公开(公告)号：US07972976B1

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12606920

申请日：2009-10-27

申请人： Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek ,  Nerissa S. Draeger ,  Raashina Humayun ,  Richard S. Hill ,  Jianing Sun ,  Gary William Ray

发明人： Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek ,  Nerissa S. Draeger ,  Raashina Humayun ,  Richard S. Hill ,  Jianing Sun ,  Gary William Ray

IPC分类号： H01L21/4757

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/96

摘要： Porous dielectric layers are produced by introducing pores in pre-formed composite dielectric layers. The pores may be produced after the barrier material, the metal or other conductive material is deposited to form a metallization layer. In this manner, the conductive material is provided with a relatively smooth continuous surface on which to deposit.

摘要翻译： 通过在预先形成的复合电介质层中引入孔来制备多孔电介质层。 可以在阻挡材料，金属或其它导电材料沉积以形成金属化层之后产生孔。 以这种方式，导电材料设置有在其上沉积的相对平滑的连续表面。

公开(公告)号：US07166531B1

公开(公告)日：2007-01-23

申请号：US11050621

申请日：2005-01-31

申请人： Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek ,  Nerissa S. Draeger ,  Raashina Humayun ,  Richard S. Hill ,  Jianing Sun ,  Gary William Ray

发明人： Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek ,  Nerissa S. Draeger ,  Raashina Humayun ,  Richard S. Hill ,  Jianing Sun ,  Gary William Ray

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/96

摘要： Porous dielectric layers are produced by introducing pores in pre-formed composite dielectric layers. The pores may be produced after the barrier material, the metal or other conductive material is deposited to form a metallization layer. In this manner, the conductive material is provided with a relatively smooth continuous surface on which to deposit.

摘要翻译： 通过在预先形成的复合电介质层中引入孔来制备多孔电介质层。 可以在阻挡材料，金属或其它导电材料沉积以形成金属化层之后产生孔。 以这种方式，导电材料设置有在其上沉积的相对平滑的连续表面。

公开(公告)号：US07629224B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11606340

申请日：2006-11-28

申请人： Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek ,  Nerissa S. Draeger ,  Raashina Humayun ,  Richard S. Hill ,  Jianing Sun ,  Gary Ray

发明人： Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek ,  Nerissa S. Draeger ,  Raashina Humayun ,  Richard S. Hill ,  Jianing Sun ,  Gary Ray

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/96

摘要： Porous dielectric layers are produced by introducing pores in pre-formed composite dielectric layers. The pores may be produced after the barrier material, the metal or other conductive material is deposited to form a metallization layer. In this manner, the conductive material is provided with a relatively smooth continuous surface on which to deposit.

摘要翻译： 通过在预先形成的复合电介质层中引入孔来制备多孔电介质层。 可以在阻挡材料，金属或其它导电材料沉积以形成金属化层之后产生孔。 以这种方式，导电材料设置有在其上沉积的相对平滑的连续表面。

公开(公告)号：US08062983B1

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12369384

申请日：2009-02-11

申请人： Nerissa S. Draeger ,  Gary William Ray

发明人： Nerissa S. Draeger ,  Gary William Ray

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1047

摘要： Porous dielectric layers are produced by embedding and removing nanoparticles in composite dielectric layers. The pores may be produced after the barrier material, the metal or other conductive material is deposited to form a metallization layer. In this manner, the conductive material is provided with a relatively smooth continuous surface on which to deposit.

摘要翻译： 通过在复合介电层中包埋和去除纳米颗粒来制备多孔电介质层。 可以在阻挡材料，金属或其它导电材料沉积以形成金属化层之后产生孔。 以这种方式，导电材料设置有在其上沉积的相对平滑的连续表面。

公开(公告)号：US07510982B1

公开(公告)日：2009-03-31

申请号：US11146456

申请日：2005-06-06

申请人： Nerissa S. Draeger ,  Gary William Gray

发明人： Nerissa S. Draeger ,  Gary William Gray

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1047

摘要： Porous dielectric layers are produced by embedding and removing nanoparticles in composite dielectric layers. The pores may be produced after the barrier material, the metal or other conductive material is deposited to form a metallization layer. In this manner, the conductive material is provided with a relatively smooth continuous surface on which to deposit.

摘要翻译： 通过在复合介电层中包埋和去除纳米颗粒来制备多孔电介质层。 可以在阻挡材料，金属或其它导电材料沉积以形成金属化层之后产生孔。 以这种方式，导电材料设置有在其上沉积的相对平滑的连续表面。

公开(公告)号：US08278224B1

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12566085

申请日：2009-09-24

申请人： Collin K. L. Mui ,  Lakshminarayana Nittala ,  Nerissa S. Draeger

发明人： Collin K. L. Mui ,  Lakshminarayana Nittala ,  Nerissa S. Draeger

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/00 ,  B05C1/00 ,  B05C11/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02345

摘要： Methods and apparatus for filling gaps on partially manufactured semiconductor substrates with dielectric material are provided. In certain embodiments, the methods include introducing a first process gas into the processing chamber and accumulating a second process gas in an accumulator maintained at a pressure level substantially highest than that of the processing chamber pressure level. The second process gas is then rapidly introduced from the accumulator into the processing chamber. An excess amount of the second process gas may be provided in the processing chamber during the introduction of the second process gas. Flowable silicon-containing films forms on a surface of the substrate to at least partially fill the gaps.

摘要翻译： 提供了用电介质材料在部分制造的半导体衬底上填充间隙的方法和装置。 在某些实施方案中，所述方法包括将第一工艺气体引入处理室并将第二工艺气体积聚在保持在基本上高于处理室压力水平的压力水平的蓄能器中。 然后将第二工艺气体从蓄能器快速地引入到处理室中。 在引入第二处理气体期间，可以在处理室中设置过量的第二处理气体。 可流动的含硅膜在基材的表面上形成以至少部分地填充间隙。