公开(公告)号：US20110233519A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12729698

申请日：2010-03-23

申请人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-chung Kuo

发明人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-chung Kuo

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L33/30 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007

摘要： Defect selective passivation in semiconductor fabrication for reducing defects.

摘要翻译： 半导体制造中缺陷选择性钝化以减少缺陷。

公开(公告)号：US20100323506A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12489688

申请日：2009-06-23

申请人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

摘要： A method for fabricating a semiconductor layer comprising: a) growing a semiconductor layer on a foreign substrate; b) forming at least one opening on the semiconductor layer, wherein the opening exposes the interface between the semiconductor layer and the foreign substrate; and c) removing at least part of the semiconductor solid state material along the interface between the semiconductor layer and the foreign substrate. The removing step c) is preferably achieved by selective interfacial chemical etching. The semiconductor layer may be utilized as a substrate for fabrication of a wide variety of electronic and opto-electronic devices and integrated circuitry products.

摘要翻译： 一种制造半导体层的方法，包括：a）在异质衬底上生长半导体层; b）在所述半导体层上形成至少一个开口，其中所述开口暴露所述半导体层和所述异质衬底之间的界面; 以及c）沿着所述半导体层和所述异质衬底之间的界面去除所述半导体固态材料的至少一部分。 去除步骤c）优选通过选择性界面化学蚀刻来实现。 半导体层可以用作用于制造各种电子和光电子器件和集成电路产品的衬底。

公开(公告)号：US08501597B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13191798

申请日：2011-07-27

申请人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： A method of fabricating a group III-nitride semiconductor includes the following steps of: forming a first patterned mask layer with a plurality of first openings deposited on an epitaxial substrate; epitaxially growing a group III-nitride semiconductor layer over the epitaxial substrate and covering at least part of the first patterned mask layer; etching the group III-nitride semiconductor layer to form a plurality of second openings, which are substantially at least partially aligned with the first openings; and epitaxially growing the group III-nitride semiconductor layer again.

摘要翻译： 制造III族氮化物半导体的方法包括以下步骤：形成具有沉积在外延衬底上的多个第一开口的第一图案化掩模层; 在所述外延衬底上外延生长III族氮化物半导体层并且覆盖所述第一图案化掩模层的至少一部分; 蚀刻III族氮化物半导体层以形成多个第二开口，其基本上至少部分地与第一开口对准; 并再次外延生长III族氮化物半导体层。

公开(公告)号：US08450190B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12729698

申请日：2010-03-23

申请人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-chung Kuo

发明人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-chung Kuo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007

摘要： Defect selective passivation in semiconductor fabrication for reducing defects.

摘要翻译： 半导体制造中缺陷选择性钝化以减少缺陷。

公开(公告)号：US08133803B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12489688

申请日：2009-06-23

申请人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Yuh-Jen Cheng ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

摘要： A method for fabricating a semiconductor layer comprising: a) growing a semiconductor layer on a foreign substrate; b) forming at least one opening on the semiconductor layer, wherein the opening exposes the interface between the semiconductor layer and the foreign substrate; and c) removing at least part of the semiconductor solid state material along the interface between the semiconductor layer and the foreign substrate. The removing step c) is preferably achieved by selective interfacial chemical etching. The semiconductor layer may be utilized as a substrate for fabrication of a wide variety of electronic and opto-electronic devices and integrated circuitry products.

摘要翻译： 一种制造半导体层的方法，包括：a）在异质衬底上生长半导体层; b）在所述半导体层上形成至少一个开口，其中所述开口暴露所述半导体层和所述异质衬底之间的界面; 以及c）沿着所述半导体层和所述异质衬底之间的界面去除所述半导体固态材料的至少一部分。 去除步骤c）优选通过选择性界面化学蚀刻来实现。 半导体层可以用作用于制造各种电子和光电子器件和集成电路产品的衬底。

公开(公告)号：US20120028446A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13191798

申请日：2011-07-27

申请人： Yuh-Jen CHENG ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Yuh-Jen CHENG ,  Ming-Hua Lo ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： A method of fabricating a group III-nitride semiconductor includes the following steps of forming a first patterned mask layer with a plurality of first openings deposited on an epitaxial substrate; epitaxially growing a group III-nitride semiconductor layer over the epitaxial substrate and covering at least part of the first patterned mask layer; etching the group III-nitride semiconductor layer to form a plurality of second openings, which are substantially at least partially aligned with the first openings; and epitaxially growing the group III-nitride semiconductor layer again.

