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    TREATMENT OF GATE DIELECTRIC FOR MAKING HIGH PERFORMANCE METAL OXIDE AND METAL OXYNITRIDE THIN FILM TRANSISTORS
    91.
    发明申请
    TREATMENT OF GATE DIELECTRIC FOR MAKING HIGH PERFORMANCE METAL OXIDE AND METAL OXYNITRIDE THIN FILM TRANSISTORS 审中-公开
    高性能金属氧化物和金属氧化物薄膜晶体管栅极介质的处理

    公开(公告)号：WO2010002803A3

    公开(公告)日：2010-03-18

    申请号：PCT/US2009049084

    申请日：2009-06-29

    申请人： APPLIED MATERIALS INC ,  YE YAN

    发明人： YE YAN

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

    摘要： Embodiments of the present invention generally include TFTs and methods for their manufacture. The gate dielectric layer in the TFT may affect the threshold voltage of the TFT. By treating the gate dielectric layer prior to depositing the active channel material, the threshold voltage may be improved. One method of treating the gate dielectric involves exposing the gate dielectric layer to N2O gas. Another method of treating the gate dielectric involves exposing the gate dielectric layer to N2O plasma. Silicon oxide, while not practical as a gate dielectric for silicon based TFTs, may also improve the threshold voltage when used in metal oxide TFTs. By treating the gate dielectric and/or using silicon oxide, the threshold voltage of TFTs may be improved.

    摘要翻译： 本发明的实施例通常包括TFT及其制造方法。 TFT中的栅极介电层可能会影响TFT的阈值电压。 通过在沉积有源沟道材料之前处理栅极电介质层，可以改善阈值电压。 处理栅极电介质的一种方法包括将栅极电介质层暴露于N 2 O气体。 处理栅极电介质的另一种方法涉及将栅极电介质层暴露于N2O等离子体。 当用于金属氧化物TFT时，氧化硅虽然不适合用作硅基TFT的栅极电介质，但也可以提高阈值电压。 通过处理栅极电介质和/或使用氧化硅，可以改善TFT的阈值电压。

    ＩＩＩ族 窒化物半導体積層構造体およびその製造方法
    93.
    发明申请
    ＩＩＩ族 窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 审中-公开
    III族氮化物半导体层状结构及其制备III族氮化物半导体层状结构的方法

    公开(公告)号：WO2010016532A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：PCT/JP2009/063902

    申请日：2009-07-30

    申请人： 昭和電工株式会社 ,  塙健三 ,  佐々木保正

    发明人： 塙健三 ,  佐々木保正

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323

    CPC分类号： H01L21/0262 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/325 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

    摘要： 　本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることに より、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。本発明のＩＩＩ族 窒化物半導体積層構造体は、C面サファイア基板表面に、シード層として、結晶粒界の間隔が２００ｎｍ 以上であるＡｌＮ結晶膜をスパッター法で形成させ、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、 ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、 該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／ または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている。

    摘要翻译： 公开了通过采用具有高结晶度的AlN晶体膜种子层与选择性横向生长的组合而具有进一步改善的结晶度的III族氮化物半导体层叠结构。 III族氮化物半导体层叠结构包括具有不小于200nm的间隔的晶粒的AlN晶体膜作为通过溅射设置在C面蓝宝石衬底表面上的晶种层。 III族氮化物半导体层叠结构还包括层叠在AlN晶体膜上的由III族氮化物半导体形成的底层，n型半导体层，发光层和p型半导体层。 C面蓝宝石衬底表面具有种子层存在的区域和种子层不存在的区域。 另外或替代地，底层具有可以进行外延生长的区域和不可能进行外延生长的区域。

    THIN FILM TRANSISTORS USING MULTIPLE ACTIVE CHANNEL LAYERS
    94.
    发明申请
    THIN FILM TRANSISTORS USING MULTIPLE ACTIVE CHANNEL LAYERS 审中-公开
    薄膜晶体管使用多个有源通道层

    公开(公告)号：WO2010002608A2

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：PCT/US2009/047966

    申请日：2009-06-19

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  YE, Yan

    发明人： YE, Yan

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

    摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to TFTs and methods of fabricating the TFTs. In TFTs, the active channel carries the current between the source and drain electrodes. By tailoring the composition of the active channel, the current can be controlled. The active channel may be divided into three layers, a gate control layer, a bulk layer, and an interface control layer. The separate layers may have different compositions. Each of the gate control, bulk and interface control layers may additionally comprise multiple layers that may have different compositions. The composition of the various layers of the active channel comprise oxygen, nitrogen, and one or more elements selected from the group consisting of zinc, indium, cadmium, tin, gallium and combinations thereof. By varying the composition among the layers, the mobility, carrier concentration and conductivity of the various layers may be controlled to produce a TFT having desired properties.

    摘要翻译： 本文公开的实施例一般涉及TFT和制造TFT的方法。 在TFT中，有源沟道承载源极和漏极之间的电流。 通过调整有源通道的组成，可以控制电流。 有源信道可以分为三层，一个门控制层，一块体层，一个接口控制层。 单独的层可以具有不同的组成。 栅极控制，块体和界面控制层中的每一个可另外包括可具有不同组成的多个层。 活性通道的各层的组成包括氧，氮和选自锌，铟，镉，锡，镓及其组合的一种或多种元素。 通过改变层之间的组成，可以控制各层的迁移率，载流子浓度和电导率，以产生具有期望性能的TFT。

    光電変換装置
    97.
    发明申请
    光電変換装置 审中-公开
    光电转换器

    公开(公告)号：WO2009119125A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：PCT/JP2009/050098

    申请日：2009-01-07

    申请人： 三菱重工業株式会社 ,  坂井 智嗣 ,  浅原 裕司 ,  小林 靖之 ,  森 匡史 ,  鶴我 薫典 ,  山下 信樹

    发明人： 坂井 智嗣 ,  浅原 裕司 ,  小林 靖之 ,  森 匡史 ,  鶴我 薫典 ,  山下 信樹

    IPC分类号： H01L31/04

    CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

    摘要： 　透明導電層を最適化することによって、光電変換装置の短絡電流を向上させる。基板（１）上に第１透明電極層（２）と、発電層（３）と、第２透明電極層（６）と、裏面電極層（４）とを備える光電変換装置（１００）であって、前記第２透明電極層（６）の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における前記第２透明電極層（６）の光吸収率が１．５％以下であることを特徴とする光電変換装置（１００）。及び、前記第２透明電極層（６）の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記第２透明電極層（６）及び前記裏面電極層（４）で反射された光の反射率が、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域で９１％以上であることを特徴とする光電変換装置（１００）。

    摘要翻译： 通过优化透明导电层来增强光电转换器的短路电流。 光电转换器（100）具有形成在基板（1）上的第一透明电极层（2），发电层（3），第二透明电极层（6）和背面电极层（4）。 第二透明电极层（6）的膜厚为80nm以上但不大于100nm，并且第二电极层（6）在600nm以上且不大于1000nm的波长区域的光吸收率 nm为1.5％以下。 在光电转换器（100）中，第二透明电极层（6）的膜厚为80nm以上但不大于100nm，第二透明电极层（6）和背面电极层（4） 在600nm以上且不大于1000nm的波长区域中具有91％以上的光的反射率。