公开(公告)号：US20030228718A1

公开(公告)日：2003-12-11

申请号：US10397561

申请日：2003-03-25

申请人： Xerox Corporation

发明人： Dasarao K. Murti ,  Beng S. Ong ,  James M. Duff

IPC分类号： H01L051/40

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545

摘要： A field effect transistor composed of: an insulating layer; a gate electrode; a semiconductor layer including an organic semiconductor material and a binder resin; a source electrode; and a drain electrode, wherein the insulating layer, the gate electrode, the semiconductor layer, the source electrode, and the drain electrode are in any sequence as long as the gate electrode and the semiconductor layer both contact the insulating layer, and the source electrode and the drain electrode both contact the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种场效应晶体管，包括：绝缘层; 栅电极; 包括有机半导体材料和粘合剂树脂的半导体层; 源电极; 和漏电极，其中绝缘层，栅极电极，半导体层，源电极和漏极电极只要栅电极和半导体层都接触绝缘层，并且源电极 并且漏电极都接触半导体层。

公开(公告)号：US20040075120A1

公开(公告)日：2004-04-22

申请号：US10273896

申请日：2002-10-17

申请人： Xerox Corporation

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S. Ong ,  Dasarao K. Murti

IPC分类号： H01L029/76 ,  H01L031/062 ,  C30B001/00 ,  H01L021/20

CPC分类号： H01L51/0545 ,  C08G61/02 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541

摘要： A process including: selecting a composition including a polymer and a liquid, wherein the polymer exhibits lower solubility in the liquid at room temperature but exhibits greater solubility in the liquid at an elevated temperature, wherein the composition gels when the elevated temperature is lowered to a first lower temperature without agitation; dissolving at the elevated temperature at least a portion of the polymer in the liquid; lowering the temperature of the composition from the elevated temperature to the first lower temperature; agitating the composition to disrupt any gelling, wherein the agitating commences at any time prior to, simultaneous with, or subsequent to the lowering the elevated temperature of the composition to the first lower temperature; depositing a layer of the composition wherein the composition is at a second lower temperature lower than the elevated temperature; and drying at least partially the layer.

摘要翻译： 一种方法，包括：选择包含聚合物和液体的组合物，其中所述聚合物在室温下在液体中表现出较低的溶解度，但在升高的温度下在液体中表现出较高的溶解度，其中当升高的温度降低至 第一低温无搅动; 在升高的温度下溶解液体中聚合物的至少一部分; 将组合物的温度从升高的温度降低到第一较低温度; 搅拌组合物以破坏任何胶凝，其中搅拌在组合物的升高温度降低到第一较低温度之前，同时或之后的任何时间开始; 沉积组合物层，其中所述组合物处于低于升高的温度的第二较低温度; 并至少部分地干燥该层。

公开(公告)号：US20030227014A1

公开(公告)日：2003-12-11

申请号：US10167683

申请日：2002-06-11

申请人： Xerox Corporation.

发明人： Dasarao K. Murti ,  Beng S. Ong ,  James M. Duff

IPC分类号： H01L029/04 ,  H01L031/036 ,  H01L029/76 ,  H01L029/94

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545

摘要： A process comprising: creating a dispersion including: (a) a continuous phase comprising a solvent, a binder resin at least substantially dissolved in the solvent, and (b) a disperse phase comprising an organic semiconductor material; and solution coating using the dispersion to form a semiconductor layer of an electronic device, wherein the semiconductor layer comprises the organic semiconductor material and the binder resin.

摘要翻译： 一种方法，包括：产生分散体，其包括：（a）包含溶剂，至少基本上溶解在溶剂中的粘合剂树脂的连续相，和（b）包含有机半导体材料的分散相; 以及使用所述分散体形成电子器件的半导体层的溶液涂覆，其中所述半导体层包含所述有机半导体材料和所述粘合剂树脂。

公开(公告)号：US20040075124A1

公开(公告)日：2004-04-22

申请号：US10720597

申请日：2003-11-24

申请人： Xerox Corporation

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S. Ong ,  Dasarao K. Murti

IPC分类号： H01L029/76 ,  H01L031/062 ,  H01L027/01 ,  H01L031/0392

CPC分类号： H01L51/0545 ,  C08G61/02 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541

