公开(公告)号：US06299146B1

公开(公告)日：2001-10-09

申请号：US09471054

申请日：1999-12-22

申请人： Xiaomei Yu ,  Chongsi Xu ,  Jingzhong Zhu ,  Ou Li ,  Zuming Zheng ,  Kejian Yao ,  Jun Tian

发明人： Xiaomei Yu ,  Chongsi Xu ,  Jingzhong Zhu ,  Ou Li ,  Zuming Zheng ,  Kejian Yao ,  Jun Tian

IPC分类号： B01F304

CPC分类号： B01D3/20

摘要： The vapor-liquid contacting tower contains multiple trays having multiple openings and multiple rectangular downcomers with multiple bottom openings. At least a pair of directing slots and at least a pair of directing baffles are installed in the liquid receiving zone of the tray and under the bottom openings of a downcomer of the adjacent overlying tray.

摘要翻译： 气 - 液接触塔包含多个具有多个开口的托盘和具有多个底部开口的多个矩形降液管。 至少一对引导槽和至少一对引导挡板安装在托盘的液体接收区域中以及相邻的上托盘的降液管的底部开口下方。

公开(公告)号：US06345811B1

公开(公告)日：2002-02-12

申请号：US09472336

申请日：1999-12-27

申请人： Xiaomei Yu ,  Jun Tian ,  Jiazhong Zhu ,  Ou Li ,  Zuming Zheng ,  Kejian Yao

发明人： Xiaomei Yu ,  Jun Tian ,  Jiazhong Zhu ,  Ou Li ,  Zuming Zheng ,  Kejian Yao

IPC分类号： B01F304

CPC分类号： C10G7/00 ,  B01D3/16 ,  B01J19/32 ,  B01J19/325 ,  B01J2219/326 ,  B01J2219/3306 ,  B01J2219/3325

摘要： A vapor-liquid contacting tower having a tray deck, at least one downcomer and a structure packing layer in the space under the vapor-liquid bubble contacting tray wherein the tray deck has an opening such that vapor ascends upward through the opening to come into contact with the liquid flowing across the tray deck to form a froth in which the vapor and the liquid on the tray deck creates cross-flow bubble contact and with the structural dimensions of the tray deck and downcomer providing for at least 90 vol % of the total liquid flowing across the tray deck flows downwardly through the downcomer to the adjacent deck.

摘要翻译： 具有托盘甲板，至少一个降液管和在气液接触盘下空间中的结构填料层的气 - 液接触塔，其中托盘甲板具有开口，使得蒸汽向上穿过开口以接触 其中液体流过托盘甲板以形成泡沫，其中托盘甲板上的蒸汽和液体产生交叉气泡接触，并且托盘甲板和降液管的结构尺寸提供总共至少90vol％ 流经托盘甲板的液体向下流过降液管到相邻甲板。

公开(公告)号：US08685698B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13142412

申请日：2010-08-13

申请人： Xuechang Wu ,  Rongming Wu ,  Ou Li ,  Liang Zhu ,  Yamin Chen ,  Chaodong Qian ,  Mei Chen

发明人： Xuechang Wu ,  Rongming Wu ,  Ou Li ,  Liang Zhu ,  Yamin Chen ,  Chaodong Qian ,  Mei Chen

IPC分类号： C12N1/12 ,  C12P19/04

CPC分类号： C12R1/01 ,  C12P19/04

摘要： A yellow pigments generation deficient Sphingomonas strain (Sphingomonas sp. ZD001) and application thereof in preparing gellan gum by microbial fermentation are provided. The strain is preserved in China Center for Type Culture Collection (CCTCC) with the address of Wuhan University, Wuhan, 430072, China, the preservation date of the strain is 10 Sep. 2009, and the preservation serial number is CCTCC No: M 209298. The main beneficial effect of the present invention is that the fermented liquor contains no yellow pigments but is milky white, colorless superior gellan gum can be obtained by only depositing polysaccharide with a small quantity of ethanol or isopropanol, so that the post purification and de-coloration techniques of gellan gum production can be simplified, the yield can be enhanced, and the production cost can be reduced.

