公开(公告)号：US08748969B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US12654470

申请日：2009-12-22

申请人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

发明人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of fabricating the same. The non-volatile memory device may include a substrate and a plurality of semiconductor pillars on the substrate. A plurality of control gate electrodes may be stacked on the substrate and intersecting the plurality of semiconductor pillars. A plurality of dummy electrodes may be stacked adjacent to the plurality of control gate electrodes on the substrate, the plurality of dummy electrodes being spaced apart from the plurality of control gate electrodes. A plurality of via plugs may be connected to the plurality of control gate electrodes. A plurality of wordlines may be on the plurality of via plugs. Each of the plurality of via plugs may penetrate a corresponding one of the plurality of control gate electrodes and at least one of the plurality of dummy electrodes.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件可以包括衬底和衬底上的多个半导体柱。 多个控制栅电极可以堆叠在基板上并与多个半导体柱相交。 多个虚设电极可以与基板上的多个控制栅电极相邻，多个虚设电极与多个控制栅电极间隔开。 多个通孔塞可以连接到多个控制栅电极。 多个字线可以在多个通孔插头上。 多个通孔塞中的每一个可以穿透多个控制栅电极中的相应一个和多个虚拟电极中的至少一个。

公开(公告)号：US20100155826A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12654470

申请日：2009-12-22

申请人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

发明人： Xianyu Wenxu ,  Jung-hyun Lee ,  Dong-joon Ma ,  Yeon-hee Kim ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of fabricating the same. The non-volatile memory device may include a substrate and a plurality of semiconductor pillars on the substrate. A plurality of control gate electrodes may be stacked on the substrate and intersecting the plurality of semiconductor pillars. A plurality of dummy electrodes may be stacked adjacent to the plurality of control gate electrodes on the substrate, the plurality of dummy electrodes being spaced apart from the plurality of control gate electrodes. A plurality of via plugs may be connected to the plurality of control gate electrodes. A plurality of wordlines may be on the plurality of via plugs. Each of the plurality of via plugs may penetrate a corresponding one of the plurality of control gate electrodes and at least one of the plurality of dummy electrodes.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件可以包括衬底和衬底上的多个半导体柱。 多个控制栅电极可以堆叠在基板上并与多个半导体柱相交。 多个虚设电极可以与基板上的多个控制栅电极相邻，多个虚设电极与多个控制栅电极间隔开。 多个通孔塞可以连接到多个控制栅电极。 多个字线可以在多个通孔插头上。 多个通孔插塞中的每一个可以穿透多个控制栅电极中的相应一个和多个虚拟电极中的至少一个。

公开(公告)号：US07935641B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11984760

申请日：2007-11-21

申请人： Yeon-hee Kim ,  Jung-hyun Lee ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

发明人： Yeon-hee Kim ,  Jung-hyun Lee ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example methods may provide a thin film etching method. Example thin film etching methods may include forming a Ga—In—Zn—O film on a substrate, forming a mask layer covering a portion of the Ga—In—Zn—O film, and etching the Ga—In—Zn—O film using the mask layer as an etch barrier, wherein an etching gas used in the etching includes chlorine. The etching gas may further include an alkane (CnH2n+2) and H2 gas. The chlorine gas may be, for example, Cl2, BCl3, and/or CCl3, and the alkane gas may be, for example, CH4.

摘要翻译： 示例性方法可以提供薄膜蚀刻方法。 示例性薄膜蚀刻方法可以包括在衬底上形成Ga-In-Zn-O膜，形成覆盖Ga-In-Zn-O膜的一部分的掩模层，并且蚀刻Ga-In-Zn-O膜 使用掩模层作为蚀刻阻挡层，其中在蚀刻中使用的蚀刻气体包括氯。 蚀刻气体还可以包括烷烃（C n H 2n + 2）和H 2气体。 氯气可以是例如Cl 2，BCl 3和/或CCl 3，并且烷烃气体可以是例如CH 4。

公开(公告)号：US20080166834A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11984760

申请日：2007-11-21

申请人： Yeon-hee Kim ,  Jung-hyun Lee ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

发明人： Yeon-hee Kim ,  Jung-hyun Lee ,  Yong-young Park ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example methods may provide a thin film etching method. Example thin film etching methods may include forming a Ga—In—Zn—O film on a substrate, forming a mask layer covering a portion of the Ga—In—Zn—O film, and etching the Ga—In—Zn—O film using the mask layer as an etch barrier, wherein an etching gas used in the etching includes chlorine. The etching gas may further include an alkane (CnH2n+2) and H2 gas. The chlorine gas may be, for example, Cl2, BCl3, and/or CCl3, and the alkane gas may be, for example, CH4.

