公开(公告)号：US20070256627A1

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：US11742932

申请日：2007-05-01

申请人： YIHWAN KIM ,  Majeed Foad ,  Yonah Cho ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji ,  Errol Sanchez

发明人： YIHWAN KIM ,  Majeed Foad ,  Yonah Cho ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji ,  Errol Sanchez

IPC分类号： C30B23/00 ,  C23C16/00 ,  B05D3/02 ,  C30B25/00

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2233 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： A method for forming an ultra shallow junction on a substrate is provided. In certain embodiments a method of forming an ultra shallow junction on a substrate is provided. The substrate is placed into a process chamber. A silicon carbon layer is deposited on the substrate. The silicon carbon layer is exposed to a dopant. The substrate is heated to a temperature greater than 950° C. so as to cause substantial annealing of the dopant within the silicon carbon layer. In certain embodiments the substrate is heated to a temperature between about 1000° C. and about 1100°. In certain embodiments the substrate is heated to a temperature between about 1030° C. and 1050° C. In certain embodiments, a structure having an abrupt p-n junction is provided.

摘要翻译： 提供了一种在基板上形成超浅结的方法。 在某些实施例中，提供了在衬底上形成超浅结的方法。 将基底放置在处理室中。 硅基层沉积在基底上。 硅碳层暴露于掺杂剂。 将基板加热至大于950℃的温度，以使硅碳层内的掺杂剂发生实际退火。 在某些实施方案中，将基材加热至约1000℃至约1100℃之间的温度。 在某些实施方案中，将衬底加热至约1030℃至1050℃之间的温度。在某些实施方案中，提供具有突变p-n结的结构。

公开(公告)号：US07732269B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11742932

申请日：2007-05-01

申请人： Yihwan Kim ,  Majeed A. Foad ,  Yonah Cho ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji ,  Errol Sanchez

发明人： Yihwan Kim ,  Majeed A. Foad ,  Yonah Cho ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji ,  Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2233 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： A method for forming an ultra shallow junction on a substrate is provided. In certain embodiments a method of forming an ultra shallow junction on a substrate is provided. The substrate is placed into a process chamber. A silicon carbon layer is deposited on the substrate. The silicon carbon layer is exposed to a dopant. The substrate is heated to a temperature greater than 950° C. so as to cause substantial annealing of the dopant within the silicon carbon layer. In certain embodiments the substrate is heated to a temperature between about 1000° C. and about 1100°. In certain embodiments the substrate is heated to a temperature between about 1030° C. and 1050° C. In certain embodiments, a structure having an abrupt p-n junction is provided.

摘要翻译： 提供了一种在基板上形成超浅结的方法。 在某些实施例中，提供了在衬底上形成超浅结的方法。 将基底放置在处理室中。 硅基层沉积在基底上。 硅碳层暴露于掺杂剂。 将基板加热至大于950℃的温度，以使硅碳层内的掺杂剂发生实际退火。 在某些实施方案中，将基材加热至约1000℃至约1100℃之间的温度。 在某些实施方案中，将衬底加热至约1030℃至1050℃之间的温度。在某些实施方案中，提供具有突变p-n结的结构。

公开(公告)号：US07960256B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12779022

申请日：2010-05-12

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to a silicon source and a carbon source so as to form a carbon-containing silicon epitaxial film; (c) encapsulating the carbon-containing silicon epitaxial film with an encapsulating film; and (d) exposing the substrate to Cl2 so as to etch the encapsulating film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了在基板上形成外延膜的方法。 该方法包括（a）提供衬底; （b）将衬底暴露于硅源和碳源以形成含碳硅外延膜; （c）用封装膜封装含碳硅外延膜; 和（d）将衬底暴露于Cl2以蚀刻封装膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20100221902A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12779022

申请日：2010-05-12

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to a silicon source and a carbon source so as to form a carbon-containing silicon epitaxial film; (c) encapsulating the carbon-containing silicon epitaxial film with an encapsulating film; and (d) exposing the substrate to Cl2 so as to etch the encapsulating film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了在基板上形成外延膜的方法。 该方法包括（a）提供衬底; （b）将衬底暴露于硅源和碳源以形成含碳硅外延膜; （c）用封装膜封装含碳硅外延膜; 和（d）将衬底暴露于Cl2以蚀刻封装膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20060260538A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11494903