摘要翻译： 提供黄色色素代谢缺陷型鞘氨醇单胞菌（Sphingomonas sp。ZD001）及其通过微生物发酵制备吉兰糖胶的应用。 该菌株保藏在中国类型培养物保藏中心（CCTCC），武汉大学地址，武汉，430072，保护期为2009年9月10日，保藏号为CCTCC号：209198 本发明的主要有益效果在于，发酵液不含黄色颜料，但为乳白色，仅通过少量乙醇或异丙醇沉淀多糖即可获得无色的优质结冷胶，因此后期纯化和脱色 可以简化结冷胶生产的成色技术，可以提高产量，降低生产成本。

公开(公告)号：US20090103357A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11874076

申请日：2007-10-17

申请人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Kulachet Tanpairoj ,  Ou Li

发明人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Kulachet Tanpairoj ,  Ou Li

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5621

摘要： Methods of rapidly programming a wordline of multi-level flash memory cells comprising memory cell element-pairs having three or more data levels per bit or element corresponding to three or more threshold voltages are provided. An interactive program algorithm rapidly programs the elements of the wordline of memory cells in a learn phase and a single core programming phase. In one embodiment, each wordline comprises learn element-pairs first programmed to provide learn drain voltages for programming core element-pairs along the wordline having the same program pattern of data levels. A set comprising one or more program patterns is chosen to correspond with each program level used on the wordline. The learn element-pairs are programmed to determine a learned program drain voltage for each program level. This learned program drain voltage essentially provides a wordline and program level specific program characterization of the Vd required for the remaining elements of that wordline.

摘要翻译： 提供了快速编程多级闪存单元的字线的方法，其包括每位具有三个或更多个数据级或对应于三个或更多阈值电压的元件的存储单元元件对。 交互式程序算法在学习阶段和单个核心编程阶段快速地对存储器单元的字线的元素进行编程。 在一个实施例中，每个字线包括首先被编程为提供学习漏极电压的学习元件对，用于沿着具有相同数据级别的程序模式的字线编程核心元件对。 选择包括一个或多个节目模式的集合以对应于字线上使用的每个节目级别。 学习元件对被编程以确定每个程序级的学习程序漏极电压。 这个学习的程序漏极电压基本上提供了字线和程序级特定程序表征该字母的剩余元件所需的Vd。

公开(公告)号：US07652919B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11771961

申请日：2007-06-29

申请人： Darlene G. Hamilton ,  Kulachet Tanpairoj ,  Fatima Bathul ,  Ou Li

发明人： Darlene G. Hamilton ,  Kulachet Tanpairoj ,  Fatima Bathul ,  Ou Li

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/0491 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427

摘要： The claimed subject matter provides systems and/or methods that facilitate programming and reading multi-level, multi-bit memory cells in a memory device. In multi-bit memory cells, programming one element can affect the second element. Certain combinations of elements can cause excessive levels of complementary bit disturb, state dependent non-uniform charge loss, and state dependent program disturb, reducing memory device reliability. Such effects may be pronounced where a high charge level is programmed into a first element while a second element of the same memory cell is unprogrammed. Memory cell elements can be programmed using additional charge levels to mitigate such effects. For example, the sixteen distinct element combinations possible using four charge levels can be mapped to a subset of twenty-five possible element combinations using five charge levels, avoiding element combinations likely to generate excessive complementary bit disturb, state dependent non-uniform charge loss, and state dependent program disturb.

摘要翻译： 所要求保护的主题提供了便于在存储器件中编程和读取多级多位存储器单元的系统和/或方法。 在多位存储器单元中，编程一个元件可以影响第二个元件。 元件的某些组合可能导致过多的互补位干扰，状态依赖的不均匀电荷损失和状态相关的程序干扰，从而降低存储器件的可靠性。 当高电荷电平被编程到第一元件中而同一存储器单元的第二元件未被编程时，这种效果可能是显着的。 可以使用额外的电荷电平对存储单元元件进行编程，以减轻这种影响。 例如，使用四个电荷电平可能的十六个不同元件组合可以被映射到使用五个电荷电平的二十五个可能元件组合的子集，避免可能产生过多的互补位干扰，状态依赖的非均匀电荷损失的元件组合， 和状态依赖程序干扰。

公开(公告)号：US20090319947A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12143820