摘要翻译： 示例性方法可以提供薄膜蚀刻方法。 示例性薄膜蚀刻方法可以包括在衬底上形成Ga-In-Zn-O膜，形成覆盖Ga-In-Zn-O膜的一部分的掩模层，并且蚀刻Ga-In-Zn-O膜 使用掩模层作为蚀刻阻挡层，其中在蚀刻中使用的蚀刻气体包括氯。 蚀刻气体还可以包括烷烃（C n H 2 H 2n + 2 H 2）和H 2 H 2气体。 氯气可以是例如Cl 2，BCl 3和/或CCl 3，烷烃气体可以是 例如CH 4。

公开(公告)号：US20110162698A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12926125

申请日：2010-10-27

申请人： Xianyu Wenxu ,  Yeon-hee Kim ,  Jung-hyun Lee

发明人： Xianyu Wenxu ,  Yeon-hee Kim ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Solar cells and methods of manufacturing the same, the solar cells include a plurality of nanowire heterostructures, wherein each of the plurality of nanowire heterostructures includes a nanowire including at least one p-type nanowire layer and at least one n-type nanowire layer, and a semiconductor material layer disposed on the nanowire. The semiconductor material layer constitutes a p-n junction with the p-type or n-type nanowire layer. The semiconductor material layer includes at least one of the p-type material layer and the n-type material layer.

摘要翻译： 太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括多个纳米线异质结构，其中，所述多个纳米线异质结构中的每一个都包括包含至少一个p型纳米线层和至少一个n型纳米线层的纳米线，以及 设置在纳米线上的半导体材料层。 半导体材料层与p型或n型纳米线层构成p-n结。 半导体材料层包括p型材料层和n型材料层中的至少一种。

公开(公告)号：US20080164238A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11987738

申请日：2007-12-04

申请人： Seok-jae Chung ,  Soon-won Hwang ,  Jung-hyun Lee ,  Yeon-hee Kim

发明人： Seok-jae Chung ,  Soon-won Hwang ,  Jung-hyun Lee ,  Yeon-hee Kim

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23G5/00 ,  H01J37/321 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： A method of etching a metal oxide layer formed on a metal layer is provided. The method includes mounting a specimen having the metal oxide layer and a photoresist on the metal oxide layer in a reaction chamber, wherein the metal oxide layer is formed on the metal layer and a pattern is formed on the photoresist. Primary etching of the metal oxide layer exposed by the photoresist may be performed using Cl2 gas in an inductively coupled plasma method. Secondary etching of residues remaining on an etched region of the metal oxide layer may be performed using BCl3 gas in the inductively coupled plasma method.

摘要翻译： 提供了蚀刻形成在金属层上的金属氧化物层的方法。 该方法包括在反应室中将具有金属氧化物层和光致抗蚀剂的试样安装在金属氧化物层上，其中在金属层上形成金属氧化物层，在光刻胶上形成图案。 用光致抗蚀剂曝光的金属氧化物层的主蚀刻可以使用Cl 2气体以电感耦合等离子体方法进行。 残留在金属氧化物层的蚀刻区域上的残留物的二次蚀刻可以使用感应耦合等离子体方法中的BCl 3气体进行。

公开(公告)号：US20060109881A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11221872

申请日：2005-09-09

申请人： Joon-seop Kwak ,  Kwang-ki Choi ,  Kyoung-ho Ha ,  Yeon-hee Kim ,  Jong-in Shim

发明人： Joon-seop Kwak ,  Kwang-ki Choi ,  Kyoung-ho Ha ,  Yeon-hee Kim ,  Jong-in Shim

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/2202

摘要： A semiconductor laser diode and a method of fabricating the same are provided. The semiconductor laser diode includes: a substrate; a predetermined compound semiconductor layer formed on the substrate; a lower cladding layer formed on the compound semiconductor layer; an active layer formed on the lower cladding layer; an upper cladding layer formed on the active layer and having a ridge formed in the middle thereof; trenches formed to a predetermined depth on at least one side of the ridge to penetrate the active layer from the upper cladding layer; a current blocking layer formed on surfaces of the upper cladding layer, except a top surface of the ridge, and inner walls of the trenches; a contact layer formed on the top surface of the ridge; and a first electrode formed on top surfaces of the contact layer and the current blocking layer.

