公开(公告)号：US09529714B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：US14559509

申请日：2014-12-03

申请人： Yang-Kon Kim ,  Bo-Mi Lee ,  Won-Joon Choi ,  Guk-Cheon Kim ,  Daisuke Watanabe ,  Makoto Nagamine ,  Young-Min Eeh ,  Koji Ueda ,  Toshihiko Nagase ,  Kazuya Sawada

发明人： Yang-Kon Kim ,  Bo-Mi Lee ,  Won-Joon Choi ,  Guk-Cheon Kim ,  Daisuke Watanabe ,  Makoto Nagamine ,  Young-Min Eeh ,  Koji Ueda ,  Toshihiko Nagase ,  Kazuya Sawada

IPC分类号： H01L43/08 ,  G06F12/08 ,  G11C11/16

CPC分类号： G06F12/0802 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： An electronic device includes a semiconductor memory, and the semiconductor memory includes a first magnetic layer having a variable magnetization direction; a second magnetic layer having a pinned magnetization direction; and a tunnel barrier layer interposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer, wherein the second magnetic layer includes a ferromagnetic material with molybdenum (Mo) added thereto.

摘要翻译： 电子设备包括半导体存储器，并且半导体存储器包括具有可变磁化方向的第一磁性层; 具有钉扎磁化方向的第二磁性层; 以及插入在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的隧道势垒层，其中所述第二磁性层包括添加有钼（Mo）的铁磁材料。

公开(公告)号：US20160099288A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14656410

申请日：2015-03-12

申请人： Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Yang Kon KIM ,  Bo Mi LEE ,  Guk Cheon KIM ,  Won Joon CHOI ,  Ki Seon PARK

发明人： Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Yang Kon KIM ,  Bo Mi LEE ,  Guk Cheon KIM ,  Won Joon CHOI ,  Ki Seon PARK

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, a non-magnetic intermediate layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and an underlying layer provided on an opposite side of the first magnetic layer with respect to the intermediate layer, and the underlying layer contains AlN of a hcp structure.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括第一磁性层，第二磁性层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性中间层，以及设置在第一磁性层的相对侧上的下层 相对于中间层，下层包含hcp结构的AlN。

公开(公告)号：US20160043300A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：US14558263

申请日：2014-12-02

申请人： Yang-Kon KIM ,  Ki-Seon PARK ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

发明人： Yang-Kon KIM ,  Ki-Seon PARK ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

IPC分类号： H01L43/02 ,  G06F12/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： G06F12/0875 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/452 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： An electronic device includes semiconductor memory, the semiconductor memory including an under layer; a first magnetic layer located over the under layer and having a variable magnetization direction; a tunnel barrier layer located over the first magnetic layer; and a second magnetic layer located over the tunnel barrier layer and having a pinned magnetization direction, wherein the under layer includes a first metal nitride layer having a NaCl crystal structure and a second metal nitride layer containing a light metal.

摘要翻译： 电子设备包括半导体存储器，该半导体存储器包括下层; 位于所述下层上并具有可变磁化方向的第一磁性层; 位于所述第一磁性层上方的隧道势垒层; 以及位于所述隧道势垒层上方并具有钉扎磁化方向的第二磁性层，其中所述下层包括具有NaCl晶体结构的第一金属氮化物层和包含轻金属的第二金属氮化物层。

公开(公告)号：US20150357557A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14559509

申请日：2014-12-03

申请人： Yang-Kon KIM ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

发明人： Yang-Kon KIM ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

IPC分类号： H01L43/02 ,  G06F3/06 ,  G06F12/08 ,  G11C11/15

CPC分类号： G06F12/0802 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an implementation of this document includes semiconductor memory, and the semiconductor memory includes a first magnetic layer having a variable magnetization direction; a second magnetic layer having a pinned magnetization direction; and a tunnel barrier layer interposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer, wherein the second magnetic layer includes a ferromagnetic material with molybdenum (Mo) added thereto.

摘要翻译： 该技术提供电子设备。 根据本文的实施方式的电子设备包括半导体存储器，并且半导体存储器包括具有可变的磁化方向的第一磁性层; 具有钉扎磁化方向的第二磁性层; 以及插入在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的隧道势垒层，其中所述第二磁性层包括添加有钼（Mo）的铁磁材料。