申请日：2008-06-22

申请人： Xinlei Wang ,  Mei Zhao ,  Melora Zaner-Godsey ,  Ou Li

发明人： Xinlei Wang ,  Mei Zhao ,  Melora Zaner-Godsey ,  Ou Li

IPC分类号： G06F3/048

CPC分类号： H04M1/72583 ,  G06F3/04817

摘要： Systems, methods, and devices for accessing portal services via a mobile communication device are provided. The mobile communication device may execute a menu program having a graphical user interface. The graphical user interface may include a service menu screen including a plurality of service selectors, each service selector having a respective service icon positioned within a boundary, the service icon graphically representing a service of a communications portal with which the mobile communication device is configured to communicate. Each respective service icon may be selectable by a user to access a corresponding client program of the associated service served by the communications portal. At least some of the service selectors may further include a shared status icon indicating an operational state of the service and/or associated client program.

摘要翻译： 提供了通过移动通信设备访问门户服务的系统，方法和设备。 移动通信设备可以执行具有图形用户界面的菜单程序。 图形用户界面可以包括包括多个服务选择器的服务菜单屏幕，每个服务选择器具有位于边界内的相应服务图标，该服务图标以图形方式表示移动通信设备配置为的通信门户的服务 通信。 每个相应的服务图标可以由用户选择以访问由通信门户服务的相关联的服务的对应的客户端程序。 至少一些服务选择器还可以包括指示服务和/或相关联的客户端程序的操作状态的共享状态图标。

公开(公告)号：US07692962B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11958557

申请日：2007-12-18

申请人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Ken Tanpairoj ,  Ou Li ,  David Rogers ,  Roger Tsao

发明人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Ken Tanpairoj ,  Ou Li ,  David Rogers ,  Roger Tsao

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5628 ,  Y10T29/49002

摘要： A reduced state memory device and methods of forming and programming multi-level flash memory cell element-pairs of the device, each element configured to store a blank level or two or more program levels are provided. In one embodiment, the reduced state memory device comprises a component configured to store in the memory cell element-pairs one pattern combination of a plurality of program pattern combinations comprising two blank levels, two program levels, and one blank level and one program level, the levels differing by less than a predetermined value. In one embodiment, a method of forming a memory device comprises forming at least one memory device of a multi-level flash memory array, each memory cell comprising two or more memory elements, each memory element configured to store three or more levels, and excluding one or more program pattern combinations that can be stored in the at least one memory cell.

摘要翻译： 提供了一种简化状态存储器件以及形成和编程器件的多级闪存单元元件对的方法，每个元件被配置为存储空白电平或两个或更多个程序电平。 在一个实施例中，缩减状态存储器件包括被配置为在存储器单元元件对中存储包括两个空白电平，两个程序电平以及一个空白电平和一个程序电平的多个程序模式组合的一个模式组合的组件， 电平差别小于预定值。 在一个实施例中，形成存储器件的方法包括形成多级闪速存储器阵列的至少一个存储器件，每个存储器单元包括两个或多个存储器元件，每个存储器元件被配置为存储三个或更多个电平，并且排除 可存储在至少一个存储单元中的一个或多个程序模式组合。

公开(公告)号：US07656705B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11874076

申请日：2007-10-17

申请人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Kulachet Tanpairoj ,  Ou Li

发明人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Kulachet Tanpairoj ,  Ou Li

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5621

摘要： Methods of rapidly programming a wordline of multi-level flash memory cells comprising memory cell element-pairs having three or more data levels per bit or element corresponding to three or more threshold voltages are provided. An interactive program algorithm rapidly programs the elements of the wordline of memory cells in a learn phase and a single core programming phase. In one embodiment, each wordline comprises learn element-pairs first programmed to provide learn drain voltages for programming core element-pairs along the wordline having the same program pattern of data levels. A set comprising one or more program patterns is chosen to correspond with each program level used on the wordline. The learn element-pairs are programmed to determine a learned program drain voltage for each program level. This learned program drain voltage essentially provides a wordline and program level specific program characterization of the Vd required for the remaining elements of that wordline.

