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    FABRICATION OF NITROGEN CONTAINING REGIONS ON SILICON CONTAINING REGIONS IN INTEGRATED CIRCUITS, AND INTEGRATED CIRCUITS OBTAINED THEREBY
    1.
    发明申请
    FABRICATION OF NITROGEN CONTAINING REGIONS ON SILICON CONTAINING REGIONS IN INTEGRATED CIRCUITS, AND INTEGRATED CIRCUITS OBTAINED THEREBY 审中-公开
    在集成电路中含硅区域的含氮区域的制造以及获得的集成电路

    公开(公告)号：US20070138579A1

    公开(公告)日：2007-06-21

    申请号：US11677768

    申请日：2007-02-22

    申请人： Zhong Dong ,  Chiliang Chen ,  Chung Leung

    发明人： Zhong Dong ,  Chiliang Chen ,  Chung Leung

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3145

    摘要： Silicon oxide (210) is grown on a silicon region (130). At least a portion (210N) of the silicon oxide (210) adjacent to the silicon region (130) is nitrided. Then some of the silicon oxide (210) is removed, leaving the nitrided portion (210N). Additional silicon oxide is thermally grown on the silicon region (130) under the nitrided silicon oxide portion (210N). This additional silicon oxide and the nitrided portion (210N) form a silicon oxide layer (140) having a high nitrogen concentration adjacent to a surface opposite from the silicon region (130) and a low nitrogen concentration elsewhere. Another nitridation step increases the nitrogen concentration in the silicon oxide layer (140) adjacent to the silicon region, providing a double peak nitrogen profile.

    摘要翻译： 氧化硅（210）在硅区（130）上生长。 与硅区域（130）相邻的氧化硅（210）的至少一部分（210 N）被氮化。 然后去除一些氧化硅（210），留下氮化部分（210N）。 另外的氧化硅在氮化硅氧化物部分（210N）下在硅区域（130）上热生长。 这种附加的氧化硅和氮化部分（210N）形成具有与氮区域相反的表面附近的高氮浓度的氧化硅层（140），而在其它地方具有低的氮浓度。 另一个氮化步骤增加邻近硅区域的氧化硅层（140）中的氮浓度，提供双峰氮分布。

    Fabrication of nitrogen containing regions on silicon containing regions in integrated circuits, and integrated circuits obtained thereby
    2.
    发明申请
    Fabrication of nitrogen containing regions on silicon containing regions in integrated circuits, and integrated circuits obtained thereby 审中-公开
    在集成电路中含硅区域上的含氮区域的制造以及由此获得的集成电路

    公开(公告)号：US20070090493A1

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：US11248705

    申请日：2005-10-11

    申请人： Zhong Dong ,  Chiliang Chen ,  Chung Leung

    发明人： Zhong Dong ,  Chiliang Chen ,  Chung Leung

    IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/318

    CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3145

    摘要： Silicon oxide (210) is grown on a silicon region (130). At least a portion (210N) of the silicon oxide (210) adjacent to the silicon region (130) is nitrided. Then some of the silicon oxide (210) is removed, leaving the nitrided portion (210N). Additional silicon oxide is thermally grown on the silicon region (130) under the nitrided silicon oxide portion (210N). This additional silicon oxide and the nitrided portion (210N) form a silicon oxide layer (140) having a high nitrogen concentration adjacent to a surface opposite from the silicon region (130) and a low nitrogen concentration elsewhere. Another nitridation step increases the nitrogen concentration in the silicon oxide layer (140) adjacent to the silicon region, providing a double peak nitrogen profile.

    摘要翻译： 氧化硅（210）在硅区（130）上生长。 与硅区域（130）相邻的氧化硅（210）的至少一部分（210 N）被氮化。 然后去除一些氧化硅（210），留下氮化部分（210N）。 另外的氧化硅在氮化硅氧化物部分（210N）下在硅区域（130）上热生长。 该另外的氧化硅和氮化部分（210 N）形成具有与氮区域相反的表面附近的高氮浓度的氧化硅层（140），而在其他地方具有低的氮浓度。 另一个氮化步骤增加邻近硅区域的氧化硅层（140）中的氮浓度，提供双峰氮分布。

    METHOD TO FORM UNIFORM TUNNEL OXIDE FOR FLASH DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES
    6.
    发明申请
    METHOD TO FORM UNIFORM TUNNEL OXIDE FOR FLASH DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES 审中-公开
    形成用于闪存器件的均匀氧化锆的方法和结构结构

    公开(公告)号：US20090039413A1

    公开(公告)日：2009-02-12

    申请号：US12252571

    申请日：2008-10-16

    申请人： Zhong Dong ,  Chiliang Chen

    发明人： Zhong Dong ,  Chiliang Chen

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02312 ,  H01L29/40114

    摘要： Thin oxide films are grown on silicon which has been previously treated with a gaseous or liquid source of chloride ions. The resulting oxide is of more uniform thickness than obtained on untreated silicon, thereby allowing a given charge to be stored on a floating gate formed over said oxide for a longer time than previously required for a structure not so treated.

    摘要翻译： 薄氧化膜生长在已经用气态或液态氯离子源处理过的硅上。 所得到的氧化物的厚度比在未处理的硅上获得的厚度更均匀，从而允许将给定的电荷存储在形成于所述氧化物上的浮栅上比未经处理的结构先前需要的时间更长的时间。