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    SiC semiconductor device
    1.
    发明申请
    SiC semiconductor device 审中-公开
    SiC半导体器件

    公开(公告)号：US20060214268A1

    公开(公告)日：2006-09-28

    申请号：US11385762

    申请日：2006-03-22

    申请人： Yusuke Maeyama ,  Koichi Nishikawa ,  Yusuke Fukuda ,  Masaaki Shimizu ,  Masashi Satoh ,  Hiroaki Iwakuro ,  Kenichi Nonaka

    发明人： Yusuke Maeyama ,  Koichi Nishikawa ,  Yusuke Fukuda ,  Masaaki Shimizu ,  Masashi Satoh ,  Hiroaki Iwakuro ,  Kenichi Nonaka

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

    摘要： A semiconductor device includes: a passivation film; a first semiconductor layer that has a first main component of 4H—SiC of a first conductivity type; and a second semiconductor layer that has a second main component of 4H—SiC of a second conductivity type. The second semiconductor layer has a pn-junction with the first semiconductor layer. The pn-junction has a junction edge. The first and second semiconductor layers further include a local area that includes the junction edge. The local area has a first principal plane that interfaces with the passivation film. A normal to the first principal plane tilts by a first tilt angle in a range of 25 degrees to 45 degrees from a first axis of [0001] or [000-1] toward a second axis of .

    摘要翻译： 一种半导体器件包括：钝化膜; 具有第一导电类型的4H-SiC的第一主要成分的第一半导体层; 以及具有第二导电类型的4H-SiC的第二主要成分的第二半导体层。 第二半导体层具有与第一半导体层的pn结。 pn结具有接合边缘。 第一和第二半导体层还包括包括接合边缘的局部区域。 局部区域具有与钝化膜相接的第一主平面。 第一主平面的法线在从[0001]或[000-1]的第一轴朝向<01-10>的第二轴的25度至45度的范围内倾斜第一倾斜角。