摘要翻译： 提供了快速编程多级闪存单元的字线的方法，其包括每位具有三个或更多个数据级或对应于三个或更多阈值电压的元件的存储单元元件对。 交互式程序算法在学习阶段和单个核心编程阶段快速地对存储器单元的字线的元素进行编程。 在一个实施例中，每个字线包括首先被编程为提供学习漏极电压的学习元件对，用于沿着具有相同数据级别的程序模式的字线编程核心元件对。 选择包括一个或多个节目模式的集合以对应于字线上使用的每个节目级别。 学习元件对被编程以确定每个程序级的学习程序漏极电压。 这个学习的程序漏极电压基本上提供了字线和程序级特定程序表征该字母的剩余元件所需的Vd。

公开(公告)号：US20090154235A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US11958557

申请日：2007-12-18

申请人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Ken Tanpairoj ,  Ou Li ,  David Rogers ,  Roger Tsao

发明人： Darlene Hamilton ,  Fatima Bathul ,  Ken Tanpairoj ,  Ou Li ,  David Rogers ,  Roger Tsao

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01S4/00

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5628 ,  Y10T29/49002

摘要： A reduced state memory device and methods of forming and programming multi-level flash memory cell element-pairs of the device, each element configured to store a blank level or two or more program levels are provided. In one embodiment, the reduced state memory device comprises a component configured to store in the memory cell element-pairs one pattern combination of a plurality of program pattern combinations comprising two blank levels, two program levels, and one blank level and one program level, the levels differing by less than a predetermined value. In one embodiment, a method of forming a memory device comprises forming at least one memory device of a multi-level flash memory array, each memory cell comprising two or more memory elements, each memory element configured to store three or more levels, and excluding one or more program pattern combinations that can be stored in the at least one memory cell.

摘要翻译： 提供了一种简化状态存储器件以及形成和编程器件的多级闪存单元元件对的方法，每个元件被配置为存储空白电平或两个或更多个程序电平。 在一个实施例中，缩减状态存储器件包括被配置为在存储器单元元件对中存储包括两个空白电平，两个程序电平以及一个空白电平和一个程序电平的多个程序模式组合的一个模式组合的组件， 电平差别小于预定值。 在一个实施例中，形成存储器件的方法包括形成多级闪速存储器阵列的至少一个存储器件，每个存储器单元包括两个或多个存储器元件，每个存储器元件被配置为存储三个或更多个电平，并且排除 可存储在至少一个存储单元中的一个或多个程序模式组合。

公开(公告)号：US20110281308A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13142412

申请日：2010-08-13

申请人： Xuechang Wu ,  Rongming Wu ,  Ou Li ,  Liang Zhu ,  Yamin Chen ,  Chaodong Qian ,  Mei Chen

发明人： Xuechang Wu ,  Rongming Wu ,  Ou Li ,  Liang Zhu ,  Yamin Chen ,  Chaodong Qian ,  Mei Chen

IPC分类号： C12P19/04 ,  C12N1/20

CPC分类号： C12R1/01 ,  C12P19/04

摘要： A yellow pigments generation deficient Sphingomonas strain (Sphingomonas sp. ZD001) and application thereof in preparing gellan gum by microbial fermentation are provided. The strain is preserved in China Center for Type Culture Collection (CCTCC) with the address of Wuhan University, Wuhan, 430072, China, the preservation date of the strain is 10 Sep. 2009, and the preservation serial number is CCTCC No: M 209298. The main beneficial effect of the present invention is that the fermented liquor contains no yellow pigments but is milky white, colorless superior gellan gum can be obtained by only depositing polysaccharide with a small quantity of ethanol or isopropanol, so that the post purification and de-coloration techniques of gellan gum production can be simplified, the yield can be enhanced, and the production cost can be reduced.

摘要翻译： 提供黄色色素代谢缺陷型鞘氨醇单胞菌（Sphingomonas sp。ZD001）及其通过微生物发酵制备吉兰糖胶的应用。 该菌株保藏在中国类型培养物保藏中心（CCTCC），武汉大学地址，武汉，430072，保护期为2009年9月10日，保藏号为CCTCC号：209198 本发明的主要有益效果在于，发酵液不含黄色颜料，但为乳白色，仅通过少量乙醇或异丙醇沉淀多糖即可获得无色的优质结冷胶，因此后期纯化和脱色 可以简化结冷胶生产的成色技术，可以提高产量，降低生产成本。