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    Novel film for copper diffusion barrier
    1.
    发明申请
    Novel film for copper diffusion barrier 有权
    铜扩散屏障的新型膜

    公开(公告)号：US20060019486A1

    公开(公告)日：2006-01-26

    申请号：US11234808

    申请日：2005-09-23

    申请人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Robert Hepburn ,  Michael Carris ,  William Crew

    发明人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Robert Hepburn ,  Michael Carris ,  William Crew

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention provides a low dielectric constant copper diffusion barrier film suitable for use in a semiconductor device and methods for fabricating such a film. Some embodiments of the film are formed of a silicon-based material doped with boron. Other embodiments are formed, at least in part, of boron nitride. Some such embodiments include a moisture barrier film that includes oxygen and/or carbon. Preferred embodiments of the copper diffusion barrier maintain a stable dielectric constant of less than 4.5 in the presence of atmospheric moisture.

    摘要翻译： 本发明提供一种适用于半导体器件的低介电常数铜扩散阻挡膜及其制造方法。 膜的一些实施例由掺杂有硼的硅基材料形成。 至少部分地由氮化硼形成其它实施例。 一些这样的实施方案包括包含氧和/或碳的防潮膜。 在大气湿度的存在下，铜扩散阻挡层的优选实施例保持小于4.5的稳定介电常数。

    Film for copper diffusion barrier
    2.
    发明授权
    Film for copper diffusion barrier 有权
    铜扩散屏蔽膜

    公开(公告)号：US07163889B2

    公开(公告)日：2007-01-16

    申请号：US11234808

    申请日：2005-09-23

    申请人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Robert Hepburn ,  Michael Carris ,  William Crew

    发明人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Robert Hepburn ,  Michael Carris ,  William Crew

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention provides a low dielectric constant copper diffusion barrier film suitable for use in a semiconductor device and methods for fabricating such a film. Some embodiments of the film are formed of a silicon-based material doped with boron. Other embodiments are formed, at least in part, of boron nitride. Some such embodiments include a moisture barrier film that includes oxygen and/or carbon. Preferred embodiments of the copper diffusion barrier maintain a stable dielectric constant of less than 4.5 in the presence of atmospheric moisture.

    摘要翻译： 本发明提供一种适用于半导体器件的低介电常数铜扩散阻挡膜及其制造方法。 膜的一些实施例由掺杂有硼的硅基材料形成。 至少部分地由氮化硼形成其它实施例。 一些这样的实施方案包括包含氧和/或碳的防潮膜。 在大气湿度的存在下，铜扩散阻挡层的优选实施例保持小于4.5的稳定介电常数。

    Film for copper diffusion barrier
    3.
    发明授权
    Film for copper diffusion barrier 有权
    铜扩散屏蔽膜

    公开(公告)号：US06967405B1

    公开(公告)日：2005-11-22

    申请号：US10670660

    申请日：2003-09-24

    申请人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Robert Hepburn ,  Michael Carris ,  William Crew

    发明人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Robert Hepburn ,  Michael Carris ,  William Crew

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

    CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention provides a low dielectric constant copper diffusion barrier film suitable for use in a semiconductor device and methods for fabricating such a film. Some embodiments of the film are formed of a silicon-based material doped with boron. Other embodiments are formed, at least in part, of boron nitride. Some such embodiments include a moisture barrier film that includes oxygen and/or carbon. Preferred embodiments of the copper diffusion barrier maintain a stable dielectric constant of less than 4.5 in the presence of atmospheric moisture.

    摘要翻译： 本发明提供一种适用于半导体器件的低介电常数铜扩散阻挡膜及其制造方法。 膜的一些实施例由掺杂有硼的硅基材料形成。 至少部分地由氮化硼形成其它实施例。 一些这样的实施方案包括包含氧和/或碳的防潮膜。 在大气湿度的存在下，铜扩散阻挡层的优选实施例保持小于4.5的稳定介电常数。

    Low-K SiC copper diffusion barrier films
    5.
    发明授权
    Low-K SiC copper diffusion barrier films 有权
    低K SiC铜扩散阻挡膜

    公开(公告)号：US07968436B1

    公开(公告)日：2011-06-28

    申请号：US12497322

    申请日：2009-07-02

    申请人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Xingyuan Tang ,  Haiying Fu ,  Michael Carris ,  William Crew

    发明人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Xingyuan Tang ,  Haiying Fu ,  Michael Carris ,  William Crew

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76834 ,  Y10S257/914 ,  Y10S438/931

    摘要： Copper diffusion barrier films having low dielectric constants are suitable for a variety of copper/inter-metal dielectric integration schemes. Copper diffusion barrier films in accordance with the invention are composed of one or more layers of silicon carbide, at least one of the silicon carbide layers having a composition of at least 40% carbon (C), for example, between about 45 and 60% carbon (C). The films' high carbon-content layer will have a composition wherein the ratio of C to Si is greater than 2:1; or >3:1; or >4:1; or >5.1. The high carbon-content copper diffusion barrier films have a reduced effective k relative to conventional barrier materials.

