公开(公告)号：US07122828B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10671303

申请日：2003-09-24

申请人： Zhenan Bao ,  Howard Edan Katz ,  Jeffrey Scott Meth

发明人： Zhenan Bao ,  Howard Edan Katz ,  Jeffrey Scott Meth

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516

摘要： Semiconductor apparatus comprising: a substrate having a substrate surface; a layer of a first material overlying a first region of the substrate surface; a layer of a semiconductor overlying the layer of first material and overlying a second region of the substrate surface; a first region of the layer of semiconductor, overlying the layer of first material and having a first conductivity; a second region of the layer of semiconductor, overlying the second region of the substrate surface and having a second conductivity; and the first conductivity being substantially different from the second conductivity. Such semiconductor apparatus further comprising a layer of a second material overlying the second region of the substrate surface, the second region of the layer of semiconductor overlying the layer of the second material.

摘要翻译： 半导体装置，包括：具有基板表面的基板; 覆盖衬底表面的第一区域的第一材料层; 覆盖所述第一材料层并覆盖所述衬底表面的第二区域的半导体层; 覆盖第一材料层并具有第一导电性的半导体层的第一区域; 半导体层的第二区域，覆盖在衬底表面的第二区域上并具有第二导电性; 并且第一导电性与第二导电性基本不同。 这种半导体装置还包括覆盖衬底表面的第二区域的第二材料层，覆盖第二材料层的半导体层的第二区域。

公开(公告)号：US07704784B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11354365

申请日：2006-02-15

申请人： Zhenan Bao ,  Howard Edan Katz ,  Jeffrey Scott Meth

发明人： Zhenan Bao ,  Howard Edan Katz ,  Jeffrey Scott Meth

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516

摘要： Semiconductor apparatus comprising: a substrate having a substrate surface; a layer of a first material overlying a first region of the substrate surface; a layer of a semiconductor overlying the layer of first material and overlying a second region of the substrate surface; a first region of the layer of semiconductor, overlying the layer of first material and having a first conductivity; a second region of the layer of semiconductor, overlying the second region of the substrate surface and having a second conductivity; and the first conductivity being substantially different from the second conductivity. Such semiconductor apparatus further comprising a layer of a second material overlying the second region of the substrate surface, the second region of the layer of semiconductor overlying the layer of the second material.

摘要翻译： 半导体装置，包括：具有基板表面的基板; 覆盖衬底表面的第一区域的第一材料层; 覆盖所述第一材料层并覆盖所述衬底表面的第二区域的半导体层; 覆盖第一材料层并具有第一导电性的半导体层的第一区域; 半导体层的第二区域，覆盖在衬底表面的第二区域上并具有第二导电性; 并且第一导电性与第二导电性基本不同。 这种半导体装置还包括覆盖衬底表面的第二区域的第二材料层，覆盖第二材料层的半导体层的第二区域。

公开(公告)号：US20110151214A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US13013876

申请日：2011-01-26

申请人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  Jonathan V. Caspar ,  John Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Thomas C. Felder ,  Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Dalen E. Keys ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Geoffrey Nunes ,  Gerard O'Nell ,  Rinaldo S. Schiffino ,  Nancy G. Tassi

发明人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  Jonathan V. Caspar ,  John Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Thomas C. Felder ,  Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Dalen E. Keys ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Geoffrey Nunes ,  Gerard O'Nell ,  Rinaldo S. Schiffino ,  Nancy G. Tassi

IPC分类号： G03C8/00 ,  B32B3/00

CPC分类号： B41M5/38207 ,  B41M3/006 ,  B41M5/385 ,  B41M5/395 ,  B41M5/41 ,  B41M5/44 ,  B41M5/465 ,  B41M2205/02 ,  B41M2205/38 ,  H01B1/22 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H05K1/095 ,  H05K3/046 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/24909 ,  Y10T428/24917

摘要： Thermal imaging donors are useful for thermal transfer patterning of a metal layer and optionally, a corresponding proximate portion of an additional transfer layer onto a thermal imaging receiver. The compositions are useful for dry fabrication of electronic devices. Also provided are patterned multilayer compositions comprising one or more base film(s), and one or more patterned metal layers. These include electromagnetic interference shields and touchpad sensors.

摘要翻译： 热成像供体可用于金属层的热转移图案化，并且可选地，附加转印层的相应的近似部分到热成像接收器上。 该组合物可用于电子设备的干法制造。 还提供了包含一个或多个基膜和一个或多个图案化金属层的图案化多层组合物。 这些包括电磁干扰屏蔽和触摸板传感器。

公开(公告)号：US07666567B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11877633

申请日：2007-10-23

申请人： Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Kenneth George Sharp ,  Fredrick Claus Zumsteg, Jr. ,  Seema Agrawal

发明人： Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Kenneth George Sharp ,  Fredrick Claus Zumsteg, Jr. ,  Seema Agrawal

IPC分类号： G03C8/00

CPC分类号： B41M5/38207 ,  B41M5/392 ,  H05K3/046 ,  H05K3/182 ,  H05K3/185 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1105

摘要： Disclosed is a method negative imaging method for making a metal pattern with high conductivity comprising providing a patterned substrate comprising a patterned catalyst layer on a base substrate by a thermal imaging method followed by plating to provide the metal pattern. The metal patterns provided are suitable for electrical devices including electromagnetic interference shielding devices and touchpad sensors.

