利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

22 条记录 (耗时 0.022 秒)

    Diaphragm structure and MEMS device
    1.
    发明授权
    Diaphragm structure and MEMS device 有权
    隔膜结构和MEMS器件

    公开(公告)号：US08146437B2

    公开(公告)日：2012-04-03

    申请号：US12630179

    申请日：2009-12-03

    申请人： Yuichi Miyoshi ,  Yusuke Takeuchi ,  Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura

    发明人： Yuichi Miyoshi ,  Yusuke Takeuchi ,  Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura

    IPC分类号： G01L9/06

    CPC分类号： G01L9/0016 ,  H04R19/005

    摘要： A diaphragm structure for a MEMS device includes a through-hole formed so as to penetrate from an upper surface to a bottom surface of a substrate; and a vibrating electrode film formed on the upper surface of the substrate so as to cover the through-hole. An opening shape of the through-hole in the upper surface of the substrate is substantially hexagonal.

    摘要翻译： 用于MEMS器件的隔膜结构包括形成为从衬底的上表面到底表面穿透的通孔; 以及形成在基板的上表面上以覆盖通孔的振动电极膜。 基板的上表面中的通孔的开口形状基本上是六边形。

    ELECTRET CONDENSER
    5.
    发明申请
    ELECTRET CONDENSER 失效
    电动冷凝器

    公开(公告)号：US20110044480A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：US12939748

    申请日：2010-11-04

    申请人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    发明人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    IPC分类号： H04R19/01

    CPC分类号： H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

    摘要： An electret condenser includes a fixed film 110 including a conductive film 118 to be an upper electrode, a vibrating film 112 including a lower electrode 104 and a silicon oxide film 105 to be an electret film, and a silicon oxide film 108 provided between the fixed film 110 and the vibrating film 112 and including an air gap 109. Respective parts of the fixed film 110 and the vibrating film 112 exposed in the air gap 109 are formed of silicon nitride films 106 and 114.

    摘要翻译： 驻极体电容器包括固定膜110，该固定膜110包括作为上电极的导电膜118，包括下电极104的振动膜112和作为驻极体膜的氧化硅膜105，以及设置在固定 膜110和振动膜112，并且包括气隙109.暴露在气隙109中的固定膜110和振动膜112的各个部分由氮化硅膜106和114形成。

    Electret condenser
    6.
    发明授权
    Electret condenser 失效
    驻极体冷凝器

    公开(公告)号：US07853027B2

    公开(公告)日：2010-12-14

    申请号：US10591597

    申请日：2005-02-07

    申请人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    发明人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    IPC分类号： H04R25/00

    CPC分类号： H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

    摘要： An electric condenser includes a fixed film 110 including a conductive film 118 to be an upper electrode, a vibrating film 112 including a lower electrode 104 and a silicon oxide film 105 to be an electric film, and a silicon oxide film 108 provided between the fixed film 110 and the vibrating film 112 and including an air gap 109. Respective parts of the fixed film 110 and the vibrating film 112 exposed in the air gap 109 are formed of silicon nitride films 106 and 114.

    摘要翻译： 电容器包括固定膜110，该固定膜110包括作为上电极的导电膜118，包括下电极104的振动膜112和作为电膜的氧化硅膜105，以及设置在固定 膜110和振动膜112，并且包括气隙109.暴露在气隙109中的固定膜110和振动膜112的各个部分由氮化硅膜106和114形成。

    Electret condenser
    7.
    发明申请
    Electret condenser 失效
    驻极体冷凝器

    公开(公告)号：US20070189555A1

    公开(公告)日：2007-08-16

    申请号：US10591597

    申请日：2005-02-07

    申请人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    发明人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    IPC分类号： H04R25/00

    CPC分类号： H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

    摘要： An electric condenser includes a fixed film 110 including a conductive film 118 to be an upper electrode, a vibrating film 112 including a lower electrode 104 and a silicon oxide film 105 to be an electric film, and a silicon oxide film 108 provided between the fixed film 110 and the vibrating film 112 and including an air gap 109. Respective parts of the fixed film 110 and the vibrating film 112 exposed in the air gap 109 are formed of silicon nitride films 106 and 114.

    摘要翻译： 电容器包括固定膜110，该固定膜110包括作为上电极的导电膜118，包括下电极104的振动膜112和作为电膜的氧化硅膜105，以及设置在固定 膜110和振动膜112，并且包括气隙109。 在气隙109中暴露的固定膜110和振动膜112的各个部分由氮化硅膜106和114形成。

    Electret condenser
    8.
    发明授权
    Electret condenser 失效
    驻极体冷凝器

    公开(公告)号：US08320589B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US12939748

    申请日：2010-11-04

    申请人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    发明人： Tohru Yamaoka ,  Hiroshi Ogura ,  Yuichi Miyoshi

    IPC分类号： H04R25/00

    CPC分类号： H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

    摘要： An electret condenser includes a fixed film 110 including a conductive film 118 to be an upper electrode, a vibrating film 112 including a lower electrode 104 and a silicon oxide film 105 to be an electret film, and a silicon oxide film 108 provided between the fixed film 110 and the vibrating film 112 and including an air gap 109. Respective parts of the fixed film 110 and the vibrating film 112 exposed in the air gap 109 are formed of silicon nitride films 106 and 114.

    摘要翻译： 驻极体电容器包括固定膜110，该固定膜110包括作为上电极的导电膜118，包括下电极104的振动膜112和作为驻极体膜的氧化硅膜105，以及设置在固定 膜110和振动膜112，并且包括气隙109.暴露在气隙109中的固定膜110和振动膜112的各个部分由氮化硅膜106和114形成。

    MEMS DEVICE, MEMS DEVICE MODULE AND ACOUSTIC TRANSDUCER
    10.
    发明申请
    MEMS DEVICE, MEMS DEVICE MODULE AND ACOUSTIC TRANSDUCER 有权
    MEMS器件，MEMS器件模块和声学传感器

    公开(公告)号：US20110042763A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：US12938007

    申请日：2010-11-02

    申请人： Tohru YAMAOKA ,  Yuichi Miyoshi

    发明人： Tohru YAMAOKA ,  Yuichi Miyoshi

    IPC分类号： H01L29/84

    CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0257 ,  H04R19/016 ,  H04R19/04 ,  H04R2410/03

    摘要： A MEMS device includes a first insulating film formed on a semiconductor substrate, a vibrating film formed on the first insulating film, and a fixed film above the vibrating film with an air gap being interposed therebetween. The semiconductor substrate has a region containing N-type majority carriers. A concentration of N-type majority carriers in a portion of the semiconductor substrate where the semiconductor substrate contacts the first insulating film, is higher than a concentration of N-type majority carriers in the other portion of the semiconductor substrate.

    摘要翻译： MEMS器件包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的振动膜和位于振动膜上方的固定膜，其间夹有气隙。 半导体衬底具有包含N型多数载流子的区域。 在半导体衬底与第一绝缘膜接触的半导体衬底的一部分中的N型多数载流子的浓度高于半导体衬底的另一部分中的N型多数载流子的浓度。