公开(公告)号：WO2014127328A3

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014016737

申请日：2014-02-17

Applicant: VIBRANT HOLDINGS LLC

Inventor： RAJASEKARAN JOHN J ,  JAYARAMAN VASANTH ,  WANG TIANHAO ,  BEI KANG ,  KRISHNAMURTHY HARI KRISHNAN

IPC: G01N33/53 ,  C12Q1/28

CPC classification number: G01N33/582 ,  G01N21/66 ,  G01N33/54373 ,  G01N33/5438 ,  G01N33/581

Abstract: Disclosed herein are formulations, substrates, and arrays. Also disclosed herein are methods for manufacturing and using the formulations, substrates, and arrays. Also disclosed are methods for identifying peptide sequences useful for diagnosis and treatment of disorders, and methods for using the peptide sequences for diagnosis and treatment of disorders, e.g., celiac disorder. In certain embodiments, substrates and arrays comprise a porous layer for synthesis and attachment of polymers or biomolecules.

Abstract translation: 本文公开了配制剂，基质和阵列。 本文还公开了用于制造和使用制剂，基底和阵列的方法。 还公开了鉴定可用于诊断和治疗病症的肽序列的方法，以及使用该肽序列诊断和治疗病症例如乳糜泻的方法。 在某些实施方案中，基底和阵列包含用于聚合物或生物分子的合成和附着的多孔层。

公开(公告)号：WO2014160192A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/026010

申请日：2014-03-13

Applicant: MESO SCALE TECHNOLOGIES, LLC.

Inventor： AGHVANYAN, Anahit ,  GLEZER, Eli, N. ,  KENTEN, John ,  SIGAL, George ,  STENGELIN, Martin

IPC: G01N33/53 ,  G01N33/532 ,  G01N33/58

CPC classification number: G01N33/54393 ,  C12Q1/6804 ,  G01N21/66 ,  G01N21/76 ,  G01N21/77 ,  G01N33/5306 ,  G01N33/5308 ,  G01N33/533 ,  G01N33/54306 ,  G01N33/56988 ,  G01N33/582 ,  G01N2021/7786 ,  C12Q2537/125 ,  C12Q2563/179

Abstract: The present invention is directed to methods for improving assay specificity and performance in binding assays.

Abstract translation: 本发明涉及用于改善结合测定中测定特异性和性能的方法。

公开(公告)号：WO2014157713A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/059384

申请日：2014-03-24

Applicant: JFEスチール株式会社

Inventor： 名越　正泰 ,  山下　孝子 ,  臼井　幸夫 ,  高城　重宏 ,  花澤　和浩

IPC: G01N23/225 ,  H01F1/16 ,  H01F1/18 ,  C21D8/12

CPC classification number: G01N21/66 ,  C21D8/12 ,  C21D8/1283 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/95 ,  G01N23/2254 ,  G01N2021/8887 ,  H01F1/16

Abstract: 　フォルステライトの存在を、測定対象を破壊せずに、簡便に確認する技術を提供する。　フォルステライトを有する材料に電子線を照射したときに、電子線による励起で発光する領域から、フォルステライトが存在する位置を確認する。本発明は、材料がフォルステライト層を有する方向性電磁鋼板である場合に好ましく適用できる。また、フォルステライト層の上に張力コーティング層を有する方向性電磁鋼板である場合には、電子線を照射する際の加速電圧が３０ｋＶ以上であることが好ましい。

Abstract translation: 本发明提供一种易于确认镁橄榄石的存在而不破坏被测定物的技术。 当将电子束施加到具有镁橄榄石的材料时，从通过电子束的激发发射光的区域确认存在镁橄榄石的位置。 当材料是具有镁橄榄石层的晶粒取向电磁钢板时，本发明适用。 此外，当材料是在抚平层上具有拉伸涂层的晶粒取向电磁钢板时，施加电子束时的加速电压优选为30kV以上。

公开(公告)号：WO2014023823A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/EP2013/066701

申请日：2013-08-09

Applicant: UNIVERSITAET STUTTGART

Inventor： STOICESCU, Liviu-Mihai ,  REUTER, Michael ,  WERNER, Juergen H.