摘要翻译： 公开了一种用于制造具有高导电性的金属图案的方法负成像方法，包括通过热成像方法在基底板上提供包含图案化催化剂层的图案化衬底，接着进行电镀以提供金属图案。 所提供的金属图案适用于包括电磁干扰屏蔽装置和触摸板传感器的电气装置。

公开(公告)号：US07528448B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11488200

申请日：2006-07-17

申请人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W. Catron, Jr. ,  Reid John Chesterfield ,  Howard David Glicksman ,  Marc B. Goldfinger ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Hong Meng ,  Jeffrey Scott Meth ,  Geoffrey Nunes ,  Gerard O'Neil ,  Kenneth George Sharp ,  Feng Gao

发明人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W. Catron, Jr. ,  Reid John Chesterfield ,  Howard David Glicksman ,  Marc B. Goldfinger ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Hong Meng ,  Jeffrey Scott Meth ,  Geoffrey Nunes ,  Gerard O'Neil ,  Kenneth George Sharp ,  Feng Gao

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

摘要： The invention relates to thin film transistors comprising novel dielectric layers and novel electrodes comprising metal compositions that can be provided by a dry thermal transfer process.

摘要翻译： 本发明涉及包括新型电介质层的薄膜晶体管和包含可通过干热转移工艺提供的金属组合物的新型电极。

公开(公告)号：US20090104557A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11877633

申请日：2007-10-23

申请人： Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Kenneth George Sharp ,  Fredrick Claus Zumsteg, JR. ,  Seema Agrawal

发明人： Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Kenneth George Sharp ,  Fredrick Claus Zumsteg, JR. ,  Seema Agrawal

IPC分类号： G03F1/14

CPC分类号： B41M5/38207 ,  B41M5/392 ,  H05K3/046 ,  H05K3/182 ,  H05K3/185 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1105

摘要： Disclosed is a method negative imaging method for making a metal pattern with high conductivity comprising providing a patterned substrate comprising a patterned catalyst layer on a base substrate by a thermal imaging method followed by plating to provide the metal pattern. The metal patterns provided are suitable for electrical devices including electromagnetic interference shielding devices and touchpad sensors.

摘要翻译： 公开了一种用于制造具有高导电性的金属图案的方法负成像方法，包括通过热成像方法在基底板上提供包含图案化催化剂层的图案化衬底，接着进行电镀以提供金属图案。 所提供的金属图案适用于包括电磁干扰屏蔽装置和触摸板传感器的电气装置。

公开(公告)号：US20080012006A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11488200

申请日：2006-07-17

申请人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W. Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Feng Gao ,  Howard David Glicksman ,  Marc B. Goldfinger ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Hong Meng ,  Jeffrey Scott Meth ,  Gerard O'Neil ,  Kenneth George Sharp ,  Nancy G. Tassi ,  Geoffrey Nunes

发明人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W. Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Feng Gao ,  Howard David Glicksman ,  Marc B. Goldfinger ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Hong Meng ,  Jeffrey Scott Meth ,  Gerard O'Neil ,  Kenneth George Sharp ,  Nancy G. Tassi ,  Geoffrey Nunes

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

摘要： The invention relates to thin film transistors comprising novel dielectric layers and novel electrodes comprising metal compositions that can be provided by a dry thermal transfer process.

摘要翻译： 本发明涉及包含新型电介质层的薄膜晶体管和包含可通过干热转移工艺提供的金属组合物的新型电极。

公开(公告)号：US08308886B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US11488262

申请日：2006-07-17

申请人： Gerald Donald Andrews ,  Marc B Goldfinger ,  Mark Andrew Harmer ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Irina Malajovich ,  William J Marshall ,  Elizabeth Forrester McCord ,  Charles Nehemiah McEwen ,  Jeffrey Scott Meth ,  Richard Kevin Bailey ,  Geoffrey Nunes ,  Rinaldo Soria Schiffino ,  Paul J Shannon ,  Kenneth George Sharp ,  Karyn B Visscher ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W Catron, Jr. ,  Reid John Chesterfield ,  Thomas C Felder ,  Feng Gao ,  Howard David Glicksman

发明人： Gerald Donald Andrews ,  Marc B Goldfinger ,  Mark Andrew Harmer ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Irina Malajovich ,  William J Marshall ,  Elizabeth Forrester McCord ,  Charles Nehemiah McEwen ,  Jeffrey Scott Meth ,  Richard Kevin Bailey ,  Geoffrey Nunes ,  Rinaldo Soria Schiffino ,  Paul J Shannon ,  Kenneth George Sharp ,  Karyn B Visscher ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W Catron, Jr. ,  Reid John Chesterfield ,  Thomas C Felder ,  Feng Gao ,  Howard David Glicksman

IPC分类号： B41M5/40 ,  B32B3/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L51/0013 ,  H01L51/0545 ,  H05K1/097 ,  H05K3/046 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  Y10T428/24901

摘要： The invention discloses processes for thermal transfer patterning of a nanoparticle layer and a corresponding proximate portion of a carrier layer, and optionally additional transfer layers, together onto a thermal imaging receiver. The invention is useful for dry fabrication of electronic devices. Additional embodiments of the invention include multilayer thermal imaging donors comprising in layered sequence: a base film, a carrier layer and a nanoparticle layer. The carrier layer can be a dielectric or conducting layer. When the carrier layer is a dielectric layer, the base film includes a light attenuating agent in the form of a dye or pigment.

