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    SILICON-BASED SENSORS AND METHOD OF MAKING SAME
    91.
    发明申请
    SILICON-BASED SENSORS AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
    基于硅的传感器及其制造方法

    公开(公告)号：WO1989005968A1

    公开(公告)日：1989-06-29

    申请号：PCT/US1988004510

    申请日：1988-12-16

    Applicant: SIEMENS-BENDIX AUTOMOTIVE ELECTRONICS L.P.

    Inventor： SIEMENS-BENDIX AUTOMOTIVE ELECTRONICS L.P. ,  LEE, Ki, W.

    IPC: G01F01/68

    CPC classification number: G01F1/6845 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/4913

    Abstract: A silicon-based sensor (10) includes a substrate (20), a sensor element (12), and a protective diaphragm (22a) mounting and covering the sensor element (12). The diaphragm (22a) is a silicon layer (22) which, in a preferred embodiment, includes an etch-stop dopant. The etch-stop layer (22) is sealed to the substrate (20) so that the layer (22) covers and mounts the sensor element (12) to the substrate (20). The sensor (10) is fabricated by forming a trough area (33) in a surface (32) of a silicon block (30) (e.g., a silicon chip or wafer), treating the trough area (33) with an etch-stop dopant (e.g., boron), depositing a sensor element (12) onto the doped trough area (33), sealing at least the periphery of the doped trough area (33) to a surface of a substrate (20) (e.g., glass) so as to encapsulate the sensor element (12), and then etching away undoped regions of the silicon block (30) so that the doped trough area (33) remains as a protective diaphragm (22a) sealed to the substrate (20) and covering the sensor element (12). It is also possible to form a bonding pad (16) on untreated (e.g., undoped) discontinuous regions (22c) of an otherwise etch-stop treated trough layer (34) so that when etched, the bonding pad (16) is exposed to permit interconnection with electronic circuitry, yet the etch-stop treated layer (22) remains so as to mount the bonding pad (16) to the substrate.

    POWER RESISTOR WITH INTEGRATED HEAT SPREADER
    92.
    发明申请
    POWER RESISTOR WITH INTEGRATED HEAT SPREADER 审中-公开
    具有集成散热器的电源电阻

    公开(公告)号：WO2014100317A2

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：PCT/US2013076350

    申请日：2013-12-19

    Applicant: VISHAY DALE ELECTRONICS INC ,  SMITH CLARK ,  WYATT TODD

    Inventor： SMITH CLARK ,  WYATT TODD

    CPC classification number: H01C1/084 ,  H01C1/14 ,  H01C1/148 ,  H01C7/003 ,  H01C17/28 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49101

    Abstract: An integrated assembly includes a resistor and a heat spreader. The resistor includes a resistive element and terminals. The heat spreader is integrated with the resistor and includes a heat sink of thermally conducting and electrically insulating material and terminations of a thermally conducting material and situated at an edge of the heat sink. At least a portion of a top surface of the resistive element is in thermally conductive contact with the heat sink. Each resistor terminal is in thermally conductive contact with a corresponding termination of the heat sink. A method of fabricating an integrated assembly of a resistor and a heat spreader includes forming the heat spreader, forming the resistor, and joining the heat spreader to the resistor by bonding at least a portion of a top surface of the resistive element to the heat sink and bonding each electrically conducting terminal to a corresponding termination.

    Abstract translation: 集成组件包括电阻器和散热器。 电阻器包括电阻元件和端子。 散热器与电阻器集成，并且包括导热和电绝缘材料的散热器和导热材料的端子并且位于散热器的边缘处。 电阻元件的顶表面的至少一部分与散热器导热接触。 每个电阻端子与散热器的相应端子进行导热接触。 一种制造电阻器和散热器的集成组件的方法包括形成散热器，形成电阻器，以及通过将电阻元件的顶表面的至少一部分接合到散热器而将散热器接合到电阻器 并将每个导电端子接合到相应的端接件。