IPC: G01N25/72 ,  G01R31/26 ,  G01N21/66

CPC classification number: H02S50/15 ,  G01N21/66 ,  H02S50/10

Abstract: Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Prüfen von Photovoltaikmodulen angegeben, wobei die Leistung, die ein Photovoltaikmodul (12) abgibt oder aufnimmt, moduliert (fQ) wird, das Photovoltaikmodul (12) mit einer Kamera (26) gescannt wird und das von der Kamera (26) erzeugte Kamerasignal ausgewertet wird, um ein Lumineszenzbild des Photovoltaikmoduls (12) zu erhalten, wobei das Photovoltaikmodul (12) nur in der Vorwärtsrichtung betrieben wird und das Kamerasignal unter Verwendung eines Filters (24), vorzugsweise eines digitalen Filters, ausgewertet wird.

Abstract translation: 本发明提供具有摄像机（26）的方法和用于光伏模块的测试的装置，其特征在于，通过光生伏打模块（12）传送或接收功率调制（FQ），所述光伏模块（12）被扫描，并且 产生相机（26）相机信号，以便获得所述光伏模块（12）的发光图像进行分析，所述光伏模块（12）仅在正向方向上，并通过使用一个过滤器（24）的相机信号操作，优选的数字滤波器被评估 ，

公开(公告)号：WO2013039189A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/JP2012/073585

申请日：2012-09-14

Applicant: 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 ,  株式会社マイクロエミッション ,  高村 禅 ,  山本 保

Inventor： 高村　禅 ,  山本　保

IPC: H05H1/24 ,  G01N21/71

CPC classification number: H05H1/48 ,  G01N21/66 ,  G01N21/73 ,  H05H1/0025 ,  H05H1/0037

Abstract: 【課題】プラズマ発生時間の長いプラズマ発生装置及び測定感度が非常に高い発光分光分析装置を提供する。 【解決手段】導電性液体１０５中でプラズマ１０６を発生させるプラズマ発生装置１には、導電性液体１０５を運搬しかつ絶縁性材料で形成された運搬流路が配設される。運搬流路の断面積よりも著しく小さい断面積を有する狭小部１０３が運搬流路内に配設される。狭小部１０３に電界が通過するように狭小部１０３に電界を印加するための手段が配設される。本発明では狭小部１０３の一部分では、他の部分に比較して導電性液体１０５の移動抵抗が大きいことを特徴とする。

Abstract translation: 本发明提供一种具有长等离子体产生时间的等离子体发生装置和具有极高测量灵敏度的发射分光光度计。 用于在导电液体（105）中产生等离子体（106）的等离子体产生装置（1）中安装有用于输送导电液体（105）的由绝缘材料形成的输送通道。 在运输通道中安装有具有比输送通道的截面面积小的横截面积的窄部（103）。 安装用于向窄部（103）施加电场的装置，使得电场通过窄部（103）。 本发明的特征在于，在狭窄部分（103）的一部分中，导电液体（105）的运动阻力大于其它部分。

公开(公告)号：WO2012160804A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/JP2012/003326

申请日：2012-05-22

Applicant: 株式会社クレブ ,  山下 真希 ,  水河 啓美

Inventor： 山下　真希 ,  水河　啓美

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/50 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28 ,  G01N21/67 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: G01N21/255 ,  G01J3/443 ,  G01J2003/4435 ,  G01N21/274 ,  G01N21/66 ,  G01N2201/127 ,  H05H1/0037