摘要翻译： 提供半导体激光二极管及其制造方法。 半导体激光二极管包括：基板; 形成在所述基板上的预定化合物半导体层; 形成在所述化合物半导体层上的下包层; 形成在下包层上的有源层; 在所述有源层上形成有在其中间形成有脊的上包层; 沟槽形成在脊的至少一侧上的预定深度，以从上包层穿透有源层; 形成在上包层的表面以外的电流阻挡层，除了脊的上表面和沟槽的内壁之外; 形成在所述脊的顶表面上的接触层; 以及形成在接触层和电流阻挡层的顶表面上的第一电极。

公开(公告)号：US07344904B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US11152255

申请日：2005-06-15

申请人： Yeon-hee Kim ,  Kwang-ki Choi ,  Youn-joon Sung

发明人： Yeon-hee Kim ,  Kwang-ki Choi ,  Youn-joon Sung

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/22

摘要： Provided is a method of fabricating a laser diode. Embodiments of the method include sequentially forming at least a lower clad layer, a resonance layer, an upper clad layer, an upper contact layer, an upper electrode layer, and a sacrificial layer on a substrate; forming a ridge portion by etching the sacrificial layer, the upper electrode layer, the upper contact layer, and a predetermined depth of the upper clad layer; exposing both top surfaces of the upper contact layer and both bottom surfaces of the sacrificial layer corresponding thereto by etching portions of the upper electrode layer, which are exposed on both sides of the ridge portion; forming a buried layer having an opening that exposes at least a portion of the bottom surface of the sacrificial layer, the buried layer formed on the surface of the ridge portion and the top surface of the upper clad layer that extends from the ridge portion; and removing the sacrificial layer and a portion of the buried layer disposed thereon by supplying an etchant through the opening.

摘要翻译： 提供了一种制造激光二极管的方法。 该方法的实施例包括在基板上顺序地形成下包层，谐振层，上覆层，上接触层，上电极层和牺牲层; 通过蚀刻牺牲层，上电极层，上接触层和上包层的预定深度来形成脊部; 通过暴露在脊部两侧的上电极层的腐蚀部分，暴露上接触层的上表面和对应于其的牺牲层的两个底表面; 形成具有露出所述牺牲层的底面的至少一部分的开口的掩埋层，所述掩埋层形成在所述脊部的表面上以及所述上覆盖层的从所述脊部延伸的顶面; 以及通过通过所述开口提供蚀刻剂来去除所述牺牲层和设置在其上的所述掩埋层的一部分。

公开(公告)号：US20060045155A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11152255

申请日：2005-06-15

申请人： Yeon-hee Kim ,  Kwang-ki Choi ,  Youn-joon Sung

发明人： Yeon-hee Kim ,  Kwang-ki Choi ,  Youn-joon Sung

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/22

摘要： Provided is a method of fabricating a laser diode. Embodiments of the method include sequentially forming at least a lower clad layer, a resonance layer, an upper clad layer, an upper contact layer, an upper electrode layer, and a sacrificial layer on a substrate; forming a ridge portion by etching the sacrificial layer, the upper electrode layer, the upper contact layer, and a predetermined depth of the upper clad layer; exposing both top surfaces of the upper contact layer and both bottom surfaces of the sacrificial layer corresponding thereto by etching portions of the upper electrode layer, which are exposed on both sides of the ridge portion; forming a buried layer having an opening that exposes at least a portion of the bottom surface of the sacrificial layer, the buried layer formed on the surface of the ridge portion and the top surface of the upper clad layer that extends from the ridge portion; and removing the sacrificial layer and a portion of the buried layer disposed thereon by supplying an etchant through the opening.

摘要翻译： 提供了一种制造激光二极管的方法。 该方法的实施例包括在基板上顺序地形成下包层，谐振层，上覆层，上接触层，上电极层和牺牲层; 通过蚀刻牺牲层，上电极层，上接触层和上包层的预定深度来形成脊部; 通过暴露在脊部两侧的上电极层的腐蚀部分，暴露上接触层的上表面和对应于其的牺牲层的两个底表面; 形成具有露出所述牺牲层的底面的至少一部分的开口的掩埋层，所述掩埋层形成在所述脊部的表面上以及所述上覆盖层的从所述脊部延伸的顶面; 以及通过通过所述开口提供蚀刻剂来去除所述牺牲层和设置在其上的所述掩埋层的一部分。