摘要翻译： 制造III族氮化物半导体的方法包括以下步骤：形成具有沉积在外延衬底上的多个第一开口的第一图案化掩模层; 在所述外延衬底上外延生长III族氮化物半导体层并覆盖所述第一图案化掩模层的至少一部分; 蚀刻III族氮化物半导体层以形成多个第二开口，其基本上至少部分地与第一开口对准; 并再次外延生长III族氮化物半导体层。

公开(公告)号：US09312432B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US13418663

申请日：2012-03-13

申请人： Ming-Hua Lo ,  Zhen-Yu Li ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Ming-Hua Lo ,  Zhen-Yu Li ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/325 ,  H01L33/36

摘要： The present disclosure involves an apparatus. The apparatus includes a photonic die structure that includes a light-emitting diode (LED) die. The LED die is a vertical LED die in some embodiments. The LED die includes a substrate. A p-doped III-V compound layer and an n-doped III-V compound layer are each disposed over the substrate. A multiple quantum well (MQW) layer is disposed between the p-doped III-V compound layer and the n-doped III-V compound layer. The p-doped III-V compound layer includes a first region having a non-exponential doping concentration characteristic and a second region having an exponential doping concentration characteristic. In some embodiments, the second region is formed using a lower pressure than the first region.

摘要翻译： 本公开涉及一种装置。 该装置包括包括发光二极管（LED）裸片的光子管芯结构。 在一些实施例中，LED管芯是垂直LED管芯。 LED管芯包括衬底。 p型掺杂的III-V化合物层和n掺杂的III-V化合物层分别设置在衬底上。 在P掺杂的III-V化合物层和n掺杂的III-V化合物层之间设置多量子阱（MQW）层。 p掺杂的III-V化合物层包括具有非指数掺杂浓度特性的第一区域和具有指数掺杂浓度特性的第二区域。 在一些实施例中，使用比第一区域更低的压力形成第二区域。

公开(公告)号：US20130240831A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13418663

申请日：2012-03-13

申请人： Ming-Hua Lo ,  Zhen-Yu Li ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

发明人： Ming-Hua Lo ,  Zhen-Yu Li ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/325 ,  H01L33/36

摘要： The present disclosure involves an apparatus. The apparatus includes a photonic die structure that includes a light-emitting diode (LED) die. The LED die is a vertical LED die in some embodiments. The LED die includes a substrate. A p-doped III-V compound layer and an n-doped III-V compound layer are each disposed over the substrate. A multiple quantum well (MQW) layer is disposed between the p-doped III-V compound layer and the n-doped III-V compound layer. The p-doped III-V compound layer includes a first region having a non-exponential doping concentration characteristic and a second region having an exponential doping concentration characteristic. In some embodiments, the second region is formed using a lower pressure than the first region.

摘要翻译： 本公开涉及一种装置。 该装置包括包括发光二极管（LED）裸片的光子管芯结构。 在一些实施例中，LED管芯是垂直LED管芯。 LED管芯包括衬底。 p型掺杂的III-V化合物层和n掺杂的III-V化合物层分别设置在衬底上。 在P掺杂的III-V化合物层和n掺杂的III-V化合物层之间设置多量子阱（MQW）层。 p掺杂的III-V化合物层包括具有非指数掺杂浓度特性的第一区域和具有指数掺杂浓度特性的第二区域。 在一些实施例中，使用比第一区域更低的压力形成第二区域。