公开(公告)号：US08154019B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12649193

申请日：2009-12-29

申请人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee ,  Young Park Kim

发明人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee ,  Young Park Kim

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： G11C11/4074 ,  G11C5/147 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A semiconductor apparatus includes a reference voltage generation unit, a comparison voltage generation unit, and a calibration unit. The reference voltage generation unit is disposed in a reference die and configured to generate a reference voltage. The comparison voltage generation unit is disposed in a die stacked on the reference die and configured to generate a comparison voltage in response to a calibration control signal. The calibration unit is configured to compare a level of the reference voltage with a level of the comparison voltage and generate the calibration control signal.

摘要翻译： 半导体装置包括参考电压产生单元，比较电压产生单元和校准单元。 参考电压产生单元设置在参考管芯中，并被配置为产生参考电压。 比较电压产生单元设置在堆叠在参考管芯上的管芯中，并被配置为响应校准控制信号产生比较电压。 校准单元被配置为将参考电压的电平与比较电压的电平进行比较并产生校准控制信号。

公开(公告)号：US20110074369A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12649193

申请日：2009-12-29

申请人： Yong Kee KWON ,  Hyung Dong Lee ,  Young Park Kim

发明人： Yong Kee KWON ,  Hyung Dong Lee ,  Young Park Kim

IPC分类号： G05F1/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： G11C11/4074 ,  G11C5/147 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A semiconductor apparatus includes a reference voltage generation unit, a comparison voltage generation unit, and a calibration unit. The reference voltage generation unit is disposed in a reference die and configured to generate a reference voltage. The comparison voltage generation unit is disposed in a die stacked on the reference die and configured to generate a comparison voltage in response to a calibration control signal. The calibration unit is configured to compare a level of the reference voltage with a level of the comparison voltage and generate the calibration control signal.

摘要翻译： 半导体装置包括参考电压产生单元，比较电压产生单元和校准单元。 参考电压产生单元设置在参考管芯中，并被配置为产生参考电压。 比较电压产生单元设置在堆叠在参考管芯上的管芯中，并被配置为响应校准控制信号产生比较电压。 校准单元被配置为将参考电压的电平与比较电压的电平进行比较并产生校准控制信号。

公开(公告)号：US08330486B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12956416

申请日：2010-11-30

申请人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee

发明人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee

IPC分类号： H03K17/16

CPC分类号： G11C7/1048 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097

摘要： A data line termination circuit includes a swing-width sensing unit configured to sense a swing width of a voltage of a data line and output a sensed signal, and a variable termination unit configured to adjust a termination resistance value of the data line in response to the sensed signal. The swing-width sensing unit can sense if the swing width is less than or greater than a predetermined swing width, and the swing width of the voltage of the data line can be reduced or increased to maintain the voltage of the data line within a predetermined range.

摘要翻译： 数据线终端电路包括：摆动宽度检测单元，被配置为感测数据线的电压的摆幅并输出感测信号;以及可变终端单元，被配置为响应于所述数据线的终端电阻值 感测信号。 摆幅感测单元可以感测摆动宽度是否小于或大于预定的摆动宽度，并且可以减小或增加数据线的电压的摆动宽度，以将数据线的电压保持在预定的 范围。

公开(公告)号：US08618541B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13341299

申请日：2011-12-30

申请人： Hyung Gyun Yang ,  Hyung Dong Lee ,  Yong Kee Kwon ,  Young Suk Moon ,  Sung Wook Kim

发明人： Hyung Gyun Yang ,  Hyung Dong Lee ,  Yong Kee Kwon ,  Young Suk Moon ,  Sung Wook Kim

IPC分类号： H01L23/58 ,  G11C29/00

CPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor apparatus includes first and second vias, a first circuit unit, a second circuit unit and a third circuit unit. The first and second vias electrically connect a first chip and a second chip with each other. The first circuit unit is disposed in the first chip, receives test data, and is connected with the first via. The second circuit unit is disposed in the first chip, and is connected with the second via and the first circuit unit. The third circuit unit is disposed in the second chip, and is connected with the first via. The first circuit unit outputs an output signal thereof to one of the first via and the second circuit unit in response to a first control signal.

摘要翻译： 半导体装置包括第一和第二通孔，第一电路单元，第二电路单元和第三电路单元。 第一和第二通孔将第一芯片和第二芯片彼此电连接。 第一电路单元设置在第一芯片中，接收测试数据，并与第一通孔连接。 第二电路单元设置在第一芯片中，并与第二通孔和第一电路单元连接。 第三电路单元设置在第二芯片中，并与第一通孔连接。 第一电路单元响应于第一控制信号将其输出信号输出到第一通孔和第二电路单元之一。

公开(公告)号：US07863928B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12403549

申请日：2009-03-13

申请人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee

发明人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee

IPC分类号： H03K17/16

CPC分类号： G11C7/1048 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097

摘要： A data line termination circuit includes a swing-width sensing unit configured to sense a swing width of a voltage of a data line and output a sensed signal, and a variable termination unit configured to adjust a termination resistance value of the data line in response to the sensed signal. The swing-width sensing unit can sense if the swing width is less than or greater than a predetermined swing width, and the swing width of the voltage of the data line can be reduced or increased to maintain the voltage of the data line within a predetermined range.