申请日：2006-07-28

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii Samoilov

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to a silicon source and a carbon source so as to form a carbon-containing silicon epitaxial film; (c) encapsulating the carbon-containing silicon epitaxial film with an encapsulating film; and (d) exposing the substrate to Cl2 so as to etch the encapsulating film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了在基板上形成外延膜的方法。 该方法包括（a）提供衬底; （b）将衬底暴露于硅源和碳源以形成含碳硅外延膜; （c）用封装膜封装含碳硅外延膜; 和（d）将衬底暴露于Cl2以蚀刻封装膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20060115933A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11227974

申请日：2005-09-14

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii Samoilov

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a first method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The first method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to at least a silicon source so as to form an epitaxial film on at least a portion of the substrate; and (c) exposing the substrate to HCl and Cl2 so as to etch the epitaxial film and any other films formed during step (b). Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了在基板上形成外延膜的第一种方法。 第一种方法包括（a）提供基底; （b）将所述衬底暴露于至少硅源，以在所述衬底的至少一部分上形成外延膜; 和（c）将衬底暴露于HCl和Cl2，以蚀刻外延膜和在步骤（b）中形成的任何其它膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US07682940B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11227974

申请日：2005-09-14

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a first method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The first method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to at least a silicon source so as to form an epitaxial film on at least a portion of the substrate; and (c) exposing the substrate to HCl and Cl2 so as to etch the epitaxial film and any other films formed during step (b). Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了在基板上形成外延膜的第一种方法。 第一种方法包括（a）提供基底; （b）将所述衬底暴露于至少硅源，以在所述衬底的至少一部分上形成外延膜; 和（c）将衬底暴露于HCl和Cl2，以蚀刻外延膜和在步骤（b）中形成的任何其它膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08586456B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13149865

申请日：2011-05-31

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

IPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to a silicon source and a carbon source so as to form a carbon-containing silicon epitaxial film; (c) encapsulating the carbon-containing silicon epitaxial film with an encapsulating film; and (d) exposing the substrate to Cl2 so as to etch the encapsulating film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了在基板上形成外延膜的方法。 该方法包括（a）提供衬底; （b）将衬底暴露于硅源和碳源以形成含碳硅外延膜; （c）用封装膜封装含碳硅外延膜; 和（d）将衬底暴露于Cl2以蚀刻封装膜。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08029620B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US11831055

申请日：2007-07-31

申请人： Yihwan Kim ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji

发明人： Yihwan Kim ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/06

摘要： In a first aspect, a method is provided for forming an epitaxial layer stack on a substrate. The method includes (1) selecting a target carbon concentration for the epitaxial layer stack; (2) forming a carbon-containing silicon layer on the substrate, the carbon-containing silicon layer having at least one of an initial carbon concentration, a thickness and a deposition time selected based on the selected target carbon concentration; and (3) forming a non-carbon-containing silicon layer on the carbon-containing silicon layer prior to etching. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了一种在衬底上形成外延层堆叠的方法。 该方法包括（1）选择外延层堆叠的目标碳浓度; （2）在基板上形成含碳硅层，所述含碳硅层具有基于所选择的目标碳浓度选择的初始碳浓度，厚度和沉积时间中的至少一种; 和（3）在蚀刻之前在含碳硅层上形成非碳的硅层。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US07732305B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11494903

申请日：2006-07-28

申请人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

发明人： Zhiyuan Ye ,  Yihwan Kim ,  Xiaowei Li ,  Ali Zojaji ,  Nicholas C. Dalida ,  Jinsong Tang ,  Xiao Chen ,  Arkadii V. Samoilov

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： In a first aspect, a method of forming an epitaxial film on a substrate is provided. The method includes (a) providing a substrate; (b) exposing the substrate to a silicon source and a carbon source so as to form a carbon-containing silicon epitaxial film; (c) encapsulating the carbon-containing silicon epitaxial film with an encapsulating film; and (d) exposing the substrate to Cl2 so as to etch the encapsulating film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了在基板上形成外延膜的方法。 该方法包括（a）提供衬底; （b）将衬底暴露于硅源和碳源以形成含碳硅外延膜; （c）用封装膜封装含碳硅外延膜; 和（d）将衬底暴露于Cl2以蚀刻封装膜。 提供了许多其他方面。