    摘要翻译： 具有低介电常数的铜扩散阻挡膜适用于各种铜/金属间电介质集成方案。 根据本发明的铜扩散阻挡膜由一个或多个碳化硅层组成，至少一个碳化硅层具有至少40％碳（C）的组成，例如约45-60％ 碳（C）。 膜的高碳含量层将具有其中C与Si的比率大于2:1的组成; 或> 3：1; 或> 4：1; 或> 5.1。 高碳含量铜扩散阻挡膜相对于常规阻挡材料具有降低的有效k。

    Low-k SiC copper diffusion barrier films
    7.
    发明授权
    Low-k SiC copper diffusion barrier films 有权
    低k SiC铜扩散阻挡膜

    公开(公告)号：US07573061B1

    公开(公告)日：2009-08-11

    申请号：US11893490

    申请日：2007-08-15

    申请人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Xingyuan Tang ,  Haiying Fu ,  Michael Carris ,  William Crew

    发明人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Xingyuan Tang ,  Haiying Fu ,  Michael Carris ,  William Crew

    IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76834 ,  Y10S257/914 ,  Y10S438/931

    摘要： Copper diffusion barrier films having low dielectric constants are suitable for a variety of copper/inter-metal dielectric integration schemes. Copper diffusion barrier films in accordance with the invention are composed of one or more layers of silicon carbide, at least one of the silicon carbide layers having a composition of at least 40% carbon (C), for example, between about 45 and 60% carbon (C). The films' high carbon-content layer will have a composition wherein the ratio of C to Si is greater than 2:1; or >3:1; or >4:1; or >5.1. The high carbon-content copper diffusion barrier films have a reduced effective k relative to conventional barrier materials.

    摘要翻译： 具有低介电常数的铜扩散阻挡膜适用于各种铜/金属间电介质集成方案。 根据本发明的铜扩散阻挡膜由一个或多个碳化硅层组成，至少一个碳化硅层具有至少40％碳（C）的组成，例如约45-60％ 碳（C）。 膜的高碳含量层将具有其中C与Si的比率大于2:1的组成; 或> 3：1; 或> 4：1; 或> 5.1。 高碳含量铜扩散阻挡膜相对于常规阻挡材料具有降低的有效k。

    Low-k SiC copper diffusion barrier films
    8.
    发明授权
    Low-k SiC copper diffusion barrier films 有权
    低k SiC铜扩散阻挡膜

    公开(公告)号：US07282438B1

    公开(公告)日：2007-10-16

    申请号：US10869474

    申请日：2004-06-15

    申请人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Xingyuan Tang ,  Haiying Fu ,  Michael Carris ,  William Crew

    发明人： Yongsik Yu ,  Karen Billington ,  Xingyuan Tang ,  Haiying Fu ,  Michael Carris ,  William Crew

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76834 ,  Y10S257/914 ,  Y10S438/931

    摘要： Copper diffusion barrier films having low dielectric constants are suitable for a variety of copper/inter-metal dielectric integration schemes. Copper diffusion barrier films in accordance with the invention are composed of one or more layers of silicon carbide, at least one of the silicon carbide layers having a composition of at least 40% carbon (C), for example, between about 45 and 60% carbon (C). The films' high carbon-content layer will have a composition wherein the ratio of C to Si is greater than 2:1; or >3:1; or >4:1; or >5.1. The high carbon-content copper diffusion barrier films have a reduced effective k relative to conventional barrier materials.

    摘要翻译： 具有低介电常数的铜扩散阻挡膜适用于各种铜/金属间电介质集成方案。 根据本发明的铜扩散阻挡膜由一个或多个碳化硅层组成，至少一个碳化硅层具有至少40％碳（C）的组成，例如约45-60％ 碳（C）。 膜的高碳含量层将具有其中C与Si的比率大于2:1的组成; 或> 3：1 或> 4：1; 或> 5.1。 高碳含量铜扩散阻挡膜相对于常规阻挡材料具有降低的有效k。

    Methods of depositing stable and hermetic ashable hardmask films
    10.
    发明授权
    Methods of depositing stable and hermetic ashable hardmask films 有权
    沉积稳定和密封的可硬化硬掩膜的方法

    公开(公告)号：US07981777B1

    公开(公告)日：2011-07-19

    申请号：US11710377

    申请日：2007-02-22

    申请人： Pramod Subramonium ,  Yongsik Yu ,  Zhiyuan Fang ,  Jon Henri

    发明人： Pramod Subramonium ,  Yongsik Yu ,  Zhiyuan Fang ,  Jon Henri

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/0332 ,  C23C16/26 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

    摘要： The present invention provides PECVD methods for forming stable and hermetic ashable hard masks (AHMs). The methods involve depositing AHMs using dilute hydrocarbon precursor gas flows and/or high LFRF/HFRF ratios. In certain embodiments, the AHMs are transparent and have high etch selectivities. Single and dual layer hermetic AHM stacks are also provided. According to various embodiments, the dual layer stack includes an underlying AHM layer having tunable optical properties and a hermetic cap layer.

    摘要翻译： 本发明提供了用于形成稳定和密封的可嚼硬掩模（AHM）的PECVD方法。 这些方法涉及使用稀烃前体气体流和/或高LFRF / HFRF比来沉积AHM。 在某些实施方案中，AHM是透明的并且具有高蚀刻选择性。 还提供单层和双层密封AHM堆叠。 根据各种实施例，双层堆叠包括具有可调光学特性的底层AHM层和密封盖层。