    チップ抵抗器およびその製造方法
    93.
    发明申请
    チップ抵抗器およびその製造方法 审中-公开
    芯片电阻及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013099688A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：PCT/JP2012/082725

    申请日：2012-12-18

    Applicant: ローム株式会社

    Inventor： 額賀　栄二 ,  玉川　博詞 ,  近藤　靖浩 ,  松浦　勝也

    IPC: H01C7/00 ,  H01C13/02 ,  H01C17/06 ,  H01C17/242

    CPC classification number: H01C17/006 ,  H01C7/00 ,  H01C7/006 ,  H01C13/02 ,  H01C17/06 ,  H01C17/08 ,  H01C17/242 ,  H01F27/402 ,  H01G2/065 ,  H01G4/38 ,  H01G4/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/528 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/861 ,  Y10T29/49082

    Abstract: 【課題】コーナー部におけるチッピングの発生を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】チップ抵抗器１は、素子形成面２Ａと、素子形成面２Ａとは反対側の裏面２Ｂと、素子形成面２Ａおよび裏面２Ｂの間を繋ぐ側面２Ｃ～２Ｆとを有する基板２と、素子形成面２Ａに形成された抵抗５６と、抵抗５６に電気的に接続され、素子形成面２Ａに配置された第１接続電極３および第２接続電極４と、第１接続電極３および第２接続電極４を露出させた状態で素子形成面２Ａを覆う樹脂膜２４とを含む。基板２の裏面２Ｂおよび側面２Ｃ～２Ｆが交差する交差部１１がラウンド形状になっている。

    Abstract translation: [问题]提供一种片状电阻及其制造方法，可以防止在角部的切屑。 芯片电阻器（1）包括：具有器件形成面（2A）的衬底（2），设置在器件形成面（2A）的相反侧的背面（2B） 以及将所述装置形成面（2A）与所述背面（2B）连接的侧面（2C-2F）。 形成在器件形成面（2A）上的电阻（56） 电连接到电阻器（56）并设置在器件形成表面（2A）上的第一连接电极（3）和第二连接电极（4）; 以及在第一连接电极（3）和第二连接电极（4）露出的状态下覆盖器件形成面（2A）的树脂膜（24）。 背面（2B）和基板（2）的侧面（2C-2F）彼此交叉的交叉部分（11）形成为圆形。

    チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造、およびチップ抵抗器の製造方法
    94.
    发明申请
    チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造、およびチップ抵抗器の製造方法 审中-公开
    芯片电阻器，芯片电阻器的安装结构和芯片电阻的制造方法

    公开(公告)号：WO2013054898A1

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：PCT/JP2012/076481

    申请日：2012-10-12

    Applicant: ローム株式会社

    Inventor： 塚田　虎之 ,  中　健太郎

    IPC: H01C17/06 ,  H01C7/00 ,  H01C17/242

    CPC classification number: H01C7/00 ,  H01C7/003 ,  H01C17/00 ,  H01C17/006 ,  H01C17/02 ,  H01C17/065 ,  H01C17/242 ,  Y10T29/49082

    Abstract: 【課題】　製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。 【解決手段】　第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１電極１および抵抗部３につながる第１中間層４と、第２電極２および抵抗部３につながる第２中間層５と、第１電極１を覆う被覆膜６１と、第１中間層４内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜６１を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第１電極１を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる。

    Abstract translation: [问题]提供适合于提高制造效率的芯片电阻器。 [解决方案]设置有第一电极（1），第二电极（2），电阻器（3），连接第一电极（1）和电阻器（3）的第一中间层（4） 连接第二电极（2）和电阻器（3）的第二中间层（5），覆盖第一电极（1）的覆盖膜（61）和存在于第一中间层 4）。 构成覆盖膜（61）的材料相对于具有规定波长的激光的吸收率高于构成第一电极（1）的材料的吸收率，氧化物部分由构成覆盖物的材料的氧化物构成 电影（61）。