摘要： A thin film transistor including: an insulating layer; a gate electrode; a semiconductor layer including coalesced structurally ordered polymer aggregates of a self-organizable polymer, wherein the self-organizable polymer is of a type capable of gelling; a source electrode; and a drain electrode, wherein the insulating layer, the gate electrode, the semiconductor layer, the source electrode, and the drain electrode are in any sequence as long as the gate electrode and the semiconductor layer both contact the insulating layer, and the source electrode and the drain electrode both contact the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括：绝缘层; 栅电极; 包含可自组织聚合物的结合有序的聚合物聚集体的半导体层，其中所述自组织聚合物是能够凝胶化的类型; 源电极; 和漏电极，其中绝缘层，栅极电极，半导体层，源电极和漏极电极只要栅电极和半导体层都接触绝缘层，并且源电极 并且漏电极都接触半导体层。

公开(公告)号：US20030136958A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：US10042356

申请日：2002-01-11

申请人： Xerox Corporation

发明人： Beng S. Ong ,  Lu Jiang ,  Yiliang Wu ,  Dasarao K. Murti

IPC分类号： H01L035/24 ,  H01L051/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device containing a polythiophene of Formula (I) 1 wherein R and Rnull are side chains; A is a divalent linkage; x and y represent the number of unsubstituted thienylene units; z is 0 or 1, and wherein the sum of x and y is greater than about zero; m represents the number of segments; and n represents the degree of polymerization.

摘要翻译： 含有式（I）的聚噻吩的电子器件，其中R和R'是侧链; A是二价键; x和y表示未取代的噻吩基单元的数目; z为0或1，并且其中x和y的和大于约零; m表示段数; n表示聚合度。

公开(公告)号：US20040236070A1

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：US10874929

申请日：2004-06-23

申请人： Xerox Corporation

发明人： Beng S. Ong ,  Lu Jiang ,  Yiliang Wu ,  Dasarao K. Murti

IPC分类号： C08G075/00 ,  C08G075/32

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Polythiophenes of the formula 1 wherein R and Rnull are side chains; A is a divalent linkage; x and y represent the number of unsubstituted thienylene units; z represents the number of groups, and wherein the sum of x and y represents the number of groups; m represents the number of segments; and n represents the degree of polymerization.

摘要翻译： 下式的聚噻吩其中R和R'是侧链; A是二价键; x和y表示未取代的噻吩基单元的数目; z表示组的数目，并且其中x和y的和表示组的数目; m表示段数; n表示聚合度。

公开(公告)号：US20030144466A1

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：US10042359

申请日：2002-01-11

申请人： Xerox Corporation

发明人： Beng S. Ong ,  Lu Jiang ,  Yiliang Wu ,  Dasarao K. Murti

IPC分类号： C08G061/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Polythiophenes of the formula 1 wherein R and Rnull are side chains; A is a divalent linkage; x and y represent the number of unsubstituted thienylene units; z is 0 or 1, and wherein the sum of x and y is greater than zero; m represents the number of segments; and n represents the degree of polymerization.

摘要翻译： 下式的聚噻吩其中R和R'是侧链; A是二价键; x和y表示未取代的噻吩基单元的数目; z是0或1，并且其中x和y之和大于零; m表示段数; n表示聚合度。

公开(公告)号：US20030049551A1

公开(公告)日：2003-03-13

申请号：US09947930

申请日：2001-09-07

申请人： Xerox Corporation

发明人： Satish R. Parikh ,  Kathleen M. Carmichael ,  Edward F. Grabowski ,  Andrew R. Melnyk ,  Liang-Bih Lin ,  Andronique Ioannidis ,  Dasarao K. Murti ,  Harold F. Hammond

IPC分类号： G03G005/047

CPC分类号： G03G5/0659 ,  G03G5/047 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0694 ,  G03G5/08207

摘要： An electrostatographic article including: a substrate; a charge generator layer overcoated on the substrate and which layer is sensitive to blue light; and a charge transport layer overcoated on the charge generator layer and which charge transport layer is transparent to blue light.

摘要翻译： 一种静电制品，包括：基底; 在基板上涂覆的电荷发生器层，哪个层对蓝光敏感; 以及在电荷产生层上涂覆的电荷输送层，电荷输送层对蓝色光是透明的。