公开(公告)号：US07906823B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US12195587

申请日：2008-08-21

申请人： Kazuhiro Suzuki ,  Michihiko Nishigaki ,  Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Kazuhiko Itaya ,  Hideyuki Funaki

发明人： Kazuhiro Suzuki ,  Michihiko Nishigaki ,  Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Kazuhiko Itaya ,  Hideyuki Funaki

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0145

摘要： A MEMS apparatus includes a MEMS unit formed on a semiconductor substrate and a cover provided with a pore and serving to seal the MEMS unit. The pore is sealed with a sealing material shaped in a sphere or a hemisphere.

摘要翻译： MEMS器件包括形成在半导体衬底上的MEMS单元和设置有孔并用于密封MEMS单元的盖。 孔用密封材料密封，形状为球形或半球形。

公开(公告)号：US07875481B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12200177

申请日：2008-08-28

申请人： Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

发明人： Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： It is made possible to provide a highly integrated, thin apparatus can be obtained, even if the apparatus contains MEMS devices and semiconductor devices. A semiconductor apparatus includes: a first chip comprising a MEMS device formed therein; a second chip comprising a semiconductor device formed therein; and an adhesive layer bonding a side face of the first chip to a side face of the second chip, and having a lower Young's modulus than the material of the first and second chips.

摘要翻译： 即使该装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄型器件。 一种半导体装置包括：第一芯片，其包括形成在其中的MEMS器件; 包括其中形成的半导体器件的第二芯片; 以及将第一芯片的侧面接合到第二芯片的侧面并​​且具有比第一芯片和第二芯片的材料更低的杨氏模量的粘合剂层。

公开(公告)号：US20070273018A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11678996

申请日：2007-02-26

申请人： Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

发明人： Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： It is made possible to provide a highly integrated, thin apparatus can be obtained, even if the apparatus contains MEMS devices and semiconductor devices. A semiconductor apparatus includes: a first chip comprising a MEMS device formed therein; a second chip comprising a semiconductor device formed therein; and an adhesive layer bonding a side face of the first chip to a side face of the second chip, and having a lower Young's modulus than the material of the first and second chips.

摘要翻译： 即使该装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄型器件。 一种半导体装置包括：第一芯片，其包括形成在其中的MEMS器件; 包括其中形成的半导体器件的第二芯片; 以及将第一芯片的侧面接合到第二芯片的侧面并​​且具有比第一芯片和第二芯片的材料更低的杨氏模量的粘合剂层。

公开(公告)号：US08008760B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12370927

申请日：2009-02-13

申请人： Hiroshi Yamada ,  Kazuhiko Itaya ,  Yutaka Onozuka ,  Hideyuki Funaki

发明人： Hiroshi Yamada ,  Kazuhiko Itaya ,  Yutaka Onozuka ,  Hideyuki Funaki

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L25/0655 ,  B81B7/0054 ,  B81C1/00238 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated semiconductor device includes a plurality of semiconductor elements having different integrated element circuits or different sizes; an insulating material arranged between the semiconductor elements; an organic insulating film arranged entirely on the semiconductor elements and the insulating material; a fine thin-layer wiring that arranged on the organic insulating film and connects the semiconductor elements; a first input/output electrode arranged on an area of the insulating material; and a first bump electrode formed on the first input/output electrode.

摘要翻译： 集成半导体器件包括具有不同集成元件电路或不同尺寸的多个半导体元件; 布置在所述半导体元件之间的绝缘材料; 完全设置在半导体元件和绝缘材料上的有机绝缘膜; 布置在有机绝缘膜上并连接半导体元件的精细薄层布线; 布置在所述绝缘材料的区域上的第一输入/输出电极; 以及形成在所述第一输入/输出电极上的第一凸块电极。

公开(公告)号：US20090050988A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12195587

申请日：2008-08-21

申请人： Kazuhiro Suzuki ,  Michihiko Nishigaki ,  Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Kazuhiko Itaya ,  Hideyuki Funaki

发明人： Kazuhiro Suzuki ,  Michihiko Nishigaki ,  Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Kazuhiko Itaya ,  Hideyuki Funaki

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0145

摘要： A MEMS apparatus includes a MEMS unit formed on a semiconductor substrate and a cover provided with a pore and serving to seal the MEMS unit. The pore is sealed with a sealing material shaped in a sphere or a hemisphere.

摘要翻译： MEMS器件包括形成在半导体衬底上的MEMS单元和设置有孔并用于密封MEMS单元的盖。 孔用密封材料密封，形状为球形或半球形。

公开(公告)号：US20080318356A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12200177

申请日：2008-08-28

申请人： Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

发明人： Yutaka Onozuka ,  Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： It is made possible to provide a highly integrated, thin apparatus can be obtained, even if the apparatus contains MEMS devices and semiconductor devices. A semiconductor apparatus includes: a first chip comprising a MEMS device formed therein; a second chip comprising a semiconductor device formed therein; and an adhesive layer bonding a side face of the first chip to a side face of the second chip, and having a lower Young's modulus than the material of the first and second chips.