    A METHOD OF TRIMMING A THIN FILM RESISTOR, AND AN INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING TRIMMABLE THIN FILM RESISTORS
    96.
    发明申请
    A METHOD OF TRIMMING A THIN FILM RESISTOR, AND AN INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING TRIMMABLE THIN FILM RESISTORS 审中-公开
    一种薄膜电阻器的研究方法，以及一种包含可折叠薄膜电阻器的集成电路

    公开(公告)号：WO2012054621A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：PCT/US2011/056909

    申请日：2011-10-19

    Applicant: ANALOG DEVICES, INC.

    Inventor： DOWNEY, Fergus, John ,  STENSON, Bernard, Patrick ,  MOLYNEAUX, James, Michael

    IPC: H01C17/00 ,  H01C17/16

    CPC classification number: H01C17/22 ,  Y10T29/49082

    Abstract: Apparatus and methods of trimming resistors are disclosed. In one embodiment, a method of controlling the power coefficient of resistance (PCR) of a thin film resistor (4, 6) is provided. The method includes applying a first current to the resistor so as to alter a property of the resistor, and measuring the property of the resistor. Applying the first current and measuring the property of the resistor can be repeated until the PCR of the resistor is within an acceptable tolerance of a desired value for the property of the resistor.

    Abstract translation: 公开了微调电阻器的装置和方法。 在一个实施例中，提供了一种控制薄膜电阻器（4,6）的电阻功率系数（PCR）的方法。 该方法包括向电阻器施加第一电流以便改变电阻器的特性，并测量电阻器的性质。 可以重复施加第一电流并测量电阻器的性质，直到电阻器的PCR在电阻器的性能的期望值的可接受公差内。

    抵抗変化素子およびその製造方法
    98.
    发明申请
    抵抗変化素子およびその製造方法 审中-公开
    电阻变化元件及其生产方法

    公开(公告)号：WO2010119677A1

    公开(公告)日：2010-10-21

    申请号：PCT/JP2010/002702

    申请日：2010-04-14

    Applicant: パナソニック株式会社 ,  辻清孝

    Inventor： 辻清孝

    IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T29/49082

    Abstract: 抵抗変化動作の安定性を向上し、かつ、製造直後の初期状態の抵抗変化素子を最初に低抵抗化させるために必要な電流を低減することができる抵抗変化素子を提供する。第１の電極(１０１)と、その上に形成されたメモリセルホール(１５０)と、メモリセルホール(１５０)の底部を覆い、かつ、第１の電極(１０１)の上面を覆うように形成された第１の抵抗変化層(２０１)と、第１の抵抗変化層(２０１)を覆うように形成された第２の抵抗変化層(２０２)と、メモリセルホール(１５０)の上に形成された第２の電極(１０２)とで構成され、第１の抵抗変化層(２０１)のメモリセルホール(１５０)の底での膜厚が、メモリセルホール(１５０)の周辺部に向かって連続的に減少し、メモリセルホール(１５０)の周辺部付近で極小値となる。また、第１の抵抗変化層(２０１)中の酸素濃度が第２の抵抗変化層(２０２)中の酸素濃度より高い。

    Abstract translation: 具有能够提高电阻变化动作稳定性的电阻变化元件，并且将刚刚生产后的电阻变化元件变更所需的电流降低到低电阻。 电阻变化元件由第一电极（101），形成在第一电极（101）上的存储单元孔（150），第一电阻变化层（201）形成以覆盖第一电极 存储单元孔（150）并覆盖第一电极（101）的上表面，形成为覆盖第一电阻变化层（201）的第二电阻变化层（202）和第二电极（102） 形成在记忆单元孔（150）上。 存储单元孔150的底部的第一电阻变化层（201）的膜厚朝向存储单元孔（150）的周边部分持续减小，成为在 存储单元孔（150）。 此外，第一电阻变化层（201）中的氧浓度高于第二电阻变化层（202）中的氧浓度。

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