多个框架限制，其中所述晶片型发光器件被切割成多个单独的发光单元。

公开(公告)号：US20110316039A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13161254

申请日：2011-06-15

申请人： WEN-HUANG LIU ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： WEN-HUANG LIU ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a metal alloy substrate) may be provided. For some embodiments, both a current guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供包括相邻的高和低接触区域的电流引导结构。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和金属合金衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。

公开(公告)号：US20100258834A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12823866

申请日：2010-06-25

申请人： WEN-HUANG LIU ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： WEN-HUANG LIU ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a metal alloy substrate) may be provided. For some embodiments, both a current guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供包括相邻的高和低接触区域的电流引导结构。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和金属合金衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。

公开(公告)号：US08546818B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13401446

申请日：2012-02-21

申请人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L29/22 ,  H01L31/072 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current-guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a substrate) may be provided. For some embodiments, both a current-guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构，包括相邻的高和低接触区域。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。

公开(公告)号：US08148733B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US13161254

申请日：2011-06-15

申请人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L29/22 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L33/00 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a metal alloy substrate) may be provided. For some embodiments, both a current guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供包括相邻的高和低接触区域的电流引导结构。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和金属合金衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。

公开(公告)号：US08003994B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12823866

申请日：2010-06-25

申请人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a metal alloy substrate) may be provided. For some embodiments, both a current guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供包括相邻的高和低接触区域的电流引导结构。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和金属合金衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。

公开(公告)号：US07759670B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US12136547

申请日：2008-06-10

申请人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： Wen-Huang Liu ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L33/00 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a metal alloy substrate) may be provided. For some embodiments, both a current guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供包括相邻的高和低接触区域的电流引导结构。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和金属合金衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。

公开(公告)号：US20080308829A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12136547

申请日：2008-06-10

申请人： WEN-HUANG LIU ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

发明人： WEN-HUANG LIU ,  Chen-Fu Chu ,  Jiunn-Yi Chu ,  Chao-Chen Cheng ,  Hao-Chun Cheng ,  Feng-Hsu Fan ,  Yuan-Hsiao Chang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques for controlling current flow in semiconductor devices, such as LEDs are provided. For some embodiments, a current guiding structure may be provided including adjacent high and low contact areas. For some embodiments, a second current path (in addition to a current path between an n-contact pad and a metal alloy substrate) may be provided. For some embodiments, both a current guiding structure and second current path may be provided.

摘要翻译： 提供了用于控制诸如LED的半导体器件中的电流的技术。 对于一些实施例，可以提供包括相邻的高和低接触区域的电流引导结构。 对于一些实施例，可以提供第二电流路径（除了n接触焊盘和金属合金衬底之间的电流路径之外）。 对于一些实施例，可以提供电流引导结构和第二电流路径。