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    TARGET-BASED DUMMY INSERTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
    1.
    发明申请
    TARGET-BASED DUMMY INSERTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
    用于半导体器件的基于目标的DUMMY插入

    公开(公告)号：US20130061196A1

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：US13227118

    申请日：2011-09-07

    申请人： Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Wen-Hao Liu ,  Tsong-Hua Ou ,  Chih-Wei Hsu ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

    发明人： Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Wen-Hao Liu ,  Tsong-Hua Ou ,  Chih-Wei Hsu ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/80 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure provides integrated circuit methods for target-based dummy insertion. A method includes providing an integrated circuit (IC) design layout, and providing a thermal model for simulating thermal effect on the IC design layout, the thermal model including optical simulation and silicon calibration. The method further includes providing a convolution of the thermal model and the IC design layout to generate a thermal image profile of the IC design layout, defining a thermal target for optimizing thermal uniformity across the thermal image profile, comparing the thermal target and the thermal image profile to determine a difference data, and performing thermal dummy insertion to the IC design layout based on the difference data to provide a target-based IC design layout.

    摘要翻译： 本公开提供了用于基于目标的虚拟插入的集成电路方法。 一种方法包括提供集成电路（IC）设计布局，并提供用于模拟IC设计布局热效应的热模型，热模型包括光学仿真和硅校准。 该方法还包括提供热模型和IC设计布局的卷积以产生IC设计布局的热图像轮廓，定义用于优化热图像轮廓的热均匀性的热目标，比较热目标和热图像 以确定差异数据，并且基于差异数据对IC设计布局进行热假插入以提供基于目标的IC设计布局。

    Target-based thermal design using dummy insertion for semiconductor devices
    2.
    发明授权
    Target-based thermal design using dummy insertion for semiconductor devices 有权
    基于目标的热设计，使用半导体器件的虚拟插入

    公开(公告)号：US08527918B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13227118

    申请日：2011-09-07

    申请人： Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Wen-Hao Liu ,  Tsong-Hua Ou ,  Chih-Wei Hsu ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

    发明人： Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Wen-Hao Liu ,  Tsong-Hua Ou ,  Chih-Wei Hsu ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/80 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure provides integrated circuit methods for target-based dummy insertion. A method includes providing an integrated circuit (IC) design layout, and providing a thermal model for simulating thermal effect on the IC design layout, the thermal model including optical simulation and silicon calibration. The method further includes providing a convolution of the thermal model and the IC design layout to generate a thermal image profile of the IC design layout, defining a thermal target for optimizing thermal uniformity across the thermal image profile, comparing the thermal target and the thermal image profile to determine a difference data, and performing thermal dummy insertion to the IC design layout based on the difference data to provide a target-based IC design layout.

    摘要翻译： 本公开提供了用于基于目标的虚拟插入的集成电路方法。 一种方法包括提供集成电路（IC）设计布局，并提供用于模拟IC设计布局热效应的热模型，热模型包括光学仿真和硅校准。 该方法还包括提供热模型和IC设计布局的卷积以产生IC设计布局的热图像轮廓，定义用于优化热图像轮廓的热均匀性的热目标，比较热目标和热图像 以确定差异数据，并且基于差异数据对IC设计布局进行热假插入以提供基于目标的IC设计布局。

    PARAMETERIZED DUMMY CELL INSERTION FOR PROCESS ENHANCEMENT
    9.
    发明申请
    PARAMETERIZED DUMMY CELL INSERTION FOR PROCESS ENHANCEMENT 有权
    用于过程增强的参数化DUMMY CELL插入

    公开(公告)号：US20120144361A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：US12959150

    申请日：2010-12-02

    申请人： Ying-Chou Cheng ,  Tsong-Hua Ou ,  Wen-Hao Liu ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    发明人： Ying-Chou Cheng ,  Tsong-Hua Ou ,  Wen-Hao Liu ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/80 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure relates to parameterized dummy cell insertion for process enhancement and methods for fabricating the same. In accordance with one or more embodiments, methods include providing an integrated circuit (IC) design layout with defined pixel-units, simulating thermal effect to the IC design layout including each pixel-unit, generating a thermal effect map of the IC design layout including each pixel-unit, determining a target absorption value for the IC design layout, and performing thermal dummy cell insertion to each pixel-unit of the IC design layout based on the determined target absorption value.

    摘要翻译： 本公开涉及用于过程增强的参数化虚拟单元插入及其制造方法。 根据一个或多个实施例，方法包括提供具有定义的像素单元的集成电路（IC）设计布局，模拟包括每个像素单元的IC设计布局的热效应，生成IC设计布局的热效应图，包括 每个像素单元，确定IC设计布局的目标吸收值，并且基于所确定的目标吸收值，向IC设计布局的每个像素单元执行热虚拟单元插入。

    Parameterized dummy cell insertion for process enhancement
    10.
    发明授权
    Parameterized dummy cell insertion for process enhancement 有权
    用于过程增强的参数化虚拟单元插入

    公开(公告)号：US08332797B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12959150

    申请日：2010-12-02

    申请人： Ying-Chou Cheng ,  Tsong-Hua Ou ,  Wen-Hao Liu ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    发明人： Ying-Chou Cheng ,  Tsong-Hua Ou ,  Wen-Hao Liu ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/80 ,  Y02P90/265

    摘要： The present disclosure relates to parameterized dummy cell insertion for process enhancement and methods for fabricating the same. In accordance with one or more embodiments, methods include providing an integrated circuit (IC) design layout with defined pixel-units, simulating thermal effect to the IC design layout including each pixel-unit, generating a thermal effect map of the IC design layout including each pixel-unit, determining a target absorption value for the IC design layout, and performing thermal dummy cell insertion to each pixel-unit of the IC design layout based on the determined target absorption value.

    摘要翻译： 本公开涉及用于过程增强的参数化虚拟单元插入及其制造方法。 根据一个或多个实施例，方法包括提供具有定义的像素单元的集成电路（IC）设计布局，模拟包括每个像素单元的IC设计布局的热效应，生成IC设计布局的热效应图，包括 每个像素单元，确定IC设计布局的目标吸收值，并且基于所确定的目标吸收值，向IC设计布局的每个像素单元执行热虚拟单元插入。