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    System and method for performing auto scroll
    7.
    发明授权
    System and method for performing auto scroll 有权
    执行自动滚动的系统和方法

    公开(公告)号：US08910074B2

    公开(公告)日：2014-12-09

    申请号：US12905486

    申请日：2010-10-15

    申请人： Jung Woo Park ,  Woong Sub Kim ,  Kee Duk Park ,  Se Kwon

    发明人： Jung Woo Park ,  Woong Sub Kim ,  Kee Duk Park ,  Se Kwon

    IPC分类号： G06F3/048 ,  G06F3/0485 ,  G06F3/0484

    CPC分类号： G06F3/0485 ,  G06F3/0484 ,  G06F3/04855

    摘要： Provided is a system and method for performing an auto scroll. The system for performing the auto scroll may include an auto scroll determination unit to determine whether to perform the auto scroll on a page, an auto scroll performing unit to perform the auto scroll on the page so that a main text of the page may be obtained with focus, and a page providing unit to output the auto scrolled page. According to exemplary embodiments of the present invention, even though a user does not manually scroll to data of the page to be viewed, the data of the page may automatically be scrolled so that the data may be obtained with focus.

    摘要翻译： 提供了一种用于执行自动滚动的系统和方法。 用于执行自动滚动的系统可以包括自动滚动确定单元，用于确定是否执行页面上的自动滚动，自动滚动执行单元以在页面上执行自动滚动，使得可以获得页面的主文本 具有焦点和页面提供单元输出自动滚动页面。 根据本发明的示例性实施例，即使用户不手动滚动到要查看的页面的数据，也可以自动地滚动页面的数据，从而可以以焦点获得数据。

    Static electricity preventing assembly for display device and method of manufacturing the same
    9.
    发明申请
    Static electricity preventing assembly for display device and method of manufacturing the same 有权
    用于显示装置的静电防止组件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070131932A1

    公开(公告)日：2007-06-14

    申请号：US11635501

    申请日：2006-12-08

    申请人： Hyun Shin ,  Yeon Mo ,  Jae Jeong ,  Se Kwon

    发明人： Hyun Shin ,  Yeon Mo ,  Jae Jeong ,  Se Kwon

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L27/0248 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276

    摘要： A static electricity preventing assembly for an electronic device, may include a substrate, a buffer layer on the substrate, the buffer layer including a plurality of contact holes exposing respective regions of the substrate, a shorting bar on the buffer layer, pad electrodes on the buffer layer, metal wiring lines on the buffer layer, wherein a first portion of each of the metal wiring lines may be electrically connected to the substrate through the contact holes, a second portion of each of the metal wiring lines may be connected to a respective one of the pad electrodes, and a third portion of each of the metal wiring lines may be connected to the shorting bar, wherein the first portion may be between the second portion and the third portion.

    摘要翻译： 一种用于电子设备的静电防止组件可以包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层包括暴露衬底各自区域的多个接触孔，缓冲层上的短路棒， 缓冲层，缓冲层上的金属布线，其中每个金属布线的第一部分可以通过接触孔电连接到基板，每个金属布线的第二部分可以连接到相应的 焊盘电极中的一个，并且每个金属布线的第三部分可以连接到短路棒，其中第一部分可以在第二部分和第三部分之间。

    METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR
    10.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR 有权
    形成多晶硅薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US20060051904A1

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：US11085953

    申请日：2005-03-22

    申请人： Kyoung Son ,  Myung Ryu ,  Jae Park ,  Eok Kim ,  Jun Lee ,  Se Kwon ,  Jang Im

    发明人： Kyoung Son ,  Myung Ryu ,  Jae Park ,  Eok Kim ,  Jun Lee ,  Se Kwon ,  Jang Im

    IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

    摘要： A method for forming a polycrystalline silicon thin film transistor. The method includes the steps of: forming a polycrystalline silicon layer including multiple protrusions by crystallizing the amorphous silicon layer according to a crystallization method in which the multiple protrusions are formed due to collision between crystal grains; patterning the polycrystalline silicon layer in an active pattern which includes only two protrusions of the multiple protrusions, which are apart from each other and located at both sides of a gate electrode-forming area; applying a barrier layer on the patterned polycrystalline silicon layer while partially covering the two protrusions; and forming a source electrode and a drain electrode at the protrusions of the polycrystalline silicon layer formed at both sides of the gate electrode-forming area by ion-implanting dopants into a resultant lamination.

    摘要翻译： 一种形成多晶硅薄膜晶体管的方法。 该方法包括以下步骤：通过结晶方法形成包含多个突起的多晶硅层，该结晶方法由于晶粒之间的碰撞而形成多个突起; 以仅包括多个突起的两个突起的有源图案图案化多晶硅层，所述突起彼此分开并位于栅电极形成区域的两侧; 在图案化的多晶硅层上施加阻挡层，同时部分地覆盖两个突起; 以及在形成在栅电极形成区的两侧的多晶硅层的突起处，通过将掺杂剂离子注入到所得到的层压中，形成源电极和漏电极。