Abstract: 　発光分析装置は、分光計測器（２００）で計測された容器内の波長毎の光強度を示す分光スペクトルを多項式で近似することにより、容器内の波長毎の光強度を算出する第１光強度算出部の一例であるプラズマ光強度算出部（１２０）と、波長毎に、前記分光計測器（２００）で計測された分光スペクトルが示す光強度から、第１光強度算出部が算出した光強度を減算することにより、分子または原子の輝線スペクトルに対応する光強度を算出する第２光強度算出部の一例である分子光強度算出部（１３０）と、第２光強度算出部が算出した光強度を用いて、第１分子の分子スペクトルまたは第１原子の原子スペクトルのピーク値と、第２分子の分子スペクトルまたは第２原子の原子スペクトルのピーク値との比を算出する比算出部（１４０）とを備える。

Abstract translation: 该发光分析装置包括：等离子体光强度计算部（120），其是通过对表示光强度的分光光谱进行多项式近似来计算容器内的各波长的光强度的第一光强度计算部的一例 对于通过光谱仪（200）测量的容器内的每个波长; 分子光强度计算单元（130），其是第二光强度计算单元的示例，其针对每个波长，通过减去由分子或原子的亮线谱计算的光强度，计算分子或原子的光线强度 由由所述分光计（200）测量的光谱测定的光强度的第一光强度计算单元; 以及比率计算单元，其通过使用由第二光强计算单元计算出的光强度，计算第一分子的分子光谱的峰值或第一原子的原子光谱与峰的峰值 第二分子的分子光谱值或第二原子的原子光谱值。

公开(公告)号：WO2011078374A3

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/JP2010073486

申请日：2010-12-17

Applicant: NISSHINBO MECHATRONICS INC ,  UNIV MIE ,  MORIO YOSHINARI ,  ISHIKAWA MAKOTO ,  TAKAHASHI JUNICHI ,  GOTO MASAHIRO

Inventor： MORIO YOSHINARI ,  ISHIKAWA MAKOTO ,  TAKAHASHI JUNICHI ,  GOTO MASAHIRO

IPC: G01M11/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/66 ,  H02S50/10

Abstract: Disclosed is an inspection device for solar cells which enables the identification of the location of band-shaped defects in solar cells. The disclosed inspection device for solar cells is provided with a defect location identification means which identifies the location of band-shaped defects in a solar cell by applying a search window (43) to a cell image which displays the solar cell in an energised state. The search window (43) includes a band-shaped first region (40a) and a second region (40b) which is divided in two by the first region (40a). The search window (43) of the defect location identification means can identify band-shaped defects which extend in the same direction as the first region (40a) on the basis of the brightness inside the first region (40a) and the brightness inside the second region (40b) in the cell image at a specified time.

Abstract translation: 公开了一种能够识别太阳能电池中的带状缺陷的位置的太阳能电池检查装置。 所公开的用于太阳能电池的检查装置设置有缺陷位置识别装置，其通过将搜索窗口（43）应用于在通电状态下显示太阳能电池的单元图像来识别太阳能电池中的带状缺陷的位置。 搜索窗口（43）包括由第一区域（40a）分成两部分的带状第一区域（40a）和第二区域（40b）。 缺陷位置识别装置的搜索窗口（43）可以基于第一区域（40a）内的亮度和第二区域（40a）内的亮度来识别沿与第一区域（40a）相同的方向延伸的带状缺陷， 区域（40b）。

公开(公告)号：WO2011023312A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/EP2010/005018

申请日：2010-08-16

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. ,  ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG ,  HAUNSCHILD, Jonas ,  REIN, Stefan ,  GLATTHAAR, Markus

Inventor： HAUNSCHILD, Jonas ,  REIN, Stefan ,  GLATTHAAR, Markus

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/6489 ,  G01N21/66 ,  G01N21/9501 ,  G01N2015/1479 ,  G03F7/2008 ,  G06F17/00 ,  H02S50/10

