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    Field-effect transistor structure and fabrication method thereof
    3.
    发明申请
    Field-effect transistor structure and fabrication method thereof 审中-公开
    场效应晶体管结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20090325370A1

    公开(公告)日：2009-12-31

    申请号：US12584401

    申请日：2009-09-03

    申请人： Tsung-Yeh Yang ,  Tri-Rung Yew

    发明人： Tsung-Yeh Yang ,  Tri-Rung Yew

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0545

    摘要： A field-effect transistor (FET) structure is provided. The FET structure includes a gate substrate, a dielectric layer, conductive electrodes, and a carbon nanotube (CNT). The gate substrate is made of a conductive material. The dielectric layer is disposed on the substrate. The conductive electrodes are disposed on the dielectric layer, and contain nickel and chromium. The CNT is disposed on the dielectric layer and electrically connects two conductive electrodes

    摘要翻译： 提供场效应晶体管（FET）结构。 FET结构包括栅极基板，电介质层，导电电极和碳纳米管（CNT）。 栅极衬底由导电材料制成。 电介质层设置在基板上。 导电电极设置在电介质层上，并含有镍和铬。 CNT布置在电介质层上并电连接两个导电电极

    Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate
    4.
    发明授权
    Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 失效
    在Si衬底上生长高品质ZnSe外延层的技术

    公开(公告)号：US07071087B2

    公开(公告)日：2006-07-04

    申请号：US10859764

    申请日：2004-06-03

    申请人： Tsung-Hsi Yang ,  Chung-Liang Lee ,  Chu-Shou Yang ,  Guangli Luo ,  Wu-Ching Chou ,  Chun-Yen Chang ,  Tsung-Yeh Yang

    发明人： Tsung-Hsi Yang ,  Chung-Liang Lee ,  Chu-Shou Yang ,  Guangli Luo ,  Wu-Ching Chou ,  Chun-Yen Chang ,  Tsung-Yeh Yang

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L31/0296 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087

    摘要： A technique to grow high quality and large area ZnSe layer on Si substrate is provided, comprising growing GexSi1−x/Ge epitaxial layers on Si substrate by using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD), and finally growing a ZnSe film on top Ge buffer layers.Two concepts are applied in the process of this invention, the first one is to block the dislocations generated from GexSi1−x epitaxial layers and to terminate the propagated upward dislocations by using strained interfaces, accordingly the dislocation density of ZnSe layer is greatly reduced and the surface roughness is improved; the second concept is to solve the problems of anti-phase domain due to growth of polar materials on non-polar material using off-cut angle Si substrate, and that is free from diffusion problems between different atoms while generally growing ZnSe layers on Si substrate.

    摘要翻译： 提供了在Si衬底上生长高质量和大面积ZnSe层的技术，其包括在Si衬底上生长Ge x Si x Si 1-x / Ge外延层， 高真空化学气相沉积（UHVCVD），最后在顶部Ge缓冲层上生长ZnSe膜。 在本发明的方法中应用了两个概念，第一个概念是为了阻止由Ge x 1 Si 1-x N外延层产生的位错并终止传播的向上位错 通过使用应变界面，ZnSe层的位错密度大大降低，表面粗糙度提高; 第二个概念是解决极性材料在非极性材料上使用偏角Si衬底生长的反相域问题，并且在不同原子之间没有扩散问题，而在Si衬底上通常生长ZnSe层 。