摘要翻译： 本发明公开了将纳米颗粒层和相应的载体层的近似部分以及任选地附加的转移层一起热图像化到热成像接收器上的方法。 本发明对于电子设备的干法制造是有用的。 本发明的另外的实施方案包括以分层顺序包括的多层热成像供体：基膜，载体层和纳米颗粒层。 载体层可以是介电层或导电层。 当载体层是介电层时，基膜包括染料或颜料形式的光衰减剂。

公开(公告)号：US07582403B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11488247

申请日：2006-07-17

申请人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  Jonathan V. Caspar ,  John W. Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Thomas C. Felder ,  Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Dalen E. Keys ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Geoffrey Nunes ,  Gerard O'Neil ,  Rinaldo S. Schiffino ,  Nancy G. Tassi

发明人： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  Jonathan V. Caspar ,  John W. Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Thomas C. Felder ,  Feng Gao ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Dalen E. Keys ,  Irina Malajovich ,  Jeffrey Scott Meth ,  Geoffrey Nunes ,  Gerard O'Neil ,  Rinaldo S. Schiffino ,  Nancy G. Tassi

IPC分类号： B41M5/40 ,  H01B1/22 ,  G03C3/00 ,  G03C5/18

CPC分类号： B41M5/38207 ,  B41M3/006 ,  B41M5/385 ,  B41M5/395 ,  B41M5/41 ,  B41M5/44 ,  B41M5/465 ,  B41M2205/02 ,  B41M2205/38 ,  H01B1/22 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H05K1/095 ,  H05K3/046 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/24909 ,  Y10T428/24917

摘要： The invention provides metal compositions, including silver compositions, and thermal imaging donors prepared with the compositions. The donors are useful for thermal transfer patterning of a metal layers and optionally, a corresponding proximate portion of an additional transfer layer onto a thermal imaging receiver. The compositions are useful for dry fabrication of electronic devices. Also provided are patterned multilayer compositions comprising one or more base film(s), and one or more patterned metal layers, including EMI shields and touchpad sensors.

摘要翻译： 本发明提供了金属组合物，包括银组合物和用该组合物制备的热成像供体。 供体可用于金属层的热转移图案化，以及任选的附加转印层的相应的近似部分到热成像接收器上。 该组合物可用于电子设备的干法制造。 还提供了包含一个或多个基膜和一个或多个图案化金属层（包括EMI屏蔽和触摸板传感器）的图案化多层组合物。

公开(公告)号：US20080012163A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11789842

申请日：2007-04-25

申请人： Gerald Donald Andrews ,  Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John Catron ,  Feng Gao ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Jeffrey Scott Meth ,  Frank S. Principe ,  Rinaldo S. Schiffino ,  Robert Mar Yohannan

发明人： Gerald Donald Andrews ,  Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John Catron ,  Feng Gao ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Jeffrey Scott Meth ,  Frank S. Principe ,  Rinaldo S. Schiffino ,  Robert Mar Yohannan

IPC分类号： B29D11/00

CPC分类号： B41M5/38207 ,  B41M5/38214 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H05K3/046 ,  H05K3/26 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107

摘要： Provided are processes for enhancing the resolution of a thermally transferred pattern on an imaged thermal transfer receiver, wherein the imaged thermal transfer receiver comprises a surface having an exposed portion and a non-exposed portion of one or more thermally transferred layer(s), comprising: (a) contacting said surface with an adhesive layer for a contact period to provide a laminate; (b) separating said adhesive layer from the laminate to provide a treated thermal transfer receiver having a surface substantially free of said non-exposed portion of one or more thermally transferred layer(s). The processes are useful in the fabrication of electronic devices including thin film transistors, circuits, electromagnetic interference shields, touchpad sensors and other electronic devices.

摘要翻译： 提供了用于增强成像的热转印接收器上的热转印图案的分辨率的方法，其中成像的热转印接收器包括具有一个或多个热转印层的暴露部分和未曝光部分的表面，包括 ：（a）使所述表面与粘合剂层接触接触期以提供层压体; （b）从所述层压体分离所述粘合剂层以提供经处理的热转印接收器，其具有基本上不含一个或多个热转移层的所述未曝光部分的表面。 这些方法在制造包括薄膜晶体管，电路，电磁干扰屏蔽，触摸板传感器和其它电子设备的电子器件中是有用的。