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermessung einer Halbleiterstruktur, welche einen Emitter und eine Basis umfasst und eine Solarzelle oder eine Vorstufe einer Solarzelle ist, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Halbleiterstruktur und ortsaufgelöste Messung der von der Halbleiterstruktur ausgehenden Lumineszenzstrahlung wobei eine erste Messung bei einer ersten Messbedingung a durchgeführt wird und abhängig zumindest von den erhaltenen Messdaten der ersten Messung ein erstes ortsaufgelöstes, spannungskalibriertes Bild V a (x i ) für eine Vielzahl von Ortspunkten x i , der Solarzelle aus den in Schritt A erhaltenen Messdaten bestimmt wird, B Bestimmen von ortsaufgelösten Eigenschaften der Halbleiterstruktur, hinsichtlich des ortsaufgelösten Dunkelsättigungsstromes j 0 (x i ) und/oder des ortsaufgelösten Emitterschichtwiderstandes p(x i ) und/oder des ortsaufgelösten, lokalen Serienwiderstandes R s (x i ) für die Vielzahl von Ortspunkten x i abhängig zumindest von dem in Schritt A bestimmten ersten Spannungsbild Va(x i ) , Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt A zusätzlich mindestens eine zweite Messung bei einer zur ersten Messbedingung a unterschiedlichen zweiten Messbedingung b durchgeführt und abhängig zumindest von den erhaltenen Messdaten der zweiten Messung ein zweites ortsaufgelöstes, spannungskalibriertes Bild Vb(x i ) für die Vielzahl von Ortspunkten x i aus den in Schritt A erhaltenen Messdaten bestimmt wird, dass in Schritt A bei beiden Messungen die Lumineszenzstrahlung im Wesentlichen durch flächiges Beaufschlagen der Halbleiterstruktur mit einer Anregungsstrahlung erzeugt wird, die Messbedingungen (a, b) der ersten und zweiten Messung sich hinsichtlich der Intentsitäten und/oder spektralen Zusammensetzungen der Anregungsstrahlung und/oder einer vorgegebenen externen Spannung V ext , mit der die Halbleiterstruktur über elektrische Kontaktierung beaufschlagt wird, unterscheiden, dass zusätzlich zu jeder Messbedingung (a, b) jeweils eine spannungsunabhängige, ortsunabhängige Kurzschlussstromdichte (jP,a, jP, b) des unter der jeweiligen Messbedingung bei vorliegen von Kurzschlussbedingungen fließenden Stromes vorgegeben und/oder gemessen wird und dass in Schritt B die Bestimmung der ortsaufgelösten, elektrischen Eigenschaften an jedem Ortspunkt xi abhängig von zumindest den Kurzschlussstromdichten (jP,a, jP, b) und einer spannungsabhängigen, ortsabhängigen Dunkelstromdichte (jD,a(xi), jD,b(xi)) für jede Messbedingung erfolgt, wobei die Dunkelstromdichten (jD,a(xi), jD,b(xi)) zumindest abhängig von der spannungsunabhängigen Dunkelsättigungsstromdichte j0(xi) und den beiden aus den jeweiligen Spannungsbildern resultierenden Spannungen (Va(xi), Vb(xi)) für den Ort xi sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量半导体结构，其包括一个发射器和一个基极，并且是太阳能电池或太阳能电池的前体，其步骤包括：在所述半导体结构的发电发光和空间分辨从半导体结构的发光所产生的测量，其中的第一 测量在第一测量条件的执行，并且根据第一空间分辨的，spannungskalibriertes图像V中从所获得的测量的第一测量被确定为多个位置点XI，在步骤获得的测量数据的太阳能电池的数据（XI）至少，B确定 的空间分辨的半导体结构的特性，相对于所述空间分辨暗饱和电流J 0（X i）和/或空间分辨发射极薄层电阻的p（XI）和/或的空间分辨的，局部串联电阻R S（ⅹⅰ）针对所述多个VO n位点XI取决于至少在所述在步骤中确定的第一电压图像Va的（XI），本发明的特征在于，在至少一个第二测量在第一测量条件的不同的第二测量条件B在步骤A进行相加，并根据从所获得的至少 第二测量的测量数据，第二空间分辨，spannungskalibriertes图像Vb的（ⅹⅰ）被确定为从所获得的，在步骤a的测量数据，所述发光辐射在步骤a通过平坦基本上产生在两个测量暴露具有激发辐射照射所述半导体结构中的多个轨迹XI的点的 是，测定条件（a，b）与所述半导体结构通过电接触装Intentsitäten和/或激发辐射和/或预定的外部电压V的光谱组成方面的第一和第二测量EXT的， 的不同点在于，除了各测量条件（A，B）在每种情况下规定的电压无关，独立于位置的短路电流密度（JP，A，JP，b）将存在于特定的测量条件下，用电流从短路状态中流动，流动和/或测量，并且在步骤B中，所述 （b JP，A，JP）进行确定在每个位置点Xi空间分辨的，电气特性根据至少所述短路电流密度和电压依赖性，依赖于位置的暗电流密度（JD，一（十一），JD，b（XI））对每个测量条件， 其中，所述暗电流密度（JD，一（十一），JD，b（XI））至少取决于电压无关的暗饱和电流密度J0（XI）和两个从所得电压相应的电压的图像（VA（XI）VB（XI））的 把喜。