摘要翻译： 数据线终端电路包括：摆动宽度检测单元，被配置为感测数据线的电压的摆幅并输出感测信号;以及可变终端单元，被配置为响应于所述数据线的终端电阻值 感测信号。 摆幅感测单元可以感测摆动宽度是否小于或大于预定的摆动宽度，并且可以减小或增加数据线的电压的摆动宽度，以将数据线的电压保持在预定的 范围。

公开(公告)号：US08531896B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13219656

申请日：2011-08-27

申请人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee ,  Young Suk Moon ,  Hyung Gyun Yang ,  Sung Wook Kim

发明人： Yong Kee Kwon ,  Hyung Dong Lee ,  Young Suk Moon ,  Hyung Gyun Yang ,  Sung Wook Kim

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/22 ,  G11C11/22

CPC分类号： G11C7/22 ,  G06F2213/0038 ,  G11C7/1063 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/222 ,  G11C11/22

摘要： A semiconductor system, a semiconductor memory apparatus, and a method for input/output of data using the same are disclosed. The semiconductor system includes a controller and a memory apparatus where the controller is configured to transmit a clock signal, a data output command, an address signal, and a second strobe signal to a memory apparatus. The memory apparatus is configured to provide data to the controller in synchronization with the second strobe signal, and in response to the clock signal, the data output command, the address signal, and the second strobe signal received from the controller.

摘要翻译： 公开了一种半导体系统，半导体存储装置和使用其的数据的输入/输出方法。 半导体系统包括控制器和存储装置，其中控制器被配置为向存储装置发送时钟信号，数据输出命令，地址信号和第二选通信号。 存储装置被配置为与第二选通信号同步地向控制器提供数据，并且响应于从控制器接收到的时钟信号，数据输出命令，地址信号和第二选通信号。

公开(公告)号：US08811101B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13399643

申请日：2012-02-17

申请人： Hyung Gyun Yang ,  Hyung Dong Lee ,  Yong Kee Kwon ,  Young Suk Moon ,  Sung Wook Kim ,  Keun Hyung Kim

发明人： Hyung Gyun Yang ,  Hyung Dong Lee ,  Yong Kee Kwon ,  Young Suk Moon ,  Sung Wook Kim ,  Keun Hyung Kim

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C29/48 ,  G11C2029/0401

摘要： A system in package (SIP) semiconductor system includes a memory device, a controller, a first input/output terminal, a test control unit, and a second input/output terminal. The controller communicates with the memory device. The first input/output terminal performs communication between the controller and a device external to the SIP semiconductor system. The test control unit controls a predetermined test mode of the memory device. The second input/output terminal performs communication between the test control unit and at least the device external to the SIP semiconductor system.

摘要翻译： 封装（SIP）半导体系统包括存储器件，控制器，第一输入/输出端子，测试控制单元和第二输入/输出端子。 控制器与存储器件通信。 第一输入/输出端子执行控制器与SIP半导体系统外部的设备之间的通信。 测试控制单元控制存储器件的预定测试模式。 第二输入/输出端子执行测试控制单元与至少在SIP半导体系统外部的设备之间的通信。

公开(公告)号：US20100039093A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12480951

申请日：2009-06-09

申请人： YONG KEE KWON ,  Hyung Dong Lee

发明人： YONG KEE KWON ,  Hyung Dong Lee

IPC分类号： H03H1/00

CPC分类号： G11C5/147

摘要： An internal voltage generating circuit of a semiconductor memory apparatus includes a control signal generating unit configured to enable one of a plurality of control signals in response to a calibration code; and a signal variable voltage distributing unit configured to determine a distribution ratio in response to one enabled control signal of the plurality of control signals and generate an internal voltage by distributing an external voltage at the determined distribution ratio.

摘要翻译： 半导体存储装置的内部电压产生电路包括：控制信号生成单元，被配置为响应于校准码启用多个控制信号中的一个; 以及信号可变电压分配单元，被配置为响应于所述多个控制信号的一个使能控制信号来确定分配比，并且通过以所确定的分配比分配外部电压来产生内部电压。

公开(公告)号：US20120057413A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US12948874

申请日：2010-11-18

申请人： Tae Sik YUN ,  Hyung Dong Lee ,  Jun Gi Choi ,  Sang Jin Byeon ,  Sang Hoon Shin

发明人： Tae Sik YUN ,  Hyung Dong Lee ,  Jun Gi Choi ,  Sang Jin Byeon ,  Sang Hoon Shin

IPC分类号： G11C8/18 ,  G11C29/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C29/006 ,  G11C29/023

摘要： A semiconductor memory apparatus includes a clock control unit configured to receive a first clock when an enable signal is activated and generate a second clock which has a cycle closer in length to a target clock cycle than the first clock; a DLL input clock generation unit configured to output one of the first clock and the second clock as a DLL input clock according to a DLL select signal; and an address/command input clock generation unit configured to output one of the first clock and the second clock as an AC input clock according to the enable signal.

摘要翻译： 一种半导体存储装置，包括：时钟控制单元，被配置为当使能信号被激活时接收第一时钟，并产生具有与第一时钟相对于目标时钟周期更长的周期的第二时钟; DLL输入时钟生成单元，被配置为根据DLL选择信号将第一时钟和第二时钟中的一个作为DLL输入时钟输出; 以及地址/命令输入时钟生成单元，被配置为根据使能信号将第一时钟和第二时钟中的一个作为AC输入时钟输出。

公开(公告)号：US20090046528A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12018732

申请日：2008-01-23

申请人： Hyung Dong Lee

发明人： Hyung Dong Lee

IPC分类号： G11C7/08

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C7/08 ,  G11C29/022 ,  G11C29/023 ,  G11C29/50012 ,  G11C2029/4402

摘要： A semiconductor integrated circuit includes a sense amplifier for sensing input data and a sense amplifier controller for blocking a signal path between the sense amplifier and a memory cell when a test mode signal is activated.

摘要翻译： 半导体集成电路包括用于感测输入数据的读出放大器和用于在测试模式信号被激活时阻塞读出放大器与存储单元之间的信号路径的读出放大器控制器。