摘要翻译： 即使该装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高集成度的薄的器件。 一种半导体装置包括：第一芯片，其包括形成在其中的MEMS器件; 包括其中形成的半导体器件的第二芯片; 以及将第一芯片的侧面接合到第二芯片的侧面并​​且具有比第一芯片和第二芯片的材料更低的杨氏模量的粘合剂层。

公开(公告)号：US09284186B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13625249

申请日：2012-09-24

申请人： Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiro Suzuki ,  Kazuhiko Itaya ,  Armon Mahajerin ,  Kevin Limkrailassiri ,  Liwei Lin

发明人： Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiro Suzuki ,  Kazuhiko Itaya ,  Armon Mahajerin ,  Kevin Limkrailassiri ,  Liwei Lin

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00182

摘要： After a TEOS oxide film is formed on the surface of a semiconductor device, a PSG film and an SiN film, which have air permeability, are formed on the surface of the TEOS oxide film. Thereafter, a Poly-Si film is formed thereon. A sacrifice layer is removed by a gaseous HF that passes through the PSG film, the SiN film, and the Poly-Si film, and then, the uppermost layer is covered with a Poly-Si/SiC film. A chip scale package having a thin-film hollow-seal structure can be realized on the semiconductor element.

摘要翻译： 在半导体器件的表面上形成TEOS氧化物膜之后，在TEOS氧化物膜的表面上形成具有透气性的PSG膜和SiN膜。 此后，在其上形成多晶硅膜。 通过通过PSG膜，SiN膜和Poly-Si膜的气态HF除去牺牲层，然后用Poly-Si / SiC膜覆盖最上层。 可以在半导体元件上实现具有薄膜中空密封结构的芯片级封装。

公开(公告)号：US20140084392A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13625249

申请日：2012-09-24

申请人： Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiro Suzuki ,  Kazuhiko Itaya ,  Armon Mahajerin ,  Kevin Limkrailassiri ,  Liwei Lin

发明人： Hiroshi Yamada ,  Hideyuki Funaki ,  Kazuhiro Suzuki ,  Kazuhiko Itaya ,  Armon Mahajerin ,  Kevin Limkrailassiri ,  Liwei Lin

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00182

摘要： After a TEOS oxide film is formed on the surface of a semiconductor device, a PSG film and an SiN film, which have air permeability, are formed on the surface of the TEOS oxide film. Thereafter, a Poly-Si film is formed thereon. A sacrifice layer is removed by a gaseous HF that passes through the PSG film, the SiN film, and the Poly-Si film, and then, the uppermost layer is covered with a Poly-Si/SiC film. A chip scale package having a thin-film hollow-seal structure can be realized on the semiconductor element.

摘要翻译： 在半导体器件的表面上形成TEOS氧化物膜之后，在TEOS氧化物膜的表面上形成具有透气性的PSG膜和SiN膜。 此后，在其上形成多晶硅膜。 通过通过PSG膜，SiN膜和Poly-Si膜的气态HF除去牺牲层，然后用Poly-Si / SiC膜覆盖最上层。 可以在半导体元件上实现具有薄膜中空密封结构的芯片级封装。

公开(公告)号：US20080238550A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11857737

申请日：2007-09-19

申请人： Tadahiro SASAKI ,  Kazuhide Abe ,  Kazuhiko Itaya ,  Hideyuki Funaki

发明人： Tadahiro SASAKI ,  Kazuhide Abe ,  Kazuhiko Itaya ,  Hideyuki Funaki

IPC分类号： H03F3/16 ,  H03F3/68

CPC分类号： H03F3/604 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/088 ,  H03F1/3205 ,  H03F3/16 ,  H03F3/607 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/468 ,  H03F2200/543 ,  H03F2200/78 ,  H03F2203/7236

摘要： A power amplifier includes: a first multi-finger FET formed on a semiconductor substrate; a second multi-finger FET formed on the semiconductor substrate; a first temperature detector which detects a channel temperature of the first FET; a second temperature detector which detects a channel temperature of the second FET; a third temperature detector which detects a temperature of the semiconductor substrate; a first detection circuit detecting a difference between an output of the first temperature detector and an output of the third temperature detector and converting the difference to thermoelectromotive force; a second detection circuit detecting a difference between an output of the second temperature detector and the output of the third temperature detector and converting the difference to thermoelectromotive force; and a comparator comparing outputs of the first and second detection circuits with each other to turn on one of the first and second switches and turn off the other.

摘要翻译： 功率放大器包括：形成在半导体衬底上的第一多指FET; 形成在半导体衬底上的第二多指FET; 第一温度检测器，其检测第一FET的通道温度; 第二温度检测器，其检测第二FET的通道温度; 第三温度检测器，其检测半导体衬底的温度; 第一检测电路，检测第一温度检测器的输出和第三温度检测器的输出之间的差异，并将差值转换为热电动势; 第二检测电路，检测第二温度检测器的输出与第三温度检测器的输出之间的差异，并将差值转换为热电动势; 以及比较器，将第一和第二检测电路的输出彼此进行比较，以打开第一和第二开关中的一个并且关闭另一个。

公开(公告)号：US20080012638A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11678398

申请日：2007-02-23

申请人： Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

发明人： Hideyuki Funaki ,  Kazuhiko Itaya

IPC分类号： H03G3/20

CPC分类号： H03G3/007 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0227 ,  H03F1/32 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/321 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/351 ,  H03F2200/504 ,  H03F2200/78 ,  H03G3/004

摘要： A power supply apparatus which supplies power to an amplifier, includes: a regulator stabilizing a voltage of the power supplied to the amplifier; and a stabilizing controller obtaining an amplitude level of an input signal inputted to the amplifier and controlling a stability of the voltage by the regulator based on the amplitude level.

摘要翻译： 向放大器供电的电源装置包括：稳压供给放大器的电力的电压的稳压器; 以及稳定控制器，其获得输入到放大器的输入信号的幅度电平，并且基于振幅电平来控制调节器的电压的稳定性。