公开(公告)号：US20160043300A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：US14558263

申请日：2014-12-02

申请人： Yang-Kon KIM ,  Ki-Seon PARK ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

发明人： Yang-Kon KIM ,  Ki-Seon PARK ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

IPC分类号： H01L43/02 ,  G06F12/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： G06F12/0875 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/452 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： An electronic device includes semiconductor memory, the semiconductor memory including an under layer; a first magnetic layer located over the under layer and having a variable magnetization direction; a tunnel barrier layer located over the first magnetic layer; and a second magnetic layer located over the tunnel barrier layer and having a pinned magnetization direction, wherein the under layer includes a first metal nitride layer having a NaCl crystal structure and a second metal nitride layer containing a light metal.

摘要翻译： 电子设备包括半导体存储器，该半导体存储器包括下层; 位于所述下层上并具有可变磁化方向的第一磁性层; 位于所述第一磁性层上方的隧道势垒层; 以及位于所述隧道势垒层上方并具有钉扎磁化方向的第二磁性层，其中所述下层包括具有NaCl晶体结构的第一金属氮化物层和包含轻金属的第二金属氮化物层。

公开(公告)号：US20150357557A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14559509

申请日：2014-12-03

申请人： Yang-Kon KIM ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

发明人： Yang-Kon KIM ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

IPC分类号： H01L43/02 ,  G06F3/06 ,  G06F12/08 ,  G11C11/15

CPC分类号： G06F12/0802 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an implementation of this document includes semiconductor memory, and the semiconductor memory includes a first magnetic layer having a variable magnetization direction; a second magnetic layer having a pinned magnetization direction; and a tunnel barrier layer interposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer, wherein the second magnetic layer includes a ferromagnetic material with molybdenum (Mo) added thereto.

摘要翻译： 该技术提供电子设备。 根据本文的实施方式的电子设备包括半导体存储器，并且半导体存储器包括具有可变的磁化方向的第一磁性层; 具有钉扎磁化方向的第二磁性层; 以及插入在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的隧道势垒层，其中所述第二磁性层包括添加有钼（Mo）的铁磁材料。