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    Method for coating dielectric composition for fabricating thin-film transistors
    1.
    发明授权
    Method for coating dielectric composition for fabricating thin-film transistors 有权
    涂敷用于制造薄膜晶体管的电介质组合物的方法

    公开(公告)号：US08623447B2

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US12957445

    申请日：2010-12-01

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Nan-Xing Hu

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Nan-Xing Hu

    IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/02

    CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01B3/306 ,  H01B3/42 ,  H01B3/447 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device, such as a thin-film transistor, includes a substrate and a dielectric layer formed from a dielectric composition. The dielectric composition includes a dielectric material, a crosslinking agent, and a thermal acid generator. In particular embodiments, the dielectric material comprises a lower-k dielectric material and a higher-k dielectric material. When deposited, the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material form separate phases. The thermal acid generator allows the dielectric layer to be cured at relatively lower temperatures and/or shorter time periods, permitting the selection of lower-cost substrate materials that would otherwise be deformed by the curing of the dielectric layer.

    摘要翻译： 诸如薄膜晶体管的电子器件包括由电介质组合物形成的衬底和电介质层。 电介质组合物包括电介质材料，交联剂和热酸发生剂。 在特定实施例中，介电材料包括较低介电常数材料和较高介电常数材料。 当沉积时，较低k电介质材料和较高介电材料形成分离相。 热酸发生器允许电介质层在相对较低的温度和/或更短的时间段内固化，允许选择否则通过电介质层的固化而变形的较低成本的基底材料。

    SEMICONDUCTOR COMPOSITION
    5.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR COMPOSITION 有权
    半导体组成

    公开(公告)号：US20120161110A1

    公开(公告)日：2012-06-28

    申请号：US12977464

    申请日：2010-12-23

    申请人： Yiliang Wu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Ping Liu ,  Nan-Xing Hu

    发明人： Yiliang Wu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Ping Liu ,  Nan-Xing Hu

    IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01B1/12

    CPC分类号： C07D495/04 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device, such as a thin-film transistor, includes a semiconducting layer formed from a semiconductor composition. The semiconductor composition comprises a polymer binder and a small molecule semiconductor of Formula (I): wherein R1, m, n, a, b, c, and X are as described herein. Devices formed from the composition exhibit high mobility and excellent stability.

    摘要翻译： 诸如薄膜晶体管的电子器件包括由半导体组合物形成的半导体层。 半导体组合物包含聚合物粘合剂和式（I）的小分子半导体：其中R 1，m，n，a，b，c和X如本文所述。 由该组合物形成的装置显示出高移动性和优异的稳定性。

    DIELECTRIC COMPOSITION FOR THIN-FILM TRANSISTORS
    6.
    发明申请
    DIELECTRIC COMPOSITION FOR THIN-FILM TRANSISTORS 有权
    薄膜晶体管的电介质组成

    公开(公告)号：US20120142515A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：US12957445

    申请日：2010-12-01

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Nan-Xing Hu

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Anthony James Wigglesworth ,  Nan-Xing Hu

    IPC分类号： H01L21/47 ,  H01B3/30 ,  H01B3/46 ,  H01B3/08

    CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01B3/306 ,  H01B3/42 ,  H01B3/447 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device, such as a thin-film transistor, includes a substrate and a dielectric layer formed from a dielectric composition. The dielectric composition includes a dielectric material, a crosslinking agent, and a thermal acid generator. In particular embodiments, the dielectric material comprises a lower-k dielectric material and a higher-k dielectric material. When deposited, the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material form separate phases. The thermal acid generator allows the dielectric layer to be cured at relatively lower temperatures and/or shorter time periods, permitting the selection of lower-cost substrate materials that would otherwise be deformed by the curing of the dielectric layer.

    摘要翻译： 诸如薄膜晶体管的电子器件包括由电介质组合物形成的衬底和电介质层。 电介质组合物包括电介质材料，交联剂和热酸发生剂。 在特定实施例中，介电材料包括较低介电常数材料和较高介电常数材料。 当沉积时，较低k电介质材料和较高介电材料形成分离相。 热酸发生器允许电介质层在相对较低的温度和/或更短的时间段内固化，允许选择否则通过电介质层的固化而变形的较低成本的基底材料。

    Method of forming dielectric layer with a dielectric composition
    10.
    发明授权
    Method of forming dielectric layer with a dielectric composition 有权
    用电介质组合物形成电介质层的方法

    公开(公告)号：US08821962B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US12957461

    申请日：2010-12-01

    申请人： Yiliang Wu ,  Yulin Wang ,  Ping Liu ,  Nan-Xing Hu ,  Anthony James Wigglesworth

    发明人： Yiliang Wu ,  Yulin Wang ,  Ping Liu ,  Nan-Xing Hu ,  Anthony James Wigglesworth

    IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device, such as a thin-film transistor, includes a substrate and a dielectric layer formed from a dielectric composition. The dielectric composition comprises a dielectric material and a low surface tension additive. The low surface tension additive allows for the formation of a thin, smooth dielectric layer with fewer pinholes and enhanced device yield. In particular embodiments, the dielectric material comprises a lower-k dielectric material and a higher-k dielectric material. When deposited, the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material form separate phases.

    摘要翻译： 诸如薄膜晶体管的电子器件包括由电介质组合物形成的衬底和电介质层。 电介质组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。 低表面张力添加剂允许形成具有更少针孔和增强的器件产量的薄的平滑介电层。 在特定实施例中，介电材料包括较低介电常数材料和较高介电常数材料。 当沉积时，较低k电介质材料和较高介电材料形成分离相。