公开(公告)号：WO2010088120A3

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：PCT/US2010021545

申请日：2010-01-20

Applicant: VSERV TECHNOLOGIES CORP ,  CHIDAMBARAM MAHENDRAN T ,  MILLER S DANIEL ,  SCHOCK GERALD

Inventor： CHIDAMBARAM MAHENDRAN T ,  MILLER S DANIEL ,  SCHOCK GERALD

IPC: G01N21/88 ,  H01L21/66 ,  H01L31/042

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/66

Abstract: Methods and apparatus for integrated, in-line metrology of solar cells involve three distinct inspection and testing operations, prior to string and module assembly. Two of the inspections are performed by image analysis using bright field illumination. The third inspection involves electroluminescence imaging, where luminescence in the solar cell is achieved by inducing a forward bias in the solar cell, and analyzing a resulting grayscale image for defects.

Abstract translation: 用于太阳能电池的集成在线计量的方法和设备涉及在串和模块组装之前的三个不同的检查和测试操作。 通过使用明场照明的图像分析来执行两个检查。 第三个检查涉及电致发光成像，其中太阳能电池中的发光通过在太阳能电池中引起正向偏压来实现，并且分析所得到的灰度图像的缺陷。

公开(公告)号：WO2010088120A2

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/US2010/021545

申请日：2010-01-20

Applicant: VSERV TECHNOLOGIES CORP ,  CHIDAMBARAM, Mahendran T. ,  MILLER, S. Daniel ,  SCHOCK, Gerald

Inventor： CHIDAMBARAM, Mahendran T. ,  MILLER, S. Daniel ,  SCHOCK, Gerald

IPC: G01N21/88 ,  H01L21/66 ,  H01L31/042

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/66

Abstract: Methods and apparatus for integrated, in-line metrology of solar cells involve three distinct inspection and testing operations, prior to string and module assembly. Two of the inspections are performed by image analysis using bright field illumination. The third inspection involves electroluminescence imaging, where luminescence in the solar cell is achieved by inducing a forward bias in the solar cell, and analyzing a resulting grayscale image for defects.

Abstract translation: 用于集成的在线计量的太阳能电池的方法和装置在串和模块组装之前涉及三个不同的检查和测试操作。 通过使用亮场照明的图像分析进行两次检查。 第三次检查涉及电致发光成像，其中太阳能电池中的发光通过在太阳能电池中引发正向偏压来实现，并且分析所得到的灰度